用晶圓級封裝制造的組件被***用于手機等消費電子產品中。這主要是由于市場對更小，更輕的電子設備的需求，這些電子設備可以以越來越復雜的方式使用。例如，除了簡單的通話外，許多手機還具有多種功能，例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應用中。例如，它們用于汽車輪胎壓力監測系統，可植入醫療設備，***數據傳輸系統等。

晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節省材料并進一步降低生產成本。然而，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產品中。晶圓級封裝的主要市場驅動因素之一是需要更小的組件尺寸，尤其是減小封裝高度。 對于無夾層鍵合工藝，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。新疆鍵合機值得買

熔融和混合鍵合系統：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或層轉移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統；EVG320自動化單晶圓清洗系統；EVG810LT低溫等離子基活系統；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。 廣西鍵合機研發可以用嗎EVG鍵合機也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。

BONDSCALE?自動化生產熔融系統

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術數據

EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰。結合增強的邊緣對準技術，與現有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語，但由于涉及更多的變量，因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起，在電子設備上執行引線鍵合過程，但是由于項目的精致性，由于它們的導電性和相對鍵合溫度，通常*應用金，鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量，超聲波能量和微量壓力的技術，可避免損壞電子電路。如果執行不當，很容易損壞微芯片或相應的焊盤，因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習，然后再嘗試進行引線鍵合。EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程是怎么樣的呢？

EVG®810LT技術數據

晶圓直徑（基板尺寸）

50-200、100-300毫米

LowTemp?等離子活化室

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用質量流量控制器：自校準（高達20.000sccm）

真空系統：9x10-2mbar

腔室的打開/關閉：自動化

腔室的加載/卸載：手動（將晶圓/基板放置在加載銷上）

可選功能：

卡盤適用于不同的晶圓尺寸

無金屬離子活化

混合氣體的其他工藝氣體

帶有渦輪泵的高真空系統：9x10-3mbar基本壓力

符合LowTemp?等離子活化粘結的材料系統

Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/

Si（熱氧化）

TEOS/TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si/Ge

Si/Si3N4

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環烯烴聚合物

用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據要求提供完整列表）

EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。新疆實際價格鍵合機

自動晶圓鍵合機系統EVG?560，擁有多達4個鍵合室，能滿足各種鍵合操作；可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。新疆鍵合機值得買

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。新疆鍵合機值得買

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