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山東鍵合機質量怎么樣

來源: 發布時間:2025-04-01

EVG®6200BA自動鍵合對準系統 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統,用于中等和批量生產 特色 技術數據 EVG鍵合對準系統提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統 支持蕞大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。山東鍵合機質量怎么樣

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共晶鍵合[8,9]是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,以其作為中間鍵合介質層,通過加熱熔融產生金屬—半導體共晶相來實現。因此,中間介質層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質量。中間金屬鍵合介質層種類很多,通常有鋁、金、鈦、鉻、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,但其共晶體的一種成分即為預鍵合材料硅本身,可以降低鍵合工藝難度,且其液相粘結性好,故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質層進 行表面有微結構的硅—硅共晶鍵合技術的研究。而金層與 硅襯底的結合力較弱,故還要加入鈦金屬作為黏結層增強金層與硅襯底的結合力,同時鈦也具有阻擋擴散層的作用, 可以阻止金向硅中擴散[10,11]。 ComBond鍵合機國內代理EVG鍵合機軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,可以簡化用戶常規操作。

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對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底zhizao,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。 

晶圓級封裝的實現可以帶來許多經濟利益。它允許晶圓制造,封裝和測試的集成,從而簡化制造過程。縮短的制造周期時間可提高生產量并降低每單位制造成本。晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節省材料并進一步降低生產成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣范的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機,可以實現晶圓級封裝的功能。 EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統,同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。

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EVG®510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置,用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設計,易于轉換和維護 生產兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計,可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準:0.1毫巴 可選:1E-5mbar EVG鍵合機可配置為黏合劑、陽極、直接/熔融、玻璃料、焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散、熱壓縮工藝。河南鍵合機當地價格

EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的zhuyao市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500套。山東鍵合機質量怎么樣

BONDSCALE與EVG的行業基準GEMINIFBXT自動熔融系統一起出售,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現不同材料,高質量工程襯底以及薄硅層轉移應用的異質集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產熔融系統的技術數據晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統4個裝載口特征:多達八個預處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現ZUI高吞吐量光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ 山東鍵合機質量怎么樣

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