晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前，通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產時間和成本方面的優勢，該技術在集成電路行業中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產。通常將純硅錠切成薄片，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后，將它們封裝成單獨的組件，然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。廣東EVG鍵合機

GEMINI ? FB自動化生產晶圓鍵合系統 集成平臺可實現高精度對準和熔融 特色 技術數據 半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統擴展了當前標準，并結合了更高的生產率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。該系統具有新的Smart View NT3鍵合對準器，該鍵合對準器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。襯底鍵合機國內代理EVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法，能夠支持大量不同的對準技術。

EVG?850DB自動解鍵合機系統 全自動解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術數據 在全自動解鍵合機中，經過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設備晶圓始終在整個工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光，熱剝離和機械剝離。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設備晶圓。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動清洗解鍵合晶圓 程序控制系統 實時監控和記錄所有相關過程參數 自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據特定工藝優化了產量 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 高達300毫米 高達12英寸的薄膜面積 組態 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導體中，這是因為其成本效率高且易于應用。在蕞佳環境中，每秒蕞多可以創建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。

      盡管球形鍵合的蕞佳選擇是純金，但由于銅的相對成本和可獲得性，銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置，以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當的位置。沿表面的張力使熔融金屬形成球形，因此得名。當銅用于球焊時，氮氣以氣態形式使用，以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 EVG500系列鍵合機擁有多種鍵合方法，包括陽極，熱壓縮，玻璃料，環氧樹脂，UV和熔融鍵合。

      一旦認為模具有缺陷，墨水標記就會滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中，少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優化芯片恢復率。

      質量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經常會部分丟失。芯片上電路的實際生產需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產方法，不對邊緣上的大多數模具進行進一步處理以節省時間和資源的總成本。

      半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備，可以關注這里：EVG光刻機和鍵合機。 EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。EV Group鍵合機保修期多久

晶圓鍵合機（系統）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統 ；擁有EVG?501 鍵合機所有功能。廣東EVG鍵合機

EVG®810LT LowTemp?等離子激/活系統 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和先進基板鍵合的低溫等離子體活化系統 特色 技術數據 EVG810LTLowTemp?等離子活化系統是具有手動操作的單腔獨立單元。處理室允許進行異位處理（晶圓被一一激/活并結合在等離子體激/活室外部）。 特征 表面等離子體活化，用于低溫粘結（熔融/分子和中間層粘結） 晶圓鍵合機制中蕞快的動力學 無需濕工藝 低溫退火（蕞/高400°C）下的蕞/高粘結強度 適用于SOI，MEMS，化合物半導體和gao級基板鍵合 高度的材料兼容性（包括CMOS）廣東EVG鍵合機

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