企業定位與資質
成立背景：深耕半導體材料行業23年，位于松山湖經濟技術開發區，注冊資本2000萬元，是國家高新技術企業、廣東省專精特新企業及廣東省創新型中小企業。
質量體系：通過ISO9001:2008認證，嚴格執行8S現場管理，原材料源自美國、德國、日本等國，確保產品穩定性。
市場布局：產品遠銷全球，與世界500強企業及多家電子加工企業建立長期合作關系，覆蓋集成電路、顯示面板、先進封裝等領域。
LCD 光刻膠供應商哪家好？吉田半導體高分辨率 + 低 VOC 配方！內蒙古光刻膠廠家
企業優勢
研發能力：擁有多項專利證書，自主研發芯片光刻膠、納米壓印光刻膠等產品，配備全自動化生產設備，具備從材料合成到成品制造的全流程能力。
產能與品控：采用進口原材料和嚴格制程管控，確保金屬雜質含量低于行業標準（如半導體光刻膠金屬雜質<5ppb），良率達99%以上。
工藝流程
目的：去除基板表面油污、顆粒，增強感光膠附著力。
方法：
化學清洗（硫酸/雙氧水、去離子水）；
表面處理（硅基板用六甲基二硅氮烷HMDS疏水化，PCB基板用粗化處理）。
涂布（Coating）
方式：
旋涂：半導體/顯示領域，厚度控制精確（納米至微米級），轉速500-5000rpm；
噴涂/輥涂：PCB/MEMS領域，適合大面積或厚膠（微米至百微米級，如負性膠可達100μm）。
關鍵參數：膠液黏度、涂布速度、基板溫度（影響厚度均勻性）。
前烘（Soft Bake）
目的：揮發溶劑，固化膠膜，增強附著力和穩定性。
條件：
溫度：60-120℃（正性膠通常更低，如90℃；負性膠可至100℃以上）；
時間：5-30分鐘（根據膠厚調整，厚膠需更長時間）。
曝光（Exposure）
光源：
紫外光（UV）：G線（436nm）、I線（365nm）用于傳統光刻（分辨率≥1μm）；
深紫外（DUV）：248nm（KrF）、193nm（ArF）用于半導體先進制程（分辨率至20nm）；
極紫外（EUV）：13.5nm，用于7nm以下制程（只能正性膠適用）。
曝光方式：
接觸式/接近式：掩膜版與膠膜直接接觸（PCB、MEMS，低成本但精度低）；
投影式：通過物鏡聚焦（半導體，分辨率高，如ArF光刻機精度達22nm）。
甘肅LCD光刻膠工廠吉田產業鏈協同與政策紅利。
厚板光刻膠
-
電路板制造：在制作對線路精度和抗蝕刻性能要求高的電路板時，厚板光刻膠可確保線路的精細度和穩定性，比如汽車電子、工業控制等領域的電路板，能承受復雜環境和大電流、高電壓等工況。
-
功率器件制造：像絕緣柵雙極晶體管（IGBT）這類功率器件，需要承受高電壓和大電流，厚板光刻膠可用于其芯片制造過程中的光刻環節，保障芯片內部電路的精細布局，提高器件的性能和可靠性。
負性光刻膠
-
半導體制造：在芯片制造過程中，用于制作一些對精度要求高、圖形面積較大的結構，如芯片的金屬互連層、接觸孔等。通過負性光刻膠的曝光和顯影工藝，能實現精確的圖形轉移，確保芯片各部分之間的電氣連接正常。
-
平板顯示制造：在液晶顯示器（LCD）和有機發光二極管顯示器（OLED）的制造中，用于制作電極、像素等大面積圖案。以 LCD 為例，負性光刻膠可幫助形成液晶層與玻璃基板之間的電極圖案，控制液晶分子的排列，從而實現圖像顯示。
產品優勢：多元化布局與專業化延伸
全品類覆蓋
吉田產品涵蓋芯片光刻膠、納米壓印光刻膠、LCD光刻膠、半導體錫膏等，形成“光刻膠+配套材料”的完整產品線。例如：
芯片光刻膠：覆蓋i線、g線光刻膠，適用于6英寸、8英寸晶圓制造。
納米壓印光刻膠：用于MEMS、光學器件等領域，替代傳統光刻工藝。
專業化延伸
公司布局半導體用KrF光刻膠，計劃2025年啟動研發，目標進入中芯國際、長江存儲等晶圓廠供應鏈。
質量與生產優勢：嚴格品控與自動化生產
ISO認證與全流程管控
公司通過ISO9001:2008質量體系認證，生產環境執行8S管理，原材料采用美、德、日進口高質量材料，確保產品批次穩定性。
質量指標：光刻膠金屬離子含量低于0.1ppb，良率超99%。
自動化生產能力
擁有行業前列的全自動化生產線，年產能達2000噸（光刻膠及配套材料），支持大規模訂單交付。
吉田半導體產品矩陣。
吉田半導體柯圖泰全系列感光膠：進口品牌品質，本地化服務支持
柯圖泰全系列感光膠依托進口技術，提供高性價比的絲網印刷解決方案。
吉田半導體代理的柯圖泰全系列感光膠（如 PLUS 6000、Autosol 2000），源自美國先進配方，分辨率達 120 線 / 英寸，適用于玻璃、陶瓷等多種基材。產品通過 SGS 認證，符合電子行業有害物質限制要求，其高感光度與耐摩擦性，確保絲網印刷的清晰度與耐久性。公司提供技術參數匹配、制版工藝指導等本地化服務，幫助客戶優化生產流程，降低材料損耗。
吉田半導體全系列產品覆蓋，滿足多元化需求。甘肅LCD光刻膠工廠
光刻膠是有什么東西？內蒙古光刻膠廠家
技術挑戰與發展趨勢
更高分辨率需求：
EUV光刻膠需解決“線邊緣粗糙度（LER）”問題（目標＜5nm），通過納米顆粒分散技術或新型聚合物設計改善。
缺陷控制：
半導體級正性膠要求金屬離子含量＜1ppb，顆粒（＞50nm）＜1個/mL，需優化提純工藝（如多級過濾+真空蒸餾）。
國產化突破：
國內企業（如上海新陽、南大光電、容大感光）已在KrF/ArF膠實現批量供貨，但EUV膠仍被日本JSR、美國陶氏、德國默克壟斷，需突破樹脂合成、PAG純度等瓶頸。
環保與節能：
開發水基顯影正性膠（減少有機溶劑使用），或低烘烤溫度膠（降低半導體制造能耗）。
典型產品示例
傳統正性膠：Shipley S1813（G/I線，用于PCB）、Tokyo Ohka TSM-305（LCD黑矩陣）。
DUV正性膠：信越化學的ArF膠（用于14nm FinFET制程）、中芯國際認證的國產KrF膠（28nm節點）。
EUV正性膠：JSR的NeXAR系列（7nm以下，全球市占率超70%）。
正性光刻膠是推動半導體微縮的主要材料，其技術進步直接關聯芯片制程的突破，未來將持續向更高精度、更低缺陷、更綠色工藝演進。
內蒙古光刻膠廠家
