近年來，為進一步提高碳化硅陶瓷的力學性能，研究人員進行了碳化硅陶瓷的熱等靜壓工藝的研究工作。研究人員以B和C為添加劑，采用熱等靜壓燒結工藝，在1900℃便獲得高密度SiC燒結體。更進一步，通過該工藝，在2000℃和138MPa壓力下，成功實現無添加劑SiC陶瓷的致密燒結。研究表明：當SiC粉末的粒徑小于0.6μm時，即使不引入任何添加劑，通過熱等靜壓燒結，在1950℃即可使其致密化。如選用比表面積為24m2/g的SiC超細粉，采用熱等靜壓燒結工藝，在1850℃便可獲得高致密度的無添加劑SiC陶瓷。SiC還有優良的導熱性。碳化硅陶瓷環

(這是由于燒結體中含有一定量的游離Si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致)對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。較近，有研究者在亞微米SiC粉料中加入Al2O3和Y2O3，在1850℃～2000℃溫度下實現SiC的致密燒結。由于燒結溫度低而具有明顯細化的微觀結構，因而，其強度和韌性較大程度上改善。另外，Al2O3是熱等靜壓燒結SiC陶瓷的有效添加劑。而C的添加對SiC陶瓷的熱等靜壓燒結致密化不起作用，過量的C甚至會阻止SiC陶瓷的燒結。碳化硅陶瓷環碳化硅基復合材料，由于陶瓷材料固有脆性，限制了其在宇航等高技術領域的應用。

SiC結法較早在美國研究成功。反應燒結的工藝過程為：先將α-SiC粉和石墨粉按比例混勻，經干壓、擠壓或注漿等方法制成多孔坯體。在高溫下與液態Si接觸，坯體中的C與滲入的Si反應，生成β-SiC，并與α-SiC相結合，過量的Si填充于氣孔，從而得到無孔致密的反應燒結體。反應燒結SiC通常含有8%的游離Si。因此，為保證滲Si的完全，素坯應具有足夠的孔隙度。一般通過調整較初混合料中α-SiC和C的含量，α-SiC的粒度級配，C的形狀和粒度以及成型壓力等手段來獲得適當的素坯密度。

陶瓷粉體的制備方法：粉體的特性對先進陶瓷后續成型和燒結有著明顯的影響，特別是明顯影響陶瓷的顯微結構和機械性能。通常情況下，活性高、純度高、粒徑小的粉體有利于制備結構均勻、性能優良的陶瓷材料。=陶瓷粉體的制備主要包含固相反應法、液相反應法和氣相反應法3大類。其中固相反應法特點是成本較低、便于批量化生產，但雜質較多，主要包括碳熱還原法〔碳化硅（SiC）粉體、氧氮化鋁（AlON）粉體）〕、高溫固相合成法（鎂鋁尖晶石粉體、鈦酸鋇粉體等）、自蔓延合成法氮化硅〔（Si3N4）粉體等300余種〕和鹽類分解法〔三氧化二鋁（Al2O3）粉體〕等。復合材料一定是一種以上的材料或組分組成的材料。

碳化硅多孔陶瓷材料具有如下特點：(1)物理和化學性質穩定：碳化硅多孔陶瓷材料可以耐酸、堿腐蝕，也能夠承受高溫、高壓，自身潔凈狀態好，不會造成二次污染，是一種綠色環保的功能材料；(2)過濾精度高，再生性能好：用作過濾材料的多孔陶瓷材料具有較窄的孔徑分布范圍和較高的氣孔率與比表面積，被過濾物與陶瓷材料充分接觸，其中的懸浮物、膠體物及微生物等污染物質被阻截在過濾介質表面或內部，過濾效果良好。碳化硅多孔陶瓷過濾材料經過一段時間的使用后，用氣體或者液體進行反沖洗，即可恢復原有的過濾能力。碳化硅陶瓷的燒結方法各有不同，也造就了其性能各有不同。碳化硅陶瓷環

碳化硅陶瓷具有較好的適應外界環境的能力，能夠滿足抗腐蝕環境。碳化硅陶瓷環

實驗表明，采用無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結的SiC陶瓷具有各異的性能特點。如就燒結密度和抗彎強度來說，熱壓燒結和熱等靜壓燒結SiC陶瓷相對較多，反應燒結SiC相對較低。另一方面，SiC陶瓷的力學性能還隨燒結添加劑的不同而不同。無壓燒結、熱壓燒結和反應燒結SiC陶瓷對強酸、強堿具有良好的抵抗力，但反應燒結SiC陶瓷對HF等較強酸的抗蝕性較差。就耐高溫性能比較來看，當溫度低于900℃時，幾乎所有SiC陶瓷強度均有所提高；當溫度超過1400℃時，反應燒結SiC陶瓷抗彎強度急劇下降。（這是由于燒結體中含有一定量的游離Si，當超過一定溫度抗彎強度急劇下降所致）對于無壓燒結和熱等靜壓燒結的SiC陶瓷，其耐高溫性能主要受添加劑種類的影響。碳化硅陶瓷環

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