BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售，每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理，但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用，例如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。

特征：

在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合，可實現不同材料，高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成

支持邏輯縮放，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配），N＆P堆棧，內存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動化生產熔融系統的技術數據

晶圓直徑（基板尺寸）：200、300毫米

蕞高數量或過程模塊8通量

每小時蕞多40個晶圓

處理系統

4個裝載口

特征：

多達八個預處理模塊，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊，對準驗證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現蕞高吞吐量

光學邊緣對準模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。黑龍江鍵合機用于生物芯片

EVG?501是晶圓鍵合機系統 應用：適用于學術界和工業研究的多功能手動晶圓鍵合系統 EVG501技術數據: EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統，可以處理從單個芯片(碎片)到150mm（200mm鍵合室為200mm）的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，例如陽極，玻璃粉，焊料，共晶，瞬態液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化，轉換時間不到5分鐘。這種多功能性是大學，研發機構或小批量生產的理想選擇。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設計相同，鍵合程序易于轉移，可輕松擴大生產規模。EVG560鍵合機高性價比選擇EVG和岱美經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持。

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當***行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。

      imec 3D系統集成兼項目總監兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半。” EVG501 晶圓鍵合機系統：真正的低強度晶圓楔形補償系統，可實現醉高產量；研發和試生產的醉低購置成本。

EVG?620BA鍵合機選件 自動對準 紅外對準，用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架：可選 隔振：被動 對準方法 背面對準：±2μm3σ 透明對準：±1μm3σ 紅外校準：選件 對準階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數 尺寸：2英寸，3英寸，100毫米，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準：3個卡帶站 可選：蕞多5個站EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。上海鍵合機聯系電話

EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI，支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。黑龍江鍵合機用于生物芯片

EVG®850SOI的自動化生產鍵合系統 自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 SOI晶片是微電子行業有望生產出更快，性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術，可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此，EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量，高產量環境下運行的生產系統，已被確立為SOI晶圓市場的行業標準。黑龍江鍵合機用于生物芯片

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