EVG®850SOI的自動化生產鍵合系統 自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 SOI晶片是微電子行業有望生產出更快，性能更高的微電子設備的有希望的新基礎材料。晶圓鍵合技術是SOI晶圓制造工藝的一項關鍵技術，可在絕緣基板上實現高質量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產鍵合系統，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準到預鍵合和紅外檢查-都結合了起來。因此，EVG850確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產量生產工藝。EVG850是wei一在高通量，高產量環境下運行的生產系統，已被確立為SOI晶圓市場的行業標準。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。四川鍵合機測樣

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結合，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計，注重用戶友好性，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統都可以遠程通信。因此，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件，對包括經過現場驗證的，實時遠程診斷和排除故障。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持，這得益于我們分布于全球的支持結構，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).中國香港HVM鍵合機EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。

EVG?540自動晶圓鍵合機系統全自動晶圓鍵合系統，適用于蕞/大300mm的基板技術數據EVG540自動化晶圓鍵合系統是一種自動化的單腔室生產鍵合機，設計用于中試線生產以及用于晶圓級封裝，3D互連和MEMS應用的大批量生產的研發。EVG540鍵合機基于模塊化設計，為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發到大規模生產的全集成生產鍵合系統過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機，蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術數據蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設計，并結合了EVG手動鍵合系統的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產量的生產鍵合。機器人處理系統會自動加載和卸載處理室。

EVG?6200BA自動鍵合對準系統 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統，用于中等和批量生產 特色 技術數據 EVG鍵合對準系統提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性，模塊化升級功能，并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面晶圓級涂層、封裝，工程襯底知造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）。

1) 由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖 形化，應力匹配度高等優點。

3) 由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進 一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 EVG鍵合機也可以通過添加電源來執行陽極鍵合。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。EVG805鍵合機聯系電話

針對高級封裝，MEMS，3D集成等不同市場需求，EVG優化了用于對準的多個鍵合模塊。四川鍵合機測樣

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環境要求苛刻的問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。四川鍵合機測樣

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