盡管單向可控硅主要用于直流電路控制，但在交流電路中也有其用武之地。在交流調壓電路方面，利用單向可控硅可通過控制其導通角來調節交流電壓的有效值。以電爐加熱控制為例，在交流電源的正半周，當滿足單向可控硅的導通條件（陽極正電壓、控制極正信號）時，可控硅導通，電流通過電爐絲，隨著導通角的變化，電爐絲兩端的平均電壓改變，從而實現對加熱功率的調節。在交流開關電路中，單向可控硅可作為無觸點開關使用。在交流信號的正半周，通過控制極信號觸發導通，使電路接通；在負半周，由于單向可控硅的單向導電性，即便有觸發信號也不會導通，實現電路的關斷。不過，在交流電路應用時，需注意其在電壓過零時會自動關斷，要根據具體電路需求合理設計觸發信號，以確保其正常工作。 單向可控硅（SCR）：只允許單向導通，適用于直流或半波整流。西門康賽米控可控硅代理

單向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是**基礎的可控硅類型，其重要特點是只允許電流單向流動，即從陽極（A）到陰極（K）。這種器件通過門極（G）觸發后，只有在正向偏置條件下才能維持導通，反向時則完全阻斷。SCR廣泛應用于直流電路或交流半波整流，如電鍍電源、電池充電器等場景。典型型號如2N5060（1A/100V）和TYN612（12A/600V）。相比之下，雙向可控硅（TRIAC）可視為兩個反向并聯的SCR，能同時控制交流電的正負半周。這種特性使其成為交流調光、電機調速等應用的理想選擇，如BT136（4A/600V）和BTA41（40A/800V）。從結構上看，TRIAC雖然集成度更高，但其開關速度和dv/dt耐受能力通常略遜于SCR。 SEMIKRON可控硅質量可控硅模塊的耐壓范圍通常為幾百至幾千伏。

在直流電路領域，單向可控硅有著諸多重要應用。以直流電機調速為例，通過調節單向可控硅的導通角，就能改變施加在電機兩端的平均電壓，從而實現對電機轉速的有效控制。在電池充電電路中，單向可控硅也大顯身手。比如常見的電動車充電器，市電交流電先經過整流電路轉化為直流電，隨后單向可控硅可對充電電流進行準確調控。當電池電量較低時，增大單向可控硅的導通角，使充電電流較大，加快充電速度；隨著電池電量上升，減小導通角，降低充電電流，防止過充，保護電池壽命。在電鍍行業中，穩定且精確的直流電流至關重要。單向可控硅組成的整流電路，可根據工藝要求精確控制電鍍所需的直流電流大小，保證電鍍層的均勻性，提升電鍍質量。這些應用充分展現了單向可控硅在直流電路控制中的獨特價值。

在工業領域，英飛凌大功率可控硅被廣泛應用于各種大型設備。在鋼鐵冶煉行業，大功率可控硅用于控制電弧爐的電流，精確調節爐內溫度。英飛凌的大功率可控硅能夠承受極高的電流和電壓，確保電弧爐在長時間、高負荷的工作狀態下穩定運行。在電解鋁生產中，可控硅整流裝置為電解槽提供穩定的直流電源，英飛凌產品的高可靠性和低導通損耗，不僅保證了電解過程的高效進行，還降低了能源消耗。在工業電機驅動方面，英飛凌大功率可控硅用于變頻器，能夠根據電機的實際負載需求，靈活調節輸出頻率和電壓，實現電機的高效節能運行，提高了工業生產的自動化水平和能源利用效率。 雙向可控硅是三端半導體器件，能雙向導通，常用于交流電路控制。

傳統可控硅采用電信號觸發，門極驅動電流（IGT）從5mA到200mA不等，如ST的BTA41需要50mA觸發電流。這類器件需配套隔離驅動電路（如脈沖變壓器或光耦）。而光觸發可控硅（LASCR）如MOC3083，通過內置LED將光信號轉換為觸發電流，絕緣耐壓可達7500V以上，特別適合高壓隔離場合，如智能電表的固態繼電器。混合觸發方案如三菱的光控模塊（LPCT系列）結合了光纖傳輸和電觸發優勢，在核電站控制系統等強電磁干擾環境中表現優異。值得注意的是，光觸發器件雖然可靠性高，但響應速度通常比電觸發慢1-2個數量級，且成本明顯提升。 可控硅采用絕緣基板設計，便于安裝和散熱管理。ABB可控硅購買

SEMIKRON可控硅系列：SKT系列、SKM系列、SKKH系列、SKN系列。西門康賽米控可控硅代理

雙向可控硅是一種特殊的半導體開關器件，能夠雙向導通交流電流。雙向可控硅的觸發方式靈活多樣，常見的有正門極觸發、負門極觸發和脈沖觸發。正門極觸發是在 G 與 T1 間加正向電壓，負門極觸發則加反向電壓，兩種方式均可有效觸發。脈沖觸發通過施加短暫的正負脈沖信號實現導通，能減少門極功耗。實際應用中，多采用脈沖觸發電路，可通過光耦隔離實現弱電控制強電，提高電路安全性。觸發信號需滿足一定的幅度和寬度，以確保可靠導通。 西門康賽米控可控硅代理