HERCULES 光刻軌道系統

所述HERCULES ®是一個高容量的平臺整合整個光刻工藝流在一個系統中，縮小處理工序和操作者支持。

HERCULES基于模塊化平臺，將EVG建立的光學掩模對準技術與集成的晶圓清洗，光刻膠涂層，烘烤和光刻膠顯影模塊相結合。HERCULES支持各種晶片尺寸的盒到盒處理。HERCULES安全地處理厚，彎曲度高，矩形，小直徑的晶圓，甚至可以處理設備托盤。精密的頂側和底側對準以及亞微米至超厚（**/大300微米）光刻膠的涂層可用于夾層和鈍化應用。出色的對準臺設計可實現高產量的高精度對準和曝光結果。

HERCULES 全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時、大間隙、晶圓平面或紅外對準，在可編程位置自動定位。浙江光刻機可以試用嗎

EVG120特征2：

先進且經過現場驗證的機器人具有雙末端執行器功能，可確保連續的高產量；

工藝技術卓/越和開發服務：

多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

智能過程控制和數據分析功能[Framework SW Platform]

用于過程和機器控制的集成分析功能

設備和過程性能跟/蹤功能；

并行/排隊任務處理功能；

智能處理功能；

發生和警報分析；

智能維護管理和跟/蹤；

技術數據：

可用模塊；

旋涂/ OmniSpray ® /開發；

烤/冷；

晶圓處理選項：

單/雙EE /邊緣處理/晶圓翻轉；

彎曲/翹曲/薄晶圓處理。

中科院光刻機免稅價格EVG101光刻膠處理機可支持**/大300 mm的晶圓。

EVG120光刻膠自動處理系統：

智能過程控制和數據分析功能（框架軟件平臺）

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能

設備和過程性能跟/蹤功能

智能處理功能：

事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤

晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米

模塊數：

工藝模塊：2

烘烤/冷卻模塊：**多10個

工業自動化功能：Ergo裝載盒式工作站/

SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口

分配選項：

各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達52000 cP的粘度

液體底漆/預濕/洗盤

去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）

恒壓分配系統/注射器分配系統

電阻分配泵具有流量監控功能

可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸

超音波

EVG620 NT技術數據：

曝光源：

汞光源/紫外線LED光源

先進的對準功能：

手動對準/原位對準驗證

自動對準

動態對準/自動邊緣對準

對準偏移校正算法

EVG620 NT產量:

全自動：第/一批生產量：每小時180片

全自動：吞吐量對準：每小時140片晶圓

晶圓直徑（基板尺寸）：高達150毫米

對準方式：

上側對準：≤±0.5 μm

底側對準：≤±1,0 μm

紅外校準：≤±2,0 μm /具體取決于基材

鍵對準：≤±2,0 μm

NIL對準：≤±3.0 μm

曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式

楔形補償：全自動軟件控制

曝光選項：間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光

系統控制：

操作系統：Windows

文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數

多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR

實時遠程訪問，診斷和故障排除

工業自動化功能：

盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理

納米壓印光刻技術：SmartNIL ® 所有系統均支持原位對準驗證的軟件，可以提高手動操作系統的對準精度和可重復性。

EVG620 NT或完全容納的EVG620

NT Gen2掩模對準系統配備了集成的振動隔離功能，可在各種應用中實現出色的曝光效果，例如，對薄而厚的光刻膠進行曝光，對深腔進行構圖并形成可比的形貌，以及對薄而易碎的材料（例如化合物半導體）進行加工。此外，半自動和全自動系統配置均支持EVG專有的SmartNIL技術。

EVG620 NT特征：

晶圓/基板尺寸從小到150 mm /

6''

系統設計支持光刻工藝的多功能性

易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列 EVG光刻機的掩模對準器和工藝能力經過客戶現場驗證，安裝并集成在全球各地的用戶系統中。上海光刻機價格

EVG在1985年發明了世界上第/一個底部對準系統，對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創并建立了行業標準。浙江光刻機可以試用嗎

EVG ® 150--光刻膠自動處理系統

EVG ® 150是全自動化光刻膠處理系統中提供高吞吐量的性能與在直徑承晶片高達300毫米。

EVG150設計為完全模塊化的平臺，可實現自動噴涂/旋轉/顯影過程和高通量性能。EVG150可確保涂層高度均勻并提高重復性。具有高形貌的晶片可以通過EVG的OmniSpray 技術進行均勻涂覆，而傳統的旋涂技術則受到限制。

EVG ® 150特征：

晶圓尺寸可達300毫米

多達六個過程模塊

可自定義的數量-多達二十個烘烤/冷卻/汽化堆

多達四個FOUP裝載端口或盒式磁帶裝載

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