電介質(zhì)成千上萬的電解質(zhì)薄膜被用于光學，半導(dǎo)體，以及其它數(shù)十個行業(yè), 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質(zhì)有:二氧化硅 – **簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應(yīng)規(guī)范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質(zhì)困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統(tǒng)能在幾秒鐘內(nèi) “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!測量SU-8 其它厚光刻膠的厚度有特別重要的應(yīng)用。ITO導(dǎo)電膜膜厚儀推薦廠家

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術(shù)用來尋找并確定集成電路內(nèi)的故障原因。

故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統(tǒng)的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術(shù)正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質(zhì)薄化后剩余電介質(zhì)的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統(tǒng)成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關(guān)鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設(shè)計的系統(tǒng)。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。

測量范例現(xiàn)在我們使用我們的 F3-s1550 系統(tǒng)測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設(shè)計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度 Filmetrics Profilm3D膜厚儀有哪些品牌厚度范圍: 測量從 1nm 到 13mm 的厚度。 測量 70nm 到 10um 薄膜的折射率。

平臺和平臺附件標準和**平臺。

CS-1可升級接觸式SS-3樣品臺，可測波長范圍190-1700nm

SS-36“×6” 樣品平臺，F(xiàn)20 系統(tǒng)的標準配置。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，103 mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-3-88“×8” 樣品平臺。可調(diào)節(jié)鏡頭高度，139mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-3-24F20 的 24“×24” 樣品平臺。 可調(diào)節(jié)鏡頭高度，550mm 進深。 適用所有波長范圍。

SS-56" x 6" 吋樣品臺，具有可調(diào)整焦距的反射光學配件，需搭配具有APC接頭的光纖，全波長范圍使用

樣品壓重-SS-3-50

樣品壓重 SS-3 平臺, 50mm x 50mm

樣品壓重-SS-3-110

樣品壓重 SS-3 平臺, 110mm x 110mm

F30 系列監(jiān)控薄膜沉積，**強有力的工具F30 光譜反射率系統(tǒng)能實時測量沉積率、沉積層厚度、光學常數(shù) (n 和 k 值) 和半導(dǎo)體以及電介質(zhì)層的均勻性。

樣品層分子束外延和金屬有機化學氣相沉積: 可以測量平滑和半透明的，或輕度吸收的薄膜。 這實際上包括從氮化鎵鋁到鎵銦磷砷的任何半導(dǎo)體材料。

各項優(yōu)點:極大地提高生產(chǎn)力低成本 —幾個月就能收回成本A精確 — 測量精度高于 ±1%快速 — 幾秒鐘完成測量非侵入式 — 完全在沉積室以外進行測試易于使用 — 直觀的 Windows? 軟件幾分鐘就能準備好的系統(tǒng)

型號厚度范圍*波長范圍

F30:15nm-70μm 380-1050nm

F30-EXR:15nm - 250μm 380-1700nm

F30-NIR:100nm - 250μm 950-1700nm

F30-UV:3nm-40μm 190-1100nm

F30-UVX:3nm - 250μm 190-1700nm

F30-XT:0.2μm - 450μm1440-1690nm F40-EXR范圍：20nm-120μm；波長：400-1700nm。

濾光片整平光譜響應(yīng)。

ND#0.5 衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#0.5 衰減整平濾波器.

ND#1 衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#1 衰減整平濾波器.

ND#2 衰減整平濾波器.單倍整平濾波器用于改善可見光光譜均勻度 + ND#2 衰減整平濾波器.

420nm 高通濾波器.420nm 高通濾波器於濾波器架.

515nm 高通濾波器.515nm 高通濾波器於濾波器架.

520nm 高通濾波器 +ND1.520nm 高通濾波器 + ND#1 十倍衰減整平濾波器.

520nm 高通濾波器 + ND#2520nm 高通濾波器 + ND#2 一百倍衰減整平濾波器.

550nm 高通濾波器550nm 高通濾波器於濾波器架. 基板材料: 如果薄膜位于粗糙基板 (大多數(shù)金屬) 上的話，一般不能測量薄膜的折射率。有機發(fā)光膜厚儀原產(chǎn)地

FSM413SP半自動機臺人工取放芯片。ITO導(dǎo)電膜膜厚儀推薦廠家

F3-CS：

Filmetrics的F3-CS 專門為了微小視野及微小樣品測量設(shè)計, 任何人從**操作到研&發(fā)人員都可以此簡易USB供電系統(tǒng)在數(shù)秒鐘內(nèi)測量如聚對二甲苯和真空鍍膜層厚度.

我們具專利的自動校正功能大幅縮短測量設(shè)置並可自動調(diào)節(jié)儀器的靈敏度, 使用免手持測量模式時, 只需簡單地將樣品面朝下放置在平臺上測量樣品 , 此時該系統(tǒng)已具備可測量數(shù)百種膜層所必要的一切設(shè)置不管膜層是否在透明或不透明基底上.

快速厚度測量可選配FILMeasure厚度測量軟件使厚度測量就像在平臺上放置你的樣品一樣容易, 軟件內(nèi)建所有常見的電介質(zhì)和半導(dǎo)體層（包括C，N和HT型聚對二甲苯）的光學常數(shù)(n和k）,厚度結(jié)果會及時的以直覺的測量結(jié)果顯示對于進階使用者，可以進一步以F3-CS測量折射率, F3-CS可在任何運行Windows XP到 Windows8 64位作業(yè)系統(tǒng)的計算機上運行, USB電纜則提供電源和通信功能. ITO導(dǎo)電膜膜厚儀推薦廠家

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主要經(jīng)營范圍是儀器儀表，擁有一支專業(yè)技術(shù)團隊和良好的市場口碑。公司自成立以來，以質(zhì)量為發(fā)展，讓匠心彌散在每個細節(jié)，公司旗下磁記錄，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn)，測試儀器的批發(fā)深受客戶的喜愛。公司從事儀器儀表多年，有著創(chuàng)新的設(shè)計、強大的技術(shù)，還有一批**的專業(yè)化的隊伍，確保為客戶提供良好的產(chǎn)品及服務(wù)。岱美儀器技術(shù)服務(wù)憑借創(chuàng)新的產(chǎn)品、專業(yè)的服務(wù)、眾多的成功案例積累起來的聲譽和口碑，讓企業(yè)發(fā)展再上新高。