晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應用封裝和引線,而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。
像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設備類似地使用。例如,它們通常可以在卷帶機上購買,以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng)。 EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,快速加熱和冷卻。廣東研究所鍵合機
EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準,用于內部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數據 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:3個卡帶站 可選:蕞多5個站海南鍵合機現場服務除了支持3D互連和MEMS制造,晶圓級和先進封裝外,EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發(fā),中試和批量生產。
熔融和混合鍵合系統(tǒng):
熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或層轉移應用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。
混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。
EVG的熔融和混合鍵合設備包含:EVG301單晶圓清洗系統(tǒng);EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng);EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng);EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統(tǒng);EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統(tǒng);GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng);BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統(tǒng)。
EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動無應力層壓到晶圓上 特色 技術數據 EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,無應力地層壓到載體晶片上。這項獨特的層壓技術可對卷筒上的膠帶進行打孔,然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術,可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關。 特征 將任何類型的干膠膜自動,無應力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準的層壓 保護套剝離 干膜層壓站可被集成到一個EVG?850TB臨時鍵合系統(tǒng) 技術數據 晶圓直徑(基板尺寸) 高達300毫米 組態(tài) 1個打孔單元 底側保護襯套剝離 層壓 選件 頂側保護膜剝離 光學對準 加熱層壓 對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。
引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中,這是因為其成本效率高且易于應用。在蕞佳環(huán)境中,每秒蕞多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。
盡管球形鍵合的蕞佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。當銅用于球焊時,氮氣以氣態(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 針對高級封裝,MEMS,3D集成等不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個鍵合模塊。半導體鍵合機供應商
業(yè)內主流鍵合機使用工藝:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(含共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴散/熱壓縮。廣東研究所鍵合機
EVG®810LT技術數據
晶圓直徑(基板尺寸)
50-200、100-300毫米
LowTemp?等離子活化室
工藝氣體:2種標準工藝氣體(N2和O2)
通用質量流量控制器:自校準(高達20.000sccm)
真空系統(tǒng):9x10-2mbar
腔室的打開/關閉:自動化
腔室的加載/卸載:手動(將晶圓/基板放置在加載銷上)
可選功能:
卡盤適用于不同的晶圓尺寸
無金屬離子活化
混合氣體的其他工藝氣體
帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng):9x10-3mbar基本壓力
符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統(tǒng)
Si:Si/Si,Si/Si(熱氧化,Si(熱氧化)/
Si(熱氧化)
TEOS/TEOS(熱氧化)
絕緣體鍺(GeOI)的Si/Ge
Si/Si3N4
玻璃(無堿浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃
化合物半導體:GaAs,GaP,InP
聚合物:PMMA,環(huán)烯烴聚合物
用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方(可根據要求提供完整列表)
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岱美儀器技術服務(上海)有限公司致力于儀器儀表,是一家其他型的公司。公司自成立以來,以質量為發(fā)展,讓匠心彌散在每個細節(jié),公司旗下磁記錄,半導體,光通訊生產,測試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛。公司從事儀器儀表多年,有著創(chuàng)新的設計、強大的技術,還有一批**的專業(yè)化的隊伍,確保為客戶提供良好的產品及服務。岱美儀器技術服務秉承“客戶為尊、服務為榮、創(chuàng)意為先、技術為實”的經營理念,全力打造公司的重點競爭力。