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中國香港鍵合機三維芯片應用

來源: 發布時間:2020-08-18

Ziptronix Inc. 與 EV Group(簡稱“EVG ”)***宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實現亞微米鍵合后對準精度。方法是在 EVG Gemini FB 產品融合鍵合機和 SmartView NT 鍵合對準機上采用 Ziptronix 的DBI混合鍵合技術。這種方法可用于制造各種應用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲器、上等圖像傳感器和堆棧式系統芯片 (SoC)。

Ziptronix 的首席技術官兼工程副總裁 Paul Enquist 表示:“DBI 混合鍵合技術的性能不受連接間距的限制,只需要可進行測量的適當的對準和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG 的融合鍵合設備經過優化后實現了一致的亞微米鍵合后對準精度,此對準精度上的改進為我們的技術的大批量生產 (HVM) 鋪平了道路。” EVG鍵合可選功能:陽極,UV固化,650℃加熱器。中國香港鍵合機三維芯片應用

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統,高真空晶圓鍵合平臺促進“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術數據,EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標志著EVG獨特的晶圓鍵合設備和技術產品組合中的一個新里程碑,可滿足市場對更復雜的集成工藝的需求ComBond支持的應用領域包括先進的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統的模塊化集群設計提供了高度靈活的平臺,可以針對研發和高通量,大批量制造環境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進了具有不同晶格常數和熱膨脹系數(CTE)的異質材料的鍵合,并通過其獨特的氧化物去除工藝促進了導電鍵界面的形成ComBond高真空技術還可以實現鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環境中會迅速重新氧化。對于所有材料組合,都可以實現無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強度。西藏鍵合機服務為先晶圓鍵合機系統 EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統。

熔融和混合鍵合系統:

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接,該介電層用于工程襯底或層轉移應用,例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合,從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設備包含:EVG301單晶圓清洗系統;EVG320自動化單晶圓清洗系統;EVG810LT低溫等離子基活系統;EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統;GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統;BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。

從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設備上執行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常*應用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術,可避免損壞電子電路。如果執行不當,很容易損壞微芯片或相應的焊盤,因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習,然后再嘗試進行引線鍵合。EVG鍵合機晶圓加工服務包含如下: ComBond? - 硅和化合物半導體的導電鍵合、等離子活化直接鍵合。

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,***用于微電子工業中,利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,它類似于直接鍵合,與大多數其他鍵合技術不同,它通常不需要中間層,但不同之處在于,它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O)。 對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質。新疆鍵合機研發生產

EVG服務:高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖離、黏合劑鍵合。中國香港鍵合機三維芯片應用

該技術用于封裝敏感的電子組件,以保護它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統(MEMS)行業相關聯,在該行業中,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優點是,它可以產生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。

      而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點擊:鍵合機。 中國香港鍵合機三維芯片應用

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