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臨時鍵合鍵合機芯片堆疊應用

來源: 發布時間:2021-05-18

EVG®850TB臨時鍵合機特征:

開放式膠粘劑平臺;

各種載體(硅,玻璃,藍寶石等);

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能;

提供多種裝載端口選項和組合;

程序控制系統;

實時監控和記錄所有相關過程參數;

完全集成的SECS/GEM接口;

可選的集成在線計量模塊,用于自動反饋回路;



技術數據:

晶圓直徑(基板尺寸):蕞長300毫米,可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態

外套模塊

帶有多個熱板的烘烤模塊

通過光學或機械對準來對準模塊

鍵合模塊:

選件

在線計量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 在不需重新配置硬件的情況下,EVG鍵合機可以在真空下執行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預鍵合。臨時鍵合鍵合機芯片堆疊應用

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統,可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發機構或小批量生產。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產)工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉移,這樣可以輕松擴大生產量。湖南SmartView NT鍵合機EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術。

業內主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。

奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。

根據型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50 mm至300 mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產、研發,并且可以通過簡單的方法進行大批量生產,因為鍵合程序可以轉移到EVG GEMINI大批量生產系統中。

EVG®301特征

使用1MHz的超音速噴嘴或區域傳感器(可選)進行高/效清潔

單面清潔刷(選件)

用于晶圓清洗的稀釋化學品

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程

選件

帶有紅外檢查的預鍵合臺

非SEMI標準基材的工具

技術數據

晶圓直徑(基板尺寸):200和100-300毫米

清潔系統

開室,旋轉器和清潔臂

腔室:由PP或PFA制成(可選)

清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)

旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉:蕞高3000rpm(5秒內)

超音速噴嘴

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:30-60W

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區域:?4.0mm

材質:聚四氟乙烯 除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級和先進封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發,中試和批量生產。

BONDSCALE?自動化生產熔融系統

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術數據

EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用,包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法,例如單片3D(M3D)。借助BONDSCALE,EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中,并幫助解決內部設備和系統路線圖(IRDS)中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰。結合增強的邊緣對準技術,與現有的熔融鍵合平臺相比,BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產率,并降低了擁有成本(CoO)。 EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。氮化鎵鍵合機自動化測量

EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統,擴展了現有標準,并擁有更高的生產率,更高的對準和涂敷精度。臨時鍵合鍵合機芯片堆疊應用

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。

      imec 3D系統集成兼項目總監兼Eric Beyne表示:“在imec,我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EV Group等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業界標準間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半。” 臨時鍵合鍵合機芯片堆疊應用

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