中國半導(dǎo)體器件型號命名方法半導(dǎo)體器件型號由五部分(場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分)組成。
五個部分意義如下:
***部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管
第二部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時:A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時:A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。
第三部分:用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的類型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管(f1W)、A-高頻大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管(可控整流器)、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。 無錫微原電子科技,半導(dǎo)體器件行業(yè)的領(lǐng)航者,駛向成功彼岸!嘉定區(qū)推廣半導(dǎo)體器件
半導(dǎo)體器件(英文:semiconductordevice)是指電子工程中主要用于電子電路或利用半導(dǎo)體導(dǎo)電性的類似器件的元件。半導(dǎo)體器件在工程上非常重要,因為它必然嵌入到手機、電腦、電視等現(xiàn)代電子產(chǎn)品中,此外,2006年全球半導(dǎo)體器件市場規(guī)模超過25萬億韓元,因此經(jīng)濟影響也不容忽視。談到半導(dǎo)體器件的工業(yè)重要性,有時被表述為“半導(dǎo)體是工業(yè)之米”。
在半導(dǎo)體元件普及之前,電子產(chǎn)品中的有源元件使用的是利用真空或氣體的電子管,但半導(dǎo)體元件具有以下特征,并通過更換電子管而得到改善。 嘉定區(qū)推廣半導(dǎo)體器件在半導(dǎo)體器件的征途上,無錫微原電子科技始終堅定前行,不斷超越!
有機合成物半導(dǎo)體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物,把有機化合物和碳鍵垂直,疊加的方式能夠形成導(dǎo)帶,通過化學(xué)的添加,能夠讓其進入到能帶,這樣可以發(fā)生電導(dǎo)率,從而形成有機化合物半導(dǎo)體。這一半導(dǎo)體和以往的半導(dǎo)體相比,具有成本低、溶解性好、材料輕加工容易的特點。可以通過控制分子的方式來控制導(dǎo)電性能,應(yīng)用的范圍比較廣,主要用于有機薄膜、有機照明等方面。
非晶態(tài)半導(dǎo)體。它又被叫做無定形半導(dǎo)體或玻璃半導(dǎo)體,屬于半導(dǎo)電性的一類材料。非晶半導(dǎo)體和其他非晶材料一樣,都是短程有序、長程無序結(jié)構(gòu)。它主要是通過改變原子相對位置,改變原有的周期性排列,形成非晶硅。晶態(tài)和非晶態(tài)主要區(qū)別于原子排列是否具有長程序。非晶態(tài)半導(dǎo)體的性能控制難,隨著技術(shù)的發(fā)明,非晶態(tài)半導(dǎo)體開始使用。這一制作工序簡單,主要用于工程類,在光吸收方面有很好的效果,主要運用到太陽能電池和液晶顯示屏中。
設(shè)備按照終端數(shù)量可以分為二端設(shè)備、三端設(shè)備和多端設(shè)備。目前***使用的固態(tài)器件包括晶體管、場效應(yīng)晶體管(FET)、晶閘管(SCR)、二極管(整流器)和發(fā)光二極管(LED)。半導(dǎo)體器件可以用作單獨的組件,也可以用作集成多個器件的集成電路,這些器件可以在單個基板上以相同的制造工藝制造。
三端設(shè)備:
晶體管結(jié)型晶體管達林頓晶體管場效應(yīng)晶體管 (FET)絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)單結(jié)晶體管光電晶體管靜態(tài)感應(yīng)晶體管(SI 晶體管)晶閘管(SCR)門極可關(guān)斷晶閘管(GTO)雙向可控硅開關(guān)集成門極換流晶閘管 (IGCT)光觸發(fā)晶閘管(LTT)靜態(tài)感應(yīng)晶閘管(SI晶閘管)。
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雙極型晶體管它是由兩個PN結(jié)構(gòu)成,其中一個PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié),另一個稱為集電結(jié)。兩個結(jié)之間的一薄層半導(dǎo)體材料稱為基區(qū)。接在發(fā)射結(jié)一端和集電結(jié)一端的兩個電極分別稱為發(fā)射極和集電極。接在基區(qū)上的電極稱為基極。在應(yīng)用時,發(fā)射結(jié)處于正向偏置,集電極處于反向偏置。通過發(fā)射結(jié)的電流使大量的少數(shù)載流子注入到基區(qū)里,這些少數(shù)載流子靠擴散遷移到集電結(jié)而形成集電極電流,只有極少量的少數(shù)載流子在基區(qū)內(nèi)復(fù)合而形成基極電流。集電極電流與基極電流之比稱為共發(fā)射極電流放大系數(shù)。在共發(fā)射極電路中,微小的基極電流變化可以控制很大的集電極電流變化,這就是雙極型晶體管的電流放大效應(yīng)。雙極型晶體管可分為NPN型和PNP型兩類。半導(dǎo)體器件行業(yè)的每一次飛躍,都見證著無錫微原電子科技的成長與壯大!長寧區(qū)半導(dǎo)體器件發(fā)展現(xiàn)狀
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本征半導(dǎo)體的電流:電子電流+空穴電流。自由電子和空穴所帶電荷極性不同,它們運動方向相反。載流子:運載電荷的粒子稱為載流子。導(dǎo)體電的特點:導(dǎo)體導(dǎo)電只有一種載流子,即自由電子導(dǎo)電。本征半導(dǎo)體電的特點:本征半導(dǎo)體有兩種載流子,即自由電子和空穴均參與導(dǎo)電。本征激發(fā):半導(dǎo)體在熱激發(fā)下產(chǎn)生自由電子和空穴的現(xiàn)象稱為本征激發(fā)。復(fù)合:自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴,使兩者同時消失,這種現(xiàn)象稱為復(fù)合。動態(tài)平衡:在一定的溫度下,本征激發(fā)所產(chǎn)生的自由電子與空穴對,與復(fù)合的自由電子與空穴對數(shù)目相等,達到動態(tài)平衡。嘉定區(qū)推廣半導(dǎo)體器件
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