微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥，氣動多位置閘閥，氣動多定位閘閥，多定位插板閥，Pneumatic Multi Position 其特點是1，全開和關閉位置使用帶有位置發射器的氣動電磁閥進行控制；2，所有位置控制都由控制器進行操作。1)控制類型-全開：高速閘門全開操作-全閉：高速閘門全閉操作-位置（POS.）控制：將閘門移動到設定的位置值；2)操作時間-完全打開?完全關閉：<2秒（取決于速度控制器設置)-位置（POS。）控制： 0%?100%工作，<MAX18秒（偏差： < ±0.5%）。微泰氣動多位置閘閥，氣動多定位閘閥，多定位插板閥，Pneumatic Multi Position，有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。閘閥的結構長度(系殼體兩連接端面之間的距離)較小。氣動閘閥I型轉移閥

微泰半導體閘閥的特點：插板閥主滑閥的球機構方式-在量產工藝設備上的性能驗證-由半永久性鋼球陶瓷和板簧組成，陶瓷和金屬觸摸驅動無顆粒-已向中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備，設備廠批量供貨，已得到品質認可，已完成對半導體Utility設備和批量生產設備的驗證，而其他廠家閘閥金屬和金屬觸摸驅動產生大量顆粒。使用鋼陶瓷球，與金屬摩擦時不會損壞，金屬與陶瓷球之間不會產生Particle，半永久板簧（SUS鋼板）的應用確保閥門驅動同步性，采用了固定球導向器和鋼陶瓷。微泰半導體閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代HVA閘閥、VAT閘閥。上海安宇泰環保科技有限公司。多位閘閥英菲尼亞半導體高壓閘閥結構簡單，制造和維修比較方便。工作行程小，啟閉時間短。密封性好，密封面間磨擦力小，壽命較長。

微泰高壓閘閥可以應用于多種設備，如蒸發、濺射、金剛石生長、PECV、PVD集群、卷對卷、涂層、蝕刻、擴散和CVD等。它具有陶瓷球機構產生的低顆粒和易于維護等特點，可替代VAT閘閥。該閥門的規格包括手動或氣動驅動方式、1.5英寸至14英寸的法蘭尺寸、CF法蘭類型、焊接波紋管連接方式、氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM閥門密封、氟橡膠O型圈閥蓋密封、≤2秒響應時間、1.5?至6?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1400 mbar，8?至14?的操作壓力范圍為1×10-10 mbar至1200 mbar、≤30 mbar的開始時壓差、≤1400 mbar的6?以下閘門差動壓力和≤1200 mbar的8?至14?閘門差動壓力、<1×10 -10 Mbar/秒的泄漏率、250,000次維護前可用次數、閥體溫度≤200°、機構溫度≤80°C、烤爐溫度≤150°C、閥體不銹鋼304或316L和驅動器鋁6061陽極氧化、任意安裝位置和4至7 bar的N2操作壓力。此外，微泰高壓閘閥已在中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其他設備上得到應用。如果您需要了解更多關于微泰高壓閘閥的信息，請聯系上海安宇泰環保科技有限公司。

微泰，超高壓閘閥應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? 蝕刻? Diffusion?CVD等設備上。期特點是*陶瓷球機構產生的低顆粒*使用維修配件工具包易于維護*應用:研發和工業中的UHV隔離。高壓閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：CF、連接方式：焊接波紋管（AM350或STS316L）、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：銅墊圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 14? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 14? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、初次維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、CTemperature for Actuator≤ 150 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304或316L)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。閘板有剛性閘板和彈性閘板，根據閘板的不同，閘閥分為剛性閘閥和彈性閘閥。

微泰的傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥是安裝在半導體 PVD CVD 設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統，起著將工藝模塊中的晶圓轉移到工藝室的關鍵作用，就像一條溝槽。這些閥門能極大程度地減少閘板開閉時造成的真空壓力變化，使腔室內的真空壓力得以穩定維持。負責門控半導體晶圓轉移的傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥分為 I 型和 L 型兩種。其產品范圍包括多種尺寸規格，如 32 x 222、46 x 236、50 x 336、56 x 500 等。維護前使用周期可達 100 萬次，響應時間為 2 秒，并可根據客戶要求定制法蘭。這些轉移閥產品有鋁制或不銹鋼制兩種，用于傳輸晶圓小于 450 毫米的半導體系統和隔離工藝室。I 型的特點是葉片能在垂直方向上快速移動，保證腔室壓力完美維持，它采用具有 LM 導向系統和單連桿的內部機構，確保高耐用性和長壽命。L 型轉移閥產品則設計緊湊，易于維護。I 型和 L 型轉移閥在閘門開啟和關閉過程中能極大限度地減少振動，且對溫度變化非常穩定，能確保較長的使用壽命。此外，它們即使長時間使用，產生的顆粒也很少，能避免晶圓缺陷和主器件污染。微泰不斷創新，在壓力控制和控制閥制造方面持續努力，專注于真空閘閥的研發。控制系統閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。VAT閘閥UMC

介質可向兩側任意方向流動，易于安裝。閘閥通道兩側是對稱的。氣動閘閥I型轉移閥

微泰，控制系統閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是? 主體材質：不銹鋼? 緊湊型設計? 帶步進電機的集成壓力控制器? 應用：需要壓力控制和隔離的地方。控制系統閘閥規格如下：法蘭尺寸（ID）：1.5英寸~ 10英寸、材料：閥體(STS304)/機構STS304、STS420、饋通：旋轉饋通、執行器：步進電機、氦泄漏率1X10-9 mbar.l/sec、壓力范圍：1×10-8 mbar to 1.4 bar、閘門上的壓差≤1.4bar、維護前可用次數：100,000次、閥體溫度≤ 150 °、控制器≤35°C、安裝位置：任意、接口RS232、RS485、Devicenet、Profibus、EtherCat。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。氣動閘閥I型轉移閥