EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置,用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級用于陽極鍵合 開室設計,易于轉換和維護 生產兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計,可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準:0.1毫巴 可選:1E-5mbarEVG和岱美經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持。中國澳門鍵合機國內代理
長久鍵合系統 EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業內掀起了市場革命。利用高溫和受控氣體環境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設備占據了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設計功能,可優化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或gao級封裝的不同市場需求,EVG優化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。ComBond鍵合機有誰在用EVG501 晶圓鍵合機系統:真正的低強度晶圓楔形補償系統,可實現醉高產量;研發和試生產的醉低購置成本。
封裝技術對微機電系統 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術發展和實用化的關鍵技術[1]。實現封裝的技術手段很多,其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發展,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB) 技術[2]。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷,其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,要進行復雜的拋光處理,這大 大加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率[3]。
晶圓級封裝在封裝方式上與傳統制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續進行測試之前應用封裝和引線,而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發生在晶片切割之前。
像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通??梢耘c其他表面貼裝設備類似地使用。例如,它們通常可以在卷帶機上購買,以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統。 EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數據記錄。
臨時鍵合系統:
臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到了體現,該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統;EVG820涂敷系統;EVG850TB臨時鍵合系統;EVG850DB自動解鍵合系統。 EVG的各種鍵合對準(對位)系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。上海美元價格鍵合機
業內主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。中國澳門鍵合機國內代理
完美的多用戶概念(無限數量的用戶帳戶,各種訪問權限,不同的用戶界面語言) 桌面系統設計,占用空間蕞小 支持紅外對準過程 EVG?610BA鍵合機技術數據 常規系統配置 桌面 系統機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統 標準:2個卡帶站 可選:蕞多5個站中國澳門鍵合機國內代理
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