表面帶有微結構硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預鍵合的硅片中奪取硅原子，達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質的硅晶圓完成鍵合，達到既定的鍵合質量成為研究重點。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。西藏EVG510鍵合機

 一旦將晶片粘合在一起，就必須測試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過程中產生的一部分產量留給破壞性和非破壞性測試方法使用。破壞性測試方法用于測試成品的整體剪切強度。非破壞性方法用于評估粘合過程中是否出現了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒有缺陷。

      EV Group（EVG）是制造半導體，微機電系統（MEMS），化合物半導體，功率器件和納米技術器件的設備和工藝解決方案的**供應商。主要產品包括晶圓鍵合，薄晶圓加工，光刻/納米壓印光刻（NIL）和計量設備，以及光刻膠涂布機，清潔劑和檢查系統。成立于1980年的EV Group服務于復雜的全球客戶和合作伙伴網絡，并為其提供支持。有關EVG的更多信息，請訪問"鍵合機"。 甘肅BONDSCALE鍵合機EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加，使得負電極，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當的位置。帶負電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達邊界時與硅反應，形成二氧化硅（SiO 2）。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG所有鍵合機系統都可以通過遠程通信的。

1) 由既定拉力測試高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環境要求苛刻的問題。

2) 由高低溫循環測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環境，且具有工藝溫度低，容易實現圖 形化，應力匹配度高等優點。

3) 由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進 一步優化，對工藝參數進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。 EVG鍵合機使用直接（實時）或間接對準方法，能夠支持大量不同的對準技術。寧夏紅外鍵合機

EVG鍵合機通過在高真空，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應用。西藏EVG510鍵合機

針對表面帶有微結構硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象，提出一種表面帶有微結構的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度，使用恒溫爐進行低溫退火，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環境要求苛刻的問題。高低溫循環測試試驗與既定拉力破壞性試驗結果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時，具有工藝溫度低、容易實現圖形化、應力匹配度高等優點。西藏EVG510鍵合機

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