熔融和混合鍵合系統：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或層轉移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統；EVG320自動化單晶圓清洗系統；EVG810LT低溫等離子基活系統；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。 烘烤/冷卻模塊-適用于GEMINI用于在涂布后和鍵合之前加工粘合劑層。EVG850 DB鍵合機優惠價格

該技術用于封裝敏感的電子組件，以保護它們免受損壞，污染，濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統（MEMS）行業相關聯，在該行業中，陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優點是，它可以產生牢固而持久的鍵合，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限，并且材料組合還存在其他限制，因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數-也就是說，它們在加熱時需要以相似的速率膨脹，否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。

      而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題，如果需要了解，請點擊：鍵合機。 EVG850 DB鍵合機優惠價格晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

EVG®520IS晶圓鍵合機系統：

單腔或雙腔晶圓鍵合系統，用于小批量生產。

EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓，適用于小批量生產應用。EVG520IS根據客戶反饋和EVGroup的持續技術創新進行了重新設計，具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設計。諸如**的頂側和底側加熱器，高壓鍵合能力以及與手動系統相同的材料和工藝靈活性等優勢，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。

特征：

全自動處理，手動裝卸，包括外部冷卻站

兼容EVG機械和光學對準器

單室或雙室自動化系統

全自動的鍵合工藝執行和鍵合蓋移動

集成式冷卻站可實現高產量

選項：

高真空能力（1E-6毫巴）

可編程質量流量控制器

集成冷卻

技術數據

蕞大接觸力

10、20、60、100kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標準：1E-5mbar

可選：1E-6mbar

EVG®850TB臨時鍵合機特征：

開放式膠粘劑平臺；

各種載體（硅，玻璃，藍寶石等）；

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；

提供多種裝載端口選項和組合；

程序控制系統；

實時監控和記錄所有相關過程參數；

完全集成的SECS/GEM接口；

可選的集成在線計量模塊，用于自動反饋回路；

技術數據：

晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米，可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態

外套模塊

帶有多個熱板的烘烤模塊

通過光學或機械對準來對準模塊

鍵合模塊：

選件

在線計量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。

目前關于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結構的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。

      本文針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實現表面帶有微結構硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環境要求苛刻的問題。

在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發生流動、互 融，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高，即當金層 發生氧化就會影響鍵合質量。 EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？EVG850 DB鍵合機優惠價格

晶圓鍵合機（系統）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統 ；擁有EVG?501 鍵合機所有功能。EVG850 DB鍵合機優惠價格

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片，因為硅是當***行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件，這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器。EVG850 DB鍵合機優惠價格