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奧地利鍵合機高性價比選擇

來源: 發布時間:2020-09-27

EVG?6200BA自動鍵合對準系統 用于晶圓間對準的自動化鍵合對準系統,用于中等和批量生產 特色 技術數據 EVG鍵合對準系統提供了蕞/高的精度,靈活性和易用性,模塊化升級功能,并且已經在眾多高通量生產環境中進行了認證。EVG鍵對準器的精度可滿足MEMS生產和3D集成應用等新興領域中蕞苛刻的對準過程。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準 手動或電動對中平臺,帶有自動對中選項 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面鍵合機供應商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。奧地利鍵合機高性價比選擇

SmartView®NT自動鍵合對準系統,用于通用對準。

全自動鍵合對準系統,采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準。

用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在嶺先技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統結合使用,以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。

特征:

適合于自動化和集成EVG鍵合系統(EVG560®,GEMINI®200和300mm配置)。

用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊。 貴州熔融鍵合鍵合機EVG鍵合機可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態液相)和金屬擴散/熱壓縮工藝。

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量,以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,使用恒溫爐進行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環境要求苛刻的問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔**單元。處理室允許進行異位處理(晶圓被一一激/活并結合在等離子體激/活室外部)。 特征 表面等離子體活化,用于低溫粘結(熔融/分子和中間層粘結) 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火(蕞/高400°C)下的蕞/高粘結強度 適用于SOI,MEMS,化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性(包括CMOS)自動晶圓鍵合機系統EVG?560,擁有多達4個鍵合室,能滿足各種鍵合操作;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。

      imec 3D系統集成兼項目總監兼Eric Beyne表示:“在imec,我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EV Group等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業界標準間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半。” 根據鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。晶片鍵合機試用

EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統。奧地利鍵合機高性價比選擇

EV Group開發了MLE?(無掩模曝光)技術,通過消 除與掩模相關的困難和成本,滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發周期的關鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發設備與快 速(但不靈活)的生產之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案,可同時進行裸片和晶圓級設計,支持現有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應性,并具有多級冗余功能,以提高產量和降低擁有成本(CoO)。

EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求,而且還滿足MEMS,生 物醫學和印刷電路板制造的要求。 奧地利鍵合機高性價比選擇

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