熔融和混合鍵合系統：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或層轉移應用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器。

混合鍵合擴展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接。混合綁定的主要應用是高級3D設備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設備包含：EVG301單晶圓清洗系統；EVG320自動化單晶圓清洗系統；EVG810LT低溫等離子基活系統；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產鍵合系統；GEMINIFB自動化生產晶圓鍵合系統；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產系統。 EVG鍵合機跟應用相對應，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。掩模對準鍵合機質量怎么樣

鍵合機特征 高真空，對準，共價鍵合 在高真空環境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個，蕞/大6個 加載：手動，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米浙江鍵合機推薦廠家除了支持3D互連和MEMS制造，晶圓級和先進封裝外，EVG的EVG500系晶圓鍵合機還可用于研發，中試和批量生產。

EVG?510鍵合機特征 獨特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機械和光學對準器 靈活的設計和配置，用于研究和試生產 將單芯片形成晶圓 各種工藝（共晶，焊料，TLP，直接鍵合） 可選的渦輪泵（<1E-5mbar） 可升級用于陽極鍵合 開室設計，易于轉換和維護 生產兼容 高通量，具有快速加熱和泵送規格 通過自動楔形補償實現高產量 開室設計，可快速轉換和維護 200mm鍵合系統的蕞小占地面積：0.8m2 程序與EVG的大批量生產鍵合系統完全兼容 技術數據 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標準：0.1毫巴 可選：1E-5mbar

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統 用途：自動化生產鍵合系統，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此，經過實踐檢驗的行業標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量，高產量生產工藝。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器，是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發的。

半導體器件的垂直堆疊已經成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現3D堆疊設備的重要工藝步驟。然而，需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現良好的電接觸，并zui小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產設備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動了每一代新產品的更嚴格的晶圓間鍵合規范。

      imec 3D系統集成兼項目總監兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術的力量將為半導體行業創造新的機遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關注的領域是晶圓對晶圓的鍵合，在這一方面，我們通過與EV Group等行業合作伙伴的合作取得了優異的成績。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業界標準間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半。” 自動鍵合系統EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。中國澳門奧地利鍵合機

EVG所有鍵合機系統都可以通過遠程通信的。掩模對準鍵合機質量怎么樣

EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產系統可在高通量，高產量環境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預鍵合 先進的遠程診斷 技術數據 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預鍵合室 對準類型：平面到平面或凹口到凹口 對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標準），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質：去離子水（標準），NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉：蕞/高3000rpm（5s） 掩模對準鍵合機質量怎么樣

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