雙向可控硅是一種特殊的半導體開關器件，能夠雙向導通交流電流。雙向可控硅的觸發方式靈活多樣，常見的有正門極觸發、負門極觸發和脈沖觸發。正門極觸發是在 G 與 T1 間加正向電壓，負門極觸發則加反向電壓，兩種方式均可有效觸發。脈沖觸發通過施加短暫的正負脈沖信號實現導通，能減少門極功耗。實際應用中，多采用脈沖觸發電路，可通過光耦隔離實現弱電控制強電，提高電路安全性。觸發信號需滿足一定的幅度和寬度，以確保可靠導通。 可控硅的動態均流技術可提升并聯模塊的可靠性。IXYS可控硅功率模塊

基礎型可控硅只包含PNPN**結構，如Microsemi的2N6509G。而智能模塊如Infineon的ITR系列集成了過溫保護、故障診斷和RC緩沖電路，通過IGBT兼容的驅動接口（如+15V/-5V電平）簡化系統設計。更先進的IPM（智能功率模塊）如三菱的PM75CL1A120將TRIAC與MCU、電流傳感器集成，實現閉環控制。這類模塊雖然價格是普通器件的3-5倍，但能減少**元件數量50%以上，在伺服驅動器等**應用中性價比***。未來趨勢是集成無線監測功能，如ST的STPOWER系列可通過藍牙傳輸溫度、電流等實時參數。 IXYS可控硅功率模塊三相可控硅模塊可用于大功率電機控制。

Infineon英飛凌可控硅憑借其先進的技術和可靠的性能，在能源領域占據了重要地位。英飛凌的可控硅產品能夠高效地實現電力的轉換與控制，無論是在發電端還是用電端，都發揮著關鍵作用。以太陽能光伏發電系統為例，英飛凌的可控硅可精確控制逆變器中的電流，將直流電轉換為交流電并穩定輸出。其***的導通和關斷特性，使得逆變器在不同光照強度下都能保持高效運行，極大提高了太陽能的利用效率。在風力發電中，英飛凌可控硅用于風機的變流器，能夠適應復雜的電網環境，確保風力發電穩定接入電網，有效減少電力波動，保障了電力供應的可靠性。

在實際應用中，正確選型單向可控硅至關重要。首先要關注額定電壓，其值必須大于電路中可能出現的極大正向和反向電壓，以確保在電路異常情況下，單向可控硅不會被擊穿損壞。例如在 220V 的交流市電經整流后的電路中，考慮到電壓波動和浪涌等因素，應選擇額定電壓在 600V 以上的單向可控硅。額定電流也是關鍵參數，要根據負載電流大小來選擇，確保單向可控硅能安全承載負載電流，一般需留有一定余量。觸發電壓和電流參數要與觸發電路相匹配，若觸發電路提供的信號無法滿足單向可控硅的觸發要求，可控硅將無法正常導通。此外，還需考慮其導通壓降、維持電流等參數。導通壓降會影響電路的功耗，維持電流決定了可控硅導通后保持導通狀態所需的小電流。只有綜合考量這些參數，才能選出適合具體電路應用的單向可控硅。 選擇可控硅時需考慮額定電流、電壓和散熱條件。

傳統可控硅采用電信號觸發，門極驅動電流（IGT）從5mA到200mA不等，如ST的BTA41需要50mA觸發電流。這類器件需配套隔離驅動電路（如脈沖變壓器或光耦）。而光觸發可控硅（LASCR）如MOC3083，通過內置LED將光信號轉換為觸發電流，絕緣耐壓可達7500V以上，特別適合高壓隔離場合，如智能電表的固態繼電器。混合觸發方案如三菱的光控模塊（LPCT系列）結合了光纖傳輸和電觸發優勢，在核電站控制系統等強電磁干擾環境中表現優異。值得注意的是，光觸發器件雖然可靠性高，但響應速度通常比電觸發慢1-2個數量級，且成本明顯提升。 可控硅緩沖電路可抑制關斷時的電壓尖峰。SEMIKRON賽米控可控硅銷售

SEMIKRON可控硅系列：SKT系列、SKM系列、SKKH系列、SKN系列。IXYS可控硅功率模塊

雙向可控硅的工作原理突破了單向限制，能在正反兩個方向導通，其內部等效兩個反向并聯的單向可控硅。當T2接正向電壓、T1接反向電壓時，正向觸發信號使其正向導通；當電壓極性反轉，反向觸發信號可使其反向導通。在交流電路中，每個半周內電流方向改變，雙向可控硅通過交替觸發實現持續導通，電流過零時自動關斷。其觸發信號極性靈活，正負觸發均可生效，簡化了交流控制電路設計。這種雙向導通特性使其無需區分電壓極性，常用于燈光調光、交流電機調速等交流負載控制，工作原理的對稱性確保了交流控制的平滑性。 IXYS可控硅功率模塊