EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng),屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的。值得買鍵合機聯(lián)系電話
SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng),用于通用對準。
全自動鍵合對準系統(tǒng),采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。
用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術(shù)對于在嶺先技術(shù)的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關(guān)重要。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。
特征:
適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。
用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 高精密儀器鍵合機代理價格鍵合機供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。
EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)
晶圓直徑(基板尺寸)
200、100-300毫米
清潔系統(tǒng)
開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂
腔室:由PP或PFA制成(可選)
清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選)
旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成
旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi))
超音速噴嘴
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:30-60W
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效清潔區(qū)域:?4.0mm
材質(zhì):聚四氟乙烯
兆聲區(qū)域傳感器
可選的
頻率:1MHz(3MHz選件)
輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)
去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘
有效的清潔區(qū)域:三角形,確保每次旋轉(zhuǎn)時整個晶片的輻射均勻性
材質(zhì):不銹鋼和藍寶石
刷的參數(shù):
材質(zhì):PVA
可編程參數(shù):刷子和晶圓速度(rpm)
可調(diào)參數(shù)(刷壓縮,介質(zhì)分配)
自動化晶圓處理系統(tǒng)
掃描區(qū)域兼容晶圓處理機器人領(lǐng)域EVG320,使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作,達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染。
可選功能:ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644)
EVG®520IS晶圓鍵合機系統(tǒng):
單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),用于小批量生產(chǎn)。
EVG520IS單腔單元可半自動操作蕞大200mm的晶圓,適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進行了重新設(shè)計,具有EVGroup專有的對稱快速加熱和冷卻卡盤設(shè)計。諸如獨立的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,高壓鍵合能力以及與手動系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻。
特征:
全自動處理,手動裝卸,包括外部冷卻站
兼容EVG機械和光學(xué)對準器
單室或雙室自動化系統(tǒng)
全自動的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動
集成式冷卻站可實現(xiàn)高產(chǎn)量
選項:
高真空能力(1E-6毫巴)
可編程質(zhì)量流量控制器
集成冷卻
技術(shù)數(shù)據(jù)
蕞大接觸力
10、20、60、100kN
加熱器尺寸150毫米200毫米
蕞小基板尺寸單芯片100毫米
真空
標準:1E-5mbar
可選:1E-6mbar 鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用很實用的技術(shù)。
Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準問題,實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。山東當?shù)貎r格鍵合機
晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。值得買鍵合機聯(lián)系電話
用晶圓級封裝制造的組件被廣 泛用于手機等消費電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對更小,更輕的電子設(shè)備的需求,這些電子設(shè)備可以以越來越復(fù)雜的方式使用。例如,除了簡單的通話外,許多手機還具有多種功能,例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如,它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng),可植入醫(yī)療設(shè)備,軍 事數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。
晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更廣 泛的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。 值得買鍵合機聯(lián)系電話
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