可控硅是一種具有單向導電性的半導體器件，其工作重點基于 PN 結的導通與阻斷特性。它由四層半導體材料交替構成 PNPN 結構，形成三個 PN 結。當陽極加正向電壓、陰極加反向電壓時，中間的 PN 結處于反向偏置，可控硅呈阻斷狀態。此時若向控制極施加正向觸發信號，控制極電流會引發內部正反饋，使中間 PN 結轉為正向偏置，可控硅迅速導通。導通后，即使撤去控制極信號，只要陽極電流維持在維持電流以上，仍能保持導通；只有陽極電流低于維持電流或施加反向電壓，可控硅才會關斷。這種 “一經觸發導通，控制極即失效” 的特性，使其成為理想的開關控制元件。

可控硅模塊內部結構對稱性影響動態均壓效果。Infineon可控硅哪里有賣

可控硅與三極管雖同屬半導體器件，工作原理差異明顯。三極管是電流控制元件，基極電流持續控制集電極電流，關斷需切斷基極電流；可控硅是觸發控制元件，觸發后控制極失效，關斷依賴外部條件。從結構看，三極管為三層結構，可控硅為四層結構，多一層PN結使其具備自鎖能力。電流放大特性上，三極管有線性放大區，可控硅則只有開關狀態，無放大功能。在電路應用中，三極管適用于信號放大和低頻開關，可控硅因功率容量大、開關特性穩定，更適合大功率控制，兩者工作原理的互補性使其在電子電路中各有側重。 智能可控硅現貨可控硅的選型直接影響電路的可靠性、效率和成本。

標準可控硅的關斷時間（tq）通常在50-100μs范圍，適用于工頻（50/60Hz）應用，如IXYS的MCR100系列。而快速可控硅通過優化載流子壽命和結電容，將tq縮短至10μs以內，典型型號如SKKH106/16E（tq=8μs），這類器件能勝任1kHz以上的中頻逆變、感應加熱等場景。在結構上，快恢復可控硅采用鉑或電子輻照摻雜技術降低少子壽命，但會略微增加導通壓降（約0.2V）。此外，門極可關斷晶閘管（GTO）通過特殊設計實現了主動關斷能力，如Toshiba的SG3000HX24（3000A/4500V），雖然驅動電路復雜，但在高壓直流輸電（HVDC）等超高壓領域不可替代。選擇時需權衡開關損耗與導通損耗的平衡。

在實際應用中，正確選型單向可控硅至關重要。首先要關注額定電壓，其值必須大于電路中可能出現的極大正向和反向電壓，以確保在電路異常情況下，單向可控硅不會被擊穿損壞。例如在 220V 的交流市電經整流后的電路中，考慮到電壓波動和浪涌等因素，應選擇額定電壓在 600V 以上的單向可控硅。額定電流也是關鍵參數，要根據負載電流大小來選擇，確保單向可控硅能安全承載負載電流，一般需留有一定余量。觸發電壓和電流參數要與觸發電路相匹配，若觸發電路提供的信號無法滿足單向可控硅的觸發要求，可控硅將無法正常導通。此外，還需考慮其導通壓降、維持電流等參數。導通壓降會影響電路的功耗，維持電流決定了可控硅導通后保持導通狀態所需的小電流。只有綜合考量這些參數，才能選出適合具體電路應用的單向可控硅。 單向可控硅成本相對較低，是中大功率控制領域的性價比選擇。

雙向可控硅（TRIAC，Triode for Alternating Current）是一種特殊的半導體開關器件，能夠雙向導通交流電流。雙向可控硅的工作原理基于內部兩個反并聯的單向可控硅結構。當 T2 接正、T1 接負時，門極加正向觸發信號，左側單向可控硅導通；當 T1 接正、T2 接負時，門極加反向觸發信號，右側單向可控硅導通。導通后，主電流通過時產生的壓降維持導通狀態。在交流電路中，電流每半個周期過零時自動關斷，若需持續導通，需在每個半周施加觸發信號。這種雙向導通機制使其能便捷地控制交流負載的通斷與功率。 單向可控硅（SCR）：只允許單向導通，適用于直流或半波整流。艾賽斯可控硅質量

IXYS艾賽斯高壓可控硅系列耐壓可達2500V以上。Infineon可控硅哪里有賣

單向可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是**基礎的可控硅類型，其重要特點是只允許電流單向流動，即從陽極（A）到陰極（K）。這種器件通過門極（G）觸發后，只有在正向偏置條件下才能維持導通，反向時則完全阻斷。SCR廣泛應用于直流電路或交流半波整流，如電鍍電源、電池充電器等場景。典型型號如2N5060（1A/100V）和TYN612（12A/600V）。相比之下，雙向可控硅（TRIAC）可視為兩個反向并聯的SCR，能同時控制交流電的正負半周。這種特性使其成為交流調光、電機調速等應用的理想選擇，如BT136（4A/600V）和BTA41（40A/800V）。從結構上看，TRIAC雖然集成度更高，但其開關速度和dv/dt耐受能力通常略遜于SCR。 Infineon可控硅哪里有賣