IQ Aligner® 自動化掩模對準系統

特色：EVG ® IQ定位儀®平臺用于自動非接觸近距離處理而優化的用于晶片尺寸高達200毫米。

技術數據：IQ Aligner是具有高度自動化程度的非接觸式接近光刻平臺，可滿足將生產線中的掩模污染降至**/低并增加掩模壽命和產品良率的需求。除了多種對準功能外，該系統還通過專門配置進行了廣/泛的安裝和現場驗證，可自動處理和處理翹曲或變薄的晶圓。標準的頂側或底側對準與集成的IR對準功能之間的混合匹配操作進一步拓寬了應用領域，尤其是在與工程或粘合基板對準時。該系統還通過快速響應的溫度控制工具集支持晶片對準跳動控制。 只有以客戶的需求為導向，研發才具有價值，也是我們不斷前進的動力。光刻機技術原理

EVG光刻機簡介

EVG在1985年發明了世界上第/一個底部對準系統，可以在頂部和雙面光刻，對準晶圓鍵合和納米壓印光刻技術方面開創并建立了行業標準。EVG通過不斷開發掩模對準器來為這些領域做出貢獻，以增強**重要的光刻技術。EVG的掩模對準目標是容納高達300 mm的不同的尺寸，形狀和厚度的晶圓和基片，同時為高級應用提供高科技含量的有效解決方案，并為研發提供充分的靈活可選性。EVG光刻機的掩模對準器和工藝能力經過現場驗證，安裝并完美集成在全球各地的用戶系統中，可在眾多應用場景中找到，包括高級封裝，化合物半導體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。 LED光刻機技術支持除了光刻機之外，岱美還代理了EVG的鍵合機等設備。

EVG120光刻膠自動處理系統：

智能過程控制和數據分析功能（框架軟件平臺）

用于過程和機器控制的集成分析功能

并行任務/排隊任務處理功能

設備和過程性能跟/蹤功能

智能處理功能：

事/故和警報分析/智能維護管理和跟/蹤

晶圓直徑（基板尺寸）：高達200毫米

模塊數：

工藝模塊：2

烘烤/冷卻模塊：**多10個

工業自動化功能：Ergo裝載盒式工作站/

SMIF裝載端口/ SECS / GEM / FOUP裝載端口

分配選項：

各種光刻膠分配泵，可覆蓋高達52000 cP的粘度

液體底漆/預濕/洗盤

去除邊緣珠（EBR）/背面沖洗（BSR）

恒壓分配系統/注射器分配系統

電阻分配泵具有流量監控功能

可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸

超音波

EVG6200 NT特征：

晶圓/基板尺寸從小到200 mm /8''

系統設計支持光刻工藝的多功能性

在第/一次光刻模式下的吞吐量高達180 WPH，在自動對準模式下的吞吐量高達140 WPH

易碎，薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理，更換時間短

帶有間隔墊片的自動無接觸楔形補償序列

自動原點功能，用于對準鍵的精確居中

具有實時偏移校正功能的動態對準功能

支持**/新的UV-LED技術

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統

自動化系統上的手動基板裝載功能

可以從半自動版本升級到全自動版本

**小化系統占地面積和設施要求

多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）

先進的軟件功能以及研發與全/面生產之間的兼容性

便捷處理和轉換重組

遠程技術支持和SECS / GEM兼容性

臺式或帶防震花崗巖臺的單機版 可在眾多應用場景中找到EVG的設備應用，包括高級封裝，化合物半導體，功率器件，LED，傳感器和MEMS。

IQ Aligner®

■   晶圓規格高達200 mm / 300 mm

■   某一時間內

（第/一次印刷/對準）> 90 wph / 80 wph

■   頂/底部對準精度達到 ± 0.5 μm / ± 1.0 μm

■   接近過程100/%無觸點

■   可選Ergoload 磁盤，SMIF或者FOUP

■   精/準的跳動補償，實現**/佳的重疊對準

■   手動裝載晶圓的功能

■   IR對準能力–透射或者反射

IQ Aligner® NT

■   零輔助橋接工具-雙基片，支持200mm和300mm規格

■   無以倫比的吞吐量（第/一次印刷/對準） > 200 wph / 160 wph

■   頂/底部對準精度達到 ± 250 nm / ± 500 nm

■   接近過程100/%無觸點

■   暗場對準能力/ 全場清/除掩模（FCMM）

■   精/準的跳動補償，實現**/佳的重疊對準

■   智能過程控制和性能分析框架軟件平臺 IQ Aligner光刻機支持的晶圓尺寸高達200 mm / 300 mm。LED光刻機技術支持

HERCULES 全電動頂部和底部分離場顯微鏡支持實時、大間隙、晶圓平面或紅外對準，在可編程位置自動定位。光刻機技術原理

HERCULES 光刻軌道系統特征：

生產平臺以**小的占地面積結合了EVG精密對準和光刻膠處理系統的所有優勢；

多功能平臺支持各種形狀，尺寸，高度變形的模具晶片甚至托盤的全自動處理；

高達52,000 cP的涂層可制造高度高達300微米的超厚光刻膠特征；

CoverSpin TM旋轉蓋可降低光刻膠消耗并優化光刻膠涂層的均勻性；

OmniSpray ®涂覆用于高地形表面的優化的涂層；

納流®涂布，并通過結構的保護；

自動面膜處理和存儲；

光學邊緣曝光和/或溶劑清潔以去除邊緣顆粒；

使用橋接工具系統對多種尺寸的晶圓進行易碎，薄或翹曲的晶圓處理；

返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統；

多用戶概念（無限數量的用戶帳戶和程序，可分配的訪問權限，不同的用戶界面語言）。 光刻機技術原理

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