Ziptronix Inc. 與 EV Group（簡稱“EVG ”）***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini FB 產品融合鍵合機和 SmartView NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)。
Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示：“DBI 混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制，只需要可進行測量的適當的對準和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設備經過優(yōu)化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度，此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產 (HVM) 鋪平了道路。” EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。青海鍵合機推薦廠家
半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸，并*小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。
imec 3D系統集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它?！疤貏e關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半?！?晶圓片鍵合機用途業(yè)內主流鍵合機使用工藝：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（含共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。
EVG®301技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米
清潔系統
開室，旋轉器和清潔臂
腔室：由PP或PFA制成（可選）
清潔介質：去離子水（標準），其他清潔介質（可選）
旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）
超音速噴嘴
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：30-60W
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域：?4.0mm
材質：聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
頻率：1MHz（3MHz選件）
輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）
去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性
材質：不銹鋼和藍寶石
刷子
材質：PVA
可編程參數：刷子和晶圓速度（rpm）
可調參數（刷壓縮，介質分配）
Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器（面對面，背面，紅外和透明對準） 無需Z軸運動，也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊，然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置（例如：在GEMINI系統上集成） Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統，EVG ? 300系列清潔系統和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統 技術數據 基板/晶圓參數 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動對準 標準 處理系統 3個紙盒站（蕞/大200毫米）或2個FOUP加載端口（300毫米）EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。
EVG?820層壓系統 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準 加熱層壓 鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用很實用的技術。EVG805鍵合機國內用戶
EVG鍵合機支持全系列晶圓鍵合工藝，這對于當今和未來的器件制造是至關重要。青海鍵合機推薦廠家
半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當***行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。青海鍵合機推薦廠家
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