EVG6200 NT特征：
晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''
系統設計支持光刻工藝的多功能性
在第/一次光刻模式下的吞吐量高達180 WPH，在自動對準模式下的吞吐量高達140 WPH
易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時間短
帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列
自動原點功能，用于對準鍵的精確居中
具有實時偏移校正功能的動態對準功能
支持**/新的UV-LED技術
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統
自動化系統上的手動基板裝載功能
可以從半自動版本升級到全自動版本
**小化系統占地面積和設施要求
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
先進的軟件功能以及研發與全/面生產之間的兼容性
便捷處理和轉換重組
遠程技術支持和SECS / GEM兼容性
臺式或帶防震花崗巖臺的單機版 可在眾多應用場景中找到EVG的設備應用，包括高級封裝，化合物半導體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。晶片光刻機美元報價
EVG101光刻膠處理系統的技術數據：
可用模塊：旋涂/ OmniSpray ® /開發
分配選項：
各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達52000 cP的粘度；
液體底漆/預濕/洗盤；
去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）；
恒壓分配系統/注射器分配系統。
智能過程控制和數據分析功能（框架軟件平臺）
用于過程和機器控制的集成分析功能
并行任務/排隊任務處理功能，提高效率
設備和過程性能跟/蹤功能：智能處理功能；事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤
晶圓直徑（基板尺寸）：高達300毫米
湖北晶圓片光刻機我們可以根據您的需求提供進行優化的多用途系統。
EVG620 NT特征2：
自動原點功能，用于對準鍵的精確居中
具有實時偏移校正功能的動態對準功能
支持**/新的UV-LED技術
返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統
自動化系統上的手動基板裝載功能
可以從半自動版本升級到全自動版本
**小化系統占地面積和設施要求
多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）
先進的軟件功能以及研發與全/面生產之間的兼容性
便捷處理和轉換重組
遠程技術支持和SECS / GEM兼容性
EVG620 NT附加功能：
鍵對準
紅外對準
納米壓印光刻（NIL）
HERCULES 光刻軌道系統技術數據：
對準方式：
上側對準：≤±0.5 μm；
底側對準：≤±1,0 μm；
紅外校準：≤±2,0 μm /具體取決于基材
先進的對準功能：
手動對準；
自動對準；
動態對準。
對準偏移校正：
自動交叉校正/手動交叉校正；
大間隙對準。
工業自動化功能：盒式磁帶/ SMIF / FOUP / SECS / GEM /薄，彎曲，翹曲，邊緣晶圓處理
曝光源：汞光源/紫外線LED光源
曝光設定：真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式
楔形補償：全自動軟件控制；非接觸式
曝光選項：
間隔曝光/洪水曝光/扇區曝光
系統控制
操作系統：Windows
文件共享和備份解決方案/無限制 程序和參數
多語言用戶GUI和支持：CN，DE，FR，IT，JP，KR
實時遠程訪問，診斷和故障排除 EVG通過不斷開發掩模對準器來為這些領域做出巨大的貢獻，以提高**重要的光刻技術的水平。
EVG也提供量產型掩模對準系統。對于在微米范圍內的光刻圖形，掩模對準器是**/具成本效益的技術，與其他解決方案相比，每層可節省30％以上的成本，這對用戶來說是至關重要的。EVG的大批量制造系統旨在以**/佳的成本效率與**/高的技術標準相結合，并由卓/越的全球服務基礎設施提供支持。**重要的是，大焦深曝光光學系統完美匹配大批量生產中的厚抗蝕劑，表面形貌和非平面基片的圖形。在全球范圍內，我們為許多客戶提供了量產型的光刻機系統，得到了他們的無數好評。在全球范圍內，我們為許多用戶提供了量產型的光刻機系統，并得到了他們的無數好評。上海光刻機高性價比選擇
EVG光刻機關注未來市場趨勢 - 例如光子學 、光學3D傳感- 并為這些應用開發新的方案和調整現有的解決方案。晶片光刻機美元報價
我們可以根據您的需求提供進行優化的多用途系統。
我們的掩模對準系統設計用于從掩模對準到鍵合對準的快速簡便轉換。此外，可以使用用于壓印光刻的可選工具集，例如UV-納米壓印光刻，熱壓印或微接觸印刷。所有系統均支持原位對準驗證軟件，以提高手動操作系統的對準精度和可重復性。EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動到自動基片處理，實現現場升級。此外，所有掩模對準器都支持EVG專有的NIL技術。如果您需要納米壓印設備，請訪問我們的官網，或者直接聯系我們。 晶片光刻機美元報價
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