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中國香港光刻機有誰在用

來源: 發布時間:2020-01-14

EVG的光刻機技術:EVG在光刻技術上的關鍵能力在于其掩模對準器的高產能,接觸和接近曝光功能以及其光刻膠處理系統的內部處理的相關知識。EVG的所有光刻設備平臺均支持300毫米的晶圓,可以完全集成到其HERCULES光刻軌道系統中,并配有用于從上到下的側面對準驗證的度量工具。

EVG不斷展望未來的市場趨勢,因此提供了針對特定應用的解決方案,尤其是在光學3D傳感和光子學市場中,其****的EVG的工藝和材料專業知識-源自對各種光刻膠材料進行的廣/泛優化研究。了解客戶需求并提供有效的全球支持是EVG光刻解決方案成功的重要因素。 EVG101光刻膠處理機可支持**/大300 mm的晶圓。中國香港光刻機有誰在用

EVG®610 掩模對準系統

■   晶圓規格

:100 mm / 150 mm / 200 mm

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   用于雙面對準高/分辨率頂部和底部分裂場顯微鏡

■   軟件,硬件,真空和接近式曝光

■   自動楔形補償

■   鍵合對準和NIL可選

■   支持**/新的UV-LED技術

EVG®620 NT / EVG®6200 NT

掩模對準系統(自動化和半自動化)

■   晶圓產品規格

:150 mm / 200 mm

■   接近式楔形錯誤補償

■   多種規格晶圓轉換時間少于5分鐘

■   初次印刷高達180 wph / 自動對準模式為140 wph

■   可選**的抗震型花崗巖平臺

■   動態對準實時補償偏移

■   支持**/新的UV-LED技術 福建晶圓光刻機EVG所有光刻設備平臺均為300mm。

EVG ® 610曝光源:

汞光源/紫外線LED光源

楔形補償

全自動軟件控制

晶圓直徑(基板尺寸)

高達100/150/200毫米


曝光設定:

真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式

曝光選項:

間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光

先進的對準功能:

手動對準/原位對準驗證

手動交叉校正

大間隙對準


EVG ® 610光刻機系統控制:

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無限制程序和參數

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除

使用的納米壓印光刻技術為“無紫外線”

EVG也提供量產型掩模對準系統。對于在微米范圍內的光刻圖形,掩模對準器是**/具成本效益的技術,與其他解決方案相比,每層可節省30%以上的成本,這對用戶來說是至關重要的。EVG的大批量制造系統旨在以**/佳的成本效率與**/高的技術標準相結合,并由卓/越的全球服務基礎設施提供支持。**重要的是,大焦深曝光光學系統完美匹配大批量生產中的厚抗蝕劑,表面形貌和非平面基片的圖形。在全球范圍內,我們為許多客戶提供了量產型的光刻機系統,得到了他們的無數好評。EVG所有掩模對準器都支持EVG專有的NIL技術。

HERCULES 光刻軌道系統技術數據:

對準方式:

上側對準:≤±0.5 μm;

底側對準:≤±1,0 μm;

紅外校準:≤±2,0 μm /具體取決于基材


先進的對準功能:

手動對準;

自動對準;

動態對準。


對準偏移校正:

自動交叉校正/手動交叉校正;

大間隙對準。


工業自動化功能:盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理

曝光源:汞光源/紫外線LED光源

曝光設定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式


楔形補償:全自動軟件控制;非接觸式

曝光選項:

間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光


系統控制

操作系統:Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數

多語言用戶GUI和支持:CN,DE,FR,IT,JP,KR

實時遠程訪問,診斷和故障排除 EVG610 掩模對準系統,支持的晶圓尺寸:100 mm / 150 mm / 200 mm。晶圓光刻機聯系電話

EVG在1985年發明了世界上第/一個底部對準系統,對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創并建立了行業標準。中國香港光刻機有誰在用

EVG ® 105—晶圓烘烤模塊

設計理念:單機EVG ® 105烘烤模塊是專為軟或后曝光烘烤過程而設計。

特點:可以在EVG105烘烤模塊上執行軟烘烤,曝光后烘烤和硬烘烤過程。受控的烘烤環境可確保均勻蒸發。可編程的接近銷可提供對光刻膠硬化過程和溫度曲線的**/佳控制。EVG105烘烤模塊可以同時處理300 mm的晶圓尺寸或4個100 mm的晶圓。


特征

**烘烤模塊

晶片尺寸**/大為300毫米,或同時**多四個100毫米晶片

溫度均勻性≤±1°C @ 100°C,**/高250°C烘烤溫度

用于手動和安全地裝載/卸載晶片的裝載銷

烘烤定時器

基材真空(直接接觸烘烤)

N 2吹掃和近程烘烤0-1 mm距離晶片至加熱板可選

不規則形狀的基材


技術數據

晶圓直徑(基板尺寸):高達300毫米

烤盤:

溫度范圍:≤250°C


手動將升降桿調整到所需的接近間隙


中國香港光刻機有誰在用

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