ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統，高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數據，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發和高通量，大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數（CTE）的異質材料的鍵合，并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術還可以實現鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合，都可以實現無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。貴州鍵合機
一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。
質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法，不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。
半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備，可以關注這里：EVG光刻機和鍵合機。 中國澳門EVG820鍵合機GEMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。
GEMINI®FB特征：
新的SmartView®NT3面-面結合對準具有亞50納米晶片到晶片的對準精度
多達六個預處理模塊，例如：
清潔模塊
LowTemp?等離子基活模塊
對準驗證模塊
解鍵合模塊
XT框架概念通過EFEM（設備前端模塊）實現蕞高吞吐量
可選功能：
解鍵合模塊
熱壓鍵合模塊
技術數據
晶圓直徑（基板尺寸）
200、300毫米
蕞高處理模塊數：6+的SmartView
®NT
可選功能：
解鍵合模塊
熱壓鍵合模塊
EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統，擴展了現有標準，并擁有更高的生產率，更高的對準和涂敷精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統采用了新的SmartViewNT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。
表面帶有微結構硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質量成為研究重點。EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。
業內主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。
奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗，擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工，同時，GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。
根據型號和加熱器尺寸，EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發，并且可以通過簡單的方法進行大批量生產，因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。 EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。進口鍵合機有誰在用
EVG鍵合機軟件，支持多語言，集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置，可以簡化用戶常規操作。貴州鍵合機
EVG®520IS晶圓鍵合機系統：
單腔或雙腔晶圓鍵合系統，用于小批量生產。
EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產應用。EVG520IS根據客戶反饋和EVGroup的持續技術創新進行了重新設計，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如**的頂側和底側加熱器，高壓鍵合能力以及與手動系統相同的材料和工藝靈活性等優勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。
特征：
全自動處理，手動裝卸，包括外部冷卻站
兼容EVG機械和光學對準器
單室或雙室自動化系統
全自動的鍵合工藝執行和鍵合蓋移動
集成式冷卻站可實現高產量
選項：
高真空能力（1E-6毫巴）
可編程質量流量控制器
集成冷卻
技術數據
蕞大接觸力
10、20、60、100kN
加熱器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸單芯片100毫米
真空
標準：1E-5mbar
可選：1E-6mbar 貴州鍵合機
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