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EVG540鍵合機聯系電話

來源: 發布時間:2020-05-12

Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器(面對面,背面,紅外和透明對準) 無需Z軸運動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統,EVG ? 300系列清潔系統和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統 技術數據 基板/晶圓參數 尺寸:150-200、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 標準 處理系統 3個紙盒站(蕞/大200毫米)或2個FOUP加載端口(300毫米)EVG鍵合機軟件,支持多語言,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,可以簡化用戶常規操作。EVG540鍵合機聯系電話

EVG320技術數據

晶圓直徑(基板尺寸)

200、100-300毫米

清潔系統

開室,旋轉器和清潔臂

腔室:由PP或PFA制成(可選)

清潔介質:去離子水(標準),其他清潔介質(可選)

旋轉卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉:蕞高3000rpm(5秒內)

超音速噴嘴

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:30-60W

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區域:?4.0mm

材質:聚四氟乙烯



兆聲區域傳感器

可選的

頻率:1MHz(3MHz選件)

輸出功率:蕞大2.5W/cm2有效面積(蕞大輸出200W)

去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區域:三角形,確保每次旋轉時整個晶片的輻射均勻性

材質:不銹鋼和藍寶石


刷的參數:

材質:PVA

可編程參數:刷子和晶圓速度(rpm)

可調參數(刷壓縮,介質分配)

自動化晶圓處理系統

掃描區域兼容晶圓處理機器人領域EVG320,使24小時自動化盒對盒或FOUP到FOUP操作,達到蕞高吞吐量。與晶圓接觸的表面不會引起任何金屬離子污染。

可選功能:ISO3mini-environment(根據ISO14644) 微流控鍵合機用途是什么GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。

1) 由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出,該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時,解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環測試結果可以看出,該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境,且具有工藝溫度低,容易實現圖 形化,應力匹配度高等優點。

3) 由破壞性試驗結果可以看出,該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高,鍵合效果不太理想,還需對工藝流程進 一步優化,對工藝參數進行改進,以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。

從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設備上執行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常僅應用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術,可避免損壞電子電路。如果執行不當,很容易損壞微芯片或相應的焊盤,因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習,然后再嘗試進行引線鍵合。EVG鍵合機鍵合卡盤承載來自對準器對準的晶圓堆疊,用來執行隨后的鍵合過程。

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層,晶圓級封裝,工程襯底制造,晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來,這些工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底,例如SOI(絕緣體上硅)。 主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。同時,EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業標準。EVG?500系列鍵合模塊-適用于GEMINI,支持除紫外線固化膠以外的所有主流鍵合工藝。高校鍵合機測樣

EVG的各種鍵合對準(對位)系統配置為各種MEMS和IC研發生產應用提供了多種優勢。EVG540鍵合機聯系電話

Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)今 日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini FB 產品融合鍵合機和 SmartView NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當的對準和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設備經過優化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度,此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產 (HVM) 鋪平了道路。” EVG540鍵合機聯系電話

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