電介質成千上萬的電解質薄膜被用于光學，半導體，以及其它數十個行業, 而Filmetrics的儀器幾乎可以測量所有的薄膜。常見的電介質有:二氧化硅 – **簡單的材料之一, 主要是因為它在大部分光譜上的無吸收性 (k=0)， 而且非常接近化學計量 (就是說，硅：氧非常接近 1:2)。 受熱生長的二氧化硅對光譜反應規范，通常被用來做厚度和折射率標準。 Filmetrics能測量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 對此薄膜的測量比很多電介質困難，因為硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要與薄膜厚度同時測量。 更麻煩的是，氧常常滲入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大測量難度。 但是幸運的是，我們的系統能在幾秒鐘內 “一鍵” 測量氮化硅薄膜完整特征!可見光可測試的深度，良好的厚樣以及多層樣品的局部應力。ITO導電膜膜厚儀實惠價格

Filmetrics 的技術Filmetrics 提供了范圍***的測量生物醫療涂層的方案：支架： 支架上很小的涂層區域通常需要顯微鏡類的儀器。 我們的 F40 在幾十個實驗室內得到使用，測量鈍化和/或藥 物輸送涂層。我們有獨特的測量系統對整個支架表面的自動厚度測繪，只需在測量時旋轉支架。植入件： 在測量植入器件的涂層時，不規則的表面形狀通常是***挑戰。 Filmetrics 提供這一用途的全系列探頭。導絲和導引針： 和支架一樣，這些器械常常可以用象 F40 這樣的顯微鏡儀器。導液管和血管成型球囊的厚度:大于 100 微米的厚度和可見光譜不透明性決定了 F20-NIR 是這一用途方面全世界眾多實驗室內很受歡迎的儀器。ITO膜厚儀保修期多久應用：襯底厚度(不受圖案硅片、有膠帶、凹凸或者粘合硅片影響)，平整度。

厚度標準：

所有 Filmetrics 厚度標準都是得到驗證可追溯的 NIST 標準。

S-Custom-NIST：在客戶提供的樣品上定制可追溯的 NIST 厚度校準。 

TS-Focus-SiO2-4-3100SiO2-on-Si ：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約 3100A，4" 晶圓。

TS-Focus-SiO2-4-10000SiO2-on-Si ：厚度標準，外加調焦區和單晶硅基準，厚度大約 10000A，4" 晶圓。

TS-Hardcoat-4μm：丙烯酸塑料硬涂層厚度標準，厚度大約 4um，直徑 2"。

TS-Hardcoat-Trans：背面透明的硬涂層，可用于透射測量。

TS-Parylene-4um：丙烯酸塑料上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約 4um ，直徑2"。

TS-Parylene-8um：硅基上的聚對二甲苯厚度標準，厚度大約 8um，23mm x 23mm。

TS-SiO2-4-7200：硅基上的二氧化硅厚度標準，厚度大約 7200A，4" 晶圓。

TS-SiO2-4-7200-NIST：可追溯的 NIST SiO2-4-7200 厚度標準。

TS-SiO2-6-Multi：多厚度硅基上的二氧化硅標準: 125埃米，250埃米，500埃米，1000埃米，5000埃米，和 10000埃米 (+/-10%誤差)，6英寸晶圓。TS-SS3-SiO2-8000：專為SS-3樣品平臺設計之二氧化硅厚度標準片,厚度大約為 8000A。

F50 系列自動化薄膜測繪Filmetrics F50 系列的產品能以每秒測繪兩個點的速度快速的測繪薄膜厚度。一個電動R-Theta 平臺可接受標準和客制化夾盤，樣品直徑可達450毫米。(耐用的平臺在我們的量產系統能夠執行數百萬次的量測!)

測繪圖案可以是極座標、矩形或線性的，您也可以創造自己的測繪方法，并且不受測量點數量的限制。內建數十種預定義的測繪圖案。

不同的 F50 儀器是根據波長范圍來加以區分的。 標準的 F50是很受歡迎的產品。 一般較短的波長 (例如， F50-UV) 可用于測量較薄的薄膜，而較長的波長則可以用來測量更厚、更不平整以及更不透明的薄膜。 FSM拉曼的應用：局部應力； 局部化學成分；局部損傷。

厚度測量產品：我們的膜厚測量產品可適用于各種應用。我們大部分的產品皆備有庫存以便快速交貨。請瀏覽本公司網頁產品資訊或聯系我們的應用工程師針對您的厚度測量需求提供立即協助。

單點厚度測量：

一鍵搞定的薄膜厚度和折射率臺式測量系統。 測量 1nm 到 13mm 的單層薄膜或多層薄膜堆。

大多數產品都有庫存而且可立即出貨。

微米(顯微)級別光斑尺寸厚度測量當測量斑點只有1微米（μm）時，需要用您自己的顯微鏡或者用我們提供的整個系統。 測量SU-8 其它厚光刻膠的厚度有特別重要的應用。研究所膜厚儀質保期多久

成功測量光刻膠要面對一些獨特的挑戰， 而 Filmetrics 自動測量系統成功地解決這些問題。ITO導電膜膜厚儀實惠價格

集成電路故障分析故障分析 (FA) 技術用來尋找并確定集成電路內的故障原因。

故障分析中需要進行薄膜厚度測量的兩種主要類型是正面去層(用于傳統的面朝上的電路封裝) 和背面薄化(用于較新的覆晶技術正面朝下的電路封裝)。正面去層正面去層的工藝需要了解電介質薄化后剩余電介質的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在電路系統成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每個薄化步驟后剩余的硅厚度是相當關鍵的。 Filmetrics F3-sX是為了測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度而專門設計的系統。 厚度從5微米到1000微米能夠很容易的測量，另外可選配模組來延伸**小測量厚度至0.1微米，同時具有單點和多點測繪的版本可供選擇。

測量范例現在我們使用我們的 F3-s1550 系統測量在不同的背面薄化過程的硅層厚度.具備特殊光學設計之 F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅層厚度 ITO導電膜膜厚儀實惠價格

岱美儀器技術服務（上海）有限公司主要經營范圍是儀器儀表，擁有一支專業技術團隊和良好的市場口碑。岱美儀器技術服務致力于為客戶提供良好的磁記錄，半導體，光通訊生產，測試儀器的批發，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司秉持誠信為本的經營理念，在儀器儀表深耕多年，以技術為先導，以自主產品為重點，發揮人才優勢，打造儀器儀表良好品牌。岱美儀器技術服務立足于全國市場，依托強大的研發實力，融合前沿的技術理念，飛快響應客戶的變化需求。