微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥Heating gate valve，加熱插板閥，加熱閘閥，加熱器的加熱溫度為180-200度（可通過控制器設置溫度）-規格：適用雙金屬（達到200度時，斷電后溫度下降后重新啟動），應用于去除粉末/氣體設備。微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD? PECV? PVD? Coating（涂層）? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。加熱閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。真空閘閥由一個滑動門或板組成，可以移動以阻止或允許通過真空閥體，從而有效地將腔室與外部環境隔離。超真空閘閥TRANSFER VALVE

微泰半導體閘閥的工作原理主要是通過閘板的升降來控制流體的通斷。當閘板升起時，閘閥打開，允許流體通過；當閘板降下時，閘閥關閉，阻止流體通過。在具體工作中，它利用各種機構和設計來實現精確的控制和可靠的密封，以滿足半導體設備中對工藝控制的要求。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。超大型真空閘閥HV GATE VALVE真空閘閥的密封裝置確保關閉時的高真空完整性，防止泄漏并維持腔室內的真空壓力。

微泰，三重防護閘閥、三防閘閥，應用于? Evaporation? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD? 涂層? Etch? Diffusion?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。微泰三重防護閘閥、三防閘閥其特點是? 閥門控制器（1CH ~ 4CH）? 應用：半導體生產線中粉末和氣體等副產品的處理，防止回流。三重防護閘閥、三防閘閥規格如下：操作：氣動、法蘭尺寸（內徑） 2.5? ~ 10?、法蘭類型ISO，KF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型環/Kalrez O型環、閥蓋密封：Viton O型圈、響應時間：≤ 0.3 sec ~ 0.6 sec、操作壓力范圍： 1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar 8? ~ 10? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar、閘門上的壓差； 1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 10? ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10-10 mbar ?/sec、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 150 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績，上海安宇泰環保科技有限公司。

微泰，加熱閘閥應用于? Evaporation（蒸發）? Sputtering（濺射）? Diamond growth by MW-PACVD（通過MW-PACVD生長金剛石）? PECV? PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）? Coating? Etch（蝕刻）? Diffusion（擴散）?CVD（化學氣相沉積）等設備上。可替代VAT閘閥。其特點是*使用加熱套或內部加熱器加熱*加熱控制器*應用:去除粉末/氣體設備。加熱閘閥規格如下：驅動方式：手動或氣動、法蘭尺寸：1.5英寸~ 12英寸、法蘭類型：ISO、JIS、ASA、CF、連接方式：焊接波紋管、閥門密封：氟橡膠O型圈/Kalrez O型環/EPDM、閥蓋密封：氟橡膠O型圈、響應時間：≤ 2 sec、操作壓力范圍：1.5? ~ 6? : 1×10-10 mbar to 1400 mbar，8? ~ 12? : 1×10-10 mbar to 1200 mbar 、開始時的壓差：≤ 30 mbar、閘門的差動壓力：1.5? ~ 6? : ≤ 1400 mbar / 8? ~ 12 ≤ 1200 mbar、泄漏率：< 1×10 -10 Mbar/秒、維護前可用次數：200,000次、閥體溫度≤ 200 °、機構溫度≤ 80 °C、烤爐溫度≤ 200 °C、材料：閥體(不銹鋼304)/驅動器(鋁6061陽極氧化)、安裝位置：任意、操作壓力(N2)：4 ~ 7 bar。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。正確安裝、定期維護以及遵守制造商指南對于這些閥門的性能發揮和使用壽命至關重要。

微泰半導體主加工設備腔內精確壓力控制的閘閥蝶閥Butterfly Valve。該蝶閥具有緊湊的設計和堅固的不銹鋼結構，通過閘板旋轉操作。蝶閥可以實現精確的壓力控制和低真空環境。例如半導體和工業過程。蝶閥通過控制器和步進電機自動控制到用戶指定的值，保持一致的真空壓力。可以在高真空環境中實現精確的壓力控制。如半導體等高真空工藝應用。控制系統閘閥是自動控制到用戶指定的值，通過控制器和步進電機保持一致的真空壓力。微泰半導體閘閥被廣泛應用于 Evaporation（蒸發）、Sputtering（濺射）、Diamond growth by MW-PACVD（通過 MW-PACVD 生長金剛石）、PECV、PVD(Cluster,Roll to Roll)（集群、卷對卷）、Coating（涂層）、Etch（蝕刻）、Diffusion（擴散）、CVD（化學氣相沉積）等設備上，可替代 HVA 閘閥、VA T閘閥。有中國臺灣Micron、UMC、AKT、新加坡Micron,Global Foundries、馬來西亞的英菲尼亞半導體、日本Micron、三星半導體和其它的設備使用業績。該閘閥由上海安宇泰環保科技有限公司提供。真空閘閥廣泛應用于各個行業，包括半導體制造、研發、分析類儀器和真空鍍膜。超真空閘閥TRANSFER VALVE

微泰閘閥可替代HVA閘閥、VAT閘閥。超真空閘閥TRANSFER VALVE

微泰的傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥是安裝在半導體 PVD CVD 設備工藝模塊和工藝室之間的閥門系統，起著將工藝模塊中的晶圓轉移到工藝室的關鍵作用，就像一條溝槽。這些閥門能極大程度地減少閘板開閉時造成的真空壓力變化，使腔室內的真空壓力得以穩定維持。負責門控半導體晶圓轉移的傳輸閥、轉換閥、輸送閥、轉移閥分為 I 型和 L 型兩種。其產品范圍包括多種尺寸規格，如 32 x 222、46 x 236、50 x 336、56 x 500 等。維護前使用周期可達 100 萬次，響應時間為 2 秒，并可根據客戶要求定制法蘭。這些轉移閥產品有鋁制或不銹鋼制兩種，用于傳輸晶圓小于 450 毫米的半導體系統和隔離工藝室。I 型的特點是葉片能在垂直方向上快速移動，保證腔室壓力完美維持，它采用具有 LM 導向系統和單連桿的內部機構，確保高耐用性和長壽命。L 型轉移閥產品則設計緊湊，易于維護。I 型和 L 型轉移閥在閘門開啟和關閉過程中能極大限度地減少振動，且對溫度變化非常穩定，能確保較長的使用壽命。此外，它們即使長時間使用，產生的顆粒也很少，能避免晶圓缺陷和主器件污染。微泰不斷創新，在壓力控制和控制閥制造方面持續努力，專注于真空閘閥的研發。超真空閘閥TRANSFER VALVE