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上海調制二極管

來源: 發布時間:2025-07-13

英飛凌的HybridPACK? Drive系列SiC二極管模塊專為電動汽車設計,滿足AEC-Q101和ISO 26262 ASIL-D功能安全標準。該模塊采用碳化硅技術,開關頻率高達300kHz,雜散電感*7nH,使800V高壓平臺逆變器的效率突破99%。其創新設計包括銅基板直接水冷(熱阻0.1K/W)和增強型柵極驅動集成,保護響應時間縮短至100ns。在奔馳EQS等**電動車型中,該模塊可提升8%的續航里程,并將快充時間(10%-80% SOC)縮短至20分鐘。英飛凌還提供預測性健康監測算法,可提前500小時識別潛在故障,大幅提升系統可靠性。二極管模塊將多個二極管芯片集成于同一封裝,通過引腳實現電路連接,提升安裝效率。上海調制二極管

二極管

二極管的結構組成

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。
采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。
由P區引出的電極稱為陽極,N區引出的電極稱為陰極。因為PN結的單向導電性,二極管導通時電流方向是由陽極通過管子內部流向陰極。
二極管有兩個電極,由P區引出的電極是正極,又叫陽極;由N區引出的電極是負極,又叫陰極。三角箭頭方向表示正向電流的方向,二極管的文字符號用VD表示。 旋轉二極管哪個品牌好陶瓷基板封裝的二極管模塊具備良好散熱性,適合高功率密度場景。

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碳化硅(SiC)二極管模塊的技術優勢

碳化硅(SiC)二極管模塊是近年來功率電子領域的重大突破,其性能遠超傳統硅基二極管。SiC材料的禁帶寬度(3.26eV)和臨界擊穿電場強度(10倍于硅)使其能夠承受更高的工作溫度和電壓,同時實現低導通損耗。例如,SiC肖特基二極管模塊的反向恢復電流幾乎為零,可大幅降低高頻開關損耗,適用于電動汽車電驅系統和大功率充電樁。此外,SiC模塊的耐溫能力可達200°C以上,明顯提升了系統可靠性。盡管成本較高,但SiC二極管模塊在新能源發電、航空航天等**領域的應用日益***,成為未來功率電子技術的重要發展方向。

二極管就是由一個PN結加上相應的電極引線及管殼封裝而成的。采用不同的摻雜工藝,通過擴散作用,將P型半導體與N型半導體制作在同一塊半導體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區稱為PN結。PN結具有單向導電性,在PN結外加正向電壓V,在這個外加電場的作用下,PN結的平衡狀態被打破,P區中的空穴和N區的電子都往PN結方向移動,空穴和PN結P區的負離子中和,電子和PN結N區的正離子中和,這樣就使PN結變窄。隨著外加電場的增加,擴散運動進一步增強,漂移運動減弱。當外加電壓超過門檻電壓,PN結相當于一個阻值很小的電阻,也就是PN結導通。強迫風冷條件下,二極管模塊的額定電流可提升 30%-50%,延長使用壽命。

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發光二極管是一種將電能直接轉換成光能的半導體固體顯示器件,簡稱LED(Light Emitting Diode)。和普通二極管相似,發光二極管也是由一個PN結構成。發光二極管的PN結封裝在透明塑料殼內,外形有方形、矩形和圓形等。發光二極管的驅動電壓低、工作電流小,具有很強的抗振動和沖擊能力、體積小、可靠性高、耗電省和壽命長等優點,常用于信號指示等電路中。
在電子技術中常用的數碼管,發光二極管的原理與光電二極管相反。當發光二極管正向偏置通過電流時會發出光來,這是由于電子與空穴直接復合時放出能量的結果。它的光譜范圍比較窄,其波長由所使用的基本材料而定。
多層陶瓷封裝的二極管模塊具備更高絕緣強度(>2500V),適合高壓電路。上海調制二極管

英飛凌模塊提供多種電壓/電流等級,兼容IGBT和SiC技術,滿足新能源逆變器的嚴苛需求。上海調制二極管

二極管伏安特性

二極管具有單向導電性,二極管的伏安特性曲線如圖2所示 。二極管的伏安特性曲線在二極管加有正向電壓,當電壓值較小時,電流極小;當電壓超過0.6V時,電流開始按指數規律增大,通常稱此為二極管的開啟電壓;當電壓達到約0.7V時,二極管處于完全導通狀態,通常稱此電壓為二極管的導通電壓,用符號UD表示。
對于鍺二極管,開啟電壓為0.2V,導通電壓UD約為0.3V。在二極管加有反向電壓,當電壓值較小時,電流極小,其電流值為反向飽和電流IS。當反向電壓超過某個值時,電流開始急劇增大,稱之為反向擊穿,稱此電壓為二極管的反向擊穿電壓,用符號UBR表示。不同型號的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大,從幾十伏到幾千伏。 上海調制二極管

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