由于先進陶瓷各種功能的不斷發現，在微電子工業、通訊產業、自動化控制和未來智能化技術等方面作為支撐材料的地位將日益明顯，其市場容量將不斷提升。美國陶瓷工業部門的統計數字顯示，美國、日本、歐盟的先進陶瓷市場年平均增長率為12%，其中歐盟先進陶瓷市場總值年平均增長率達15%～18%；美國先進陶瓷市場總值年平均增長率9.9%；日本精細陶瓷協會對日本先進陶瓷市場進行了預測，其年平均增長率為7.2%。目前先進陶瓷較大市場在日本和美國，其次是歐盟。SiC強度高、彈性模量大，具有優良的耐磨損性能。廣西非氧化物碳化硅陶瓷

近年來，為進一步提高SiC陶瓷的力學性能，研究人員進行了SiC陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現無添加劑SiC陶瓷的致密燒結。研究表明：當SiC粉末的粒徑小于0.6μm時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2/g的SiC超細粉，采用熱等靜壓燒結工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。長方形碳化硅陶瓷生產流程熱壓添加劑：與碳化硅中的雜質形成液相，通過液相促進燒結。

碳化硅脫硫噴嘴的結構：1、錐形噴嘴結構這種噴嘴結構帶有導流效果的錐狀進口和起集束效果的平直段，磨料進入噴嘴相對簡略，且磨料在噴嘴截面上的散布與圓柱形噴嘴比較更均勻。2、圓柱形直孔噴嘴結構圓柱形直孔碳化硅噴嘴兼有噴槍和噴嘴兩種功能，結構簡單，能夠直接用無縫鋼管替代，也可通過在資料上鉆孔得到，但噴嘴壽數較短，多用于對噴砂處理要求不高的場合。3、特種碳化硅脫硫噴嘴特種噴砂嘴，結構復雜，一般應用在特別場合，如管道內壁的噴砂處理。

1974年美國GE公司通過在高純度β－SiC細粉中同時加入少量的B和C，采用無壓燒結工藝，于2020℃成功地獲得高密度SiC陶瓷。目前，該工藝已成為制備SiC陶瓷的主要方法。美國GE公司研究者認為：晶界能與表面能之比小于1．732是致密化的熱力學條件，當同時添加B和C后，B固溶到SiC中，使晶界能降低，C把SiC粒子表面的SiO2還原除去，提高表面能，因此B和C的添加為SiC的致密化創造了熱力學方面的有利條件。然而，日本研究人員卻認為SiC的致密并不存在熱力學方面的限制。還有學者認為，SiC的致密化機理可能是液相燒結，他們發現：在同時添加B和C的β－SiC燒結體中，有富B的液相存在于晶界處。關于無壓燒結機理，目前尚無定論。SiC還有優良的導熱性。

根據先進陶瓷的發展進程，重點介紹以下成型方法：冷等靜壓成型，等靜壓成型是較常見的瘠性料先進陶瓷成型工藝，通過將粉體放入柔性模具或包套中，通過對其施加各項均勻的壓力成型，是目前國內應用較為普遍、較為成熟的工藝，分為干袋式等靜壓和濕袋式等靜壓。其特點是成本低、模具簡單，生坯強度高，但尺寸不精確、復雜形狀成型較困難，濕袋式自動化生產效率低。而國內仿制設備因加工水平差距，可靠性和穩定性暫時無法與國外產品相比。功能陶瓷在先進陶瓷中約占70%的市場份額，其余為結構陶瓷。碳化硅發熱元件是碳化硅材料的較主要產品，具有極大的市場。吉林長方形碳化硅陶瓷

反應碳化硅陶瓷，反應燒結碳化硅又稱為自結合SIC。廣西非氧化物碳化硅陶瓷

碳化硅陶瓷的制備方法：a、熱壓燒結碳化硅陶瓷，熱壓燒結即在燒結過程中施加一定的壓力，壓力的存在使原子擴散速率增大，燒結驅動力增加，從而加快燒結過程。然而，在高壓條件下，燒結體中會出現垂直于壓力方向定向生長的晶粒，為避免這種現象，可以選用熱等靜壓燒結的方法。b、無壓燒結碳化硅陶瓷，無壓燒結被認為是SiC燒結較有前途的燒結方法，通過無壓燒結工藝可以制備出復雜形狀和大尺寸的SiC部件。根據燒結機理的不同，無壓燒結又可分為固相燒結和液相燒結。廣西非氧化物碳化硅陶瓷