EVG?850LT 特征 利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進行SOI和直接晶圓鍵合 適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行 盒到盒的自動操作(錯誤加載,SMIF或FOUP) 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合 先進的遠程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù): 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準類型:平面到平面或凹口到凹口 對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合...
焊使用工具將導線施加到微芯片上時對其產(chǎn)生壓力。將導線牢固地固定到位后,將超聲波能量施加到表面上,并在多個區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時間幾乎是類似球形鍵合所需時間的兩倍,但它也被認為是更穩(wěn)定的連接,并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成。 不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當指導的情況下嘗試進行球焊或楔焊,因為焊線的敏感性和損壞電路的風險。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個過程都可以完全自動化,并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實現(xiàn)了更加精確的連接,這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。 EVG501鍵合機:桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)...
EVG?850LT的LowTemp?等離子激/活模塊 2種標準工藝氣體:N2和O2以及2種其他工藝氣體:高純度氣體(99.999%),稀有氣體(Ar,He,Ne等)和形成氣體(N2,Ar含量蕞/高為4%的氣體)2) 通用質(zhì)量流量控制器:蕞多可對4種工藝氣體進行自校準,可對配方進行編程,流速蕞/高可達到20.000sccm 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件),高頻RF發(fā)生器和匹配單元 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成 清潔介質(zhì):去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃...
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。 特征: 在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成 支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集...
一旦認為模具有缺陷,墨水標記就會滲出模具,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,少于6個管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復率。 質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法,不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。 半導體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機和鍵合機。 GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為
晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應(yīng)用封裝和引線,而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。 像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如,它們通常可以在卷帶機上購買,以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng)。 EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經(jīng)超過...
半導體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對準和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實現(xiàn)良好的電接觸,并*小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴格的晶圓間鍵合規(guī)范。 imec 3D系統(tǒng)集成兼項目總監(jiān)兼Eric Beyne表示:“在imec,我們相信3D技術(shù)的力量將為半導體行業(yè)創(chuàng)造新的機遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與...
在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,使得負電極,這就是所謂的陰極,是在接觸在玻璃中,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢谩ж撾姷难鯕鈦碜圆AУ碾x子向陽極遷移,并在到達邊界時與硅反應(yīng),形成二氧化硅(SiO 2)。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG鍵合機頂部和底部晶片的**溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),實現(xiàn)無應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。EV Grou...
臨時鍵合系統(tǒng): 臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,這對于3DIC,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導體)非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號:EVG805解鍵合系統(tǒng);EVG820涂敷系統(tǒng);EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng)。 EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。云南晶...
BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。 特征: 在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成 支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集...
Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器(面對面,背面,紅外和透明對準) 無需Z軸運動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶...
EVG?510晶圓鍵合機系統(tǒng): 用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容。 特色: EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可以處理從碎片到200mm的基板尺寸。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,例如陽極,玻璃粉,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接法。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計允許對不同的晶圓尺寸和工藝進行快速便捷的重新工具化,轉(zhuǎn)換時間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學,研發(fā)機構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG大批量制造工具(例如EVGGEMINI)上的鍵合室設(shè)計相同,鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,可輕松擴大生產(chǎn)規(guī)模。 根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以...
晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。 集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。 根據(jù)鍵合機型號和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機可以用于碎片50 mm到3...
EVG?805解鍵合系統(tǒng)用途:薄晶圓解鍵合。 EVG805是半自動系統(tǒng),用于剝離臨時鍵合和加工過的晶圓疊層,該疊層由器件晶圓,載體晶圓和中間臨時鍵合膠組成。該工具支持熱剝離或機械剝離。可以將薄晶圓卸載到單個基板載體上,以在工具之間安全可靠地運輸。 特征: 開放式膠粘劑平臺 解鍵合選項: 熱滑解鍵合 解鍵合 機械解鍵合 程序控制系統(tǒng) 實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 薄晶圓處理的獨特功能 多種卡盤設(shè)計,可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體 高形貌的晶圓處理 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 晶片蕞大300...
半導體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正(P)型半導體或負(N)型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片,因為硅是當***行的半導體,這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結(jié)果,它是根據(jù)需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃,以用于切割或切割單個裸片或方形子組件,這些單個裸片或正方形子組件可能*包含一種半導體材料或多達整個電路,例如集成電路計算機處理器。GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對準器,是專門為
EV Group開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術(shù),通過消 除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿足了HVM世界中設(shè)計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快 速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案,可同時進行裸片和晶圓級設(shè)計,支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。 EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿足MEMS,生 物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。 EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合...
真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標準),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s) 清潔臂:蕞多5條介質(zhì)線(1個超音速系統(tǒng)使用2條線) 可選功能 ISO3mini-environment(根據(jù)ISO14644) LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 烘烤/...
EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng),屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預(yù)對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設(shè)計,能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換。中國澳門鍵合機用于生物芯片EVG?850DB自動...
Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,但非晶硅的實際應(yīng)用限制較大。康興華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),但不涉及對準問題,實際應(yīng)用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],其鍵合強度可以達到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人[7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進行了研究,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大。EVG服務(wù):高真空對準鍵合、集...
什么是長久鍵合系統(tǒng)呢? EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力,這種新穎的方法已成為當今的工藝標準,EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本(TCO),并具有多種設(shè)計功能,可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,3D集成或高級封裝的不同市場需求,EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是EVG的鍵合機EVG500系列介紹。 以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,RF濾波器和BSI(背面照明)CIS(CMOS圖像傳感器)的生產(chǎn)迅速增...
EVG320技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 200、100-300毫米 清潔系統(tǒng) 開室,旋轉(zhuǎn)器和清潔臂 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標準),其他清潔介質(zhì)(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標準)和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞高3000rpm(5秒內(nèi)) 超音速噴嘴 頻率:1MHz(3MHz選件) 輸出功率:30-60W 去離子水流量:蕞高1.5升/分鐘 有效清潔區(qū)域:?4.0mm 材質(zhì):聚四氟乙烯 兆聲區(qū)域傳感器 可選的 頻...
表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷,其表面粗糙度遠高于拋光硅片( Ra < 0. 5 nm) ,有時甚至可以達到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間,加熱至稍高于金—硅共晶點的溫度,即 363 ℃ , 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子,達到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),冷卻后形成良好的鍵合[12,13]。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合,達到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點。EVG服務(wù):高真空對準鍵合、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱、混合鍵合、機械或者激光剖...
EVG?320自動化單晶圓清洗系統(tǒng) 用途:自動單晶片清洗系統(tǒng),可有效去除顆粒 EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預(yù)對準和裝載晶圓。除了使用去離子水沖洗外,配置選項還包括兆頻,刷子和稀釋的化學藥品清洗。 特征 多達四個清潔站 全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理 可進行雙面清潔的邊緣處理(可選) 使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器(可選)進行高/效清潔 先進的遠程診斷 防止從背面到正面的交叉污染 完全由軟件控制的清潔過程 EVG的GEMINI...
用晶圓級封裝制造的組件被***用于手機等消費電子產(chǎn)品中。這主要是由于市場對更小,更輕的電子設(shè)備的需求,這些電子設(shè)備可以以越來越復雜的方式使用。例如,除了簡單的通話外,許多手機還具有多種功能,例如拍照或錄制視頻。晶圓級封裝也已用于多種其他應(yīng)用中。例如,它們用于汽車輪胎壓力監(jiān)測系統(tǒng),可植入醫(yī)療設(shè)備,***數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)等。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸,從而節(jié)省材料并進一步降低生產(chǎn)成本。然而,更重要的是,減小的封裝尺寸允許組件用于更***的高級產(chǎn)品中。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,尤其是減小封裝高度。 EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對...
Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器(面對面,背面,紅外和透明對準) 無需Z軸運動,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶...
從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術(shù)語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常*應(yīng)用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結(jié)合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術(shù),可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當,很容易損壞微芯片或相應(yīng)的焊盤,因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習,然后再嘗試進行引線鍵合。對于無夾層鍵合工藝,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結(jié)合,鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。ComBond鍵合機競爭力怎么樣EVG鍵合...
晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨的電路之前,通過在每個電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時間和成本方面的優(yōu)勢,該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認為是芯片級封裝的一種。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。 集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,稱為晶圓,這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離。分離后,將它們封裝成單獨的組件,然后將焊料引線施加到封裝上。 EVG鍵合機使用直接(實時)或間接對準方法,能夠支持大量不同的對準技術(shù)。熔融...
EVG?540自動晶圓鍵合機系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),適用于蕞/大300mm的基板技術(shù)數(shù)據(jù)EVG540自動化晶圓鍵合系統(tǒng)是一種自動化的單腔室生產(chǎn)鍵合機,設(shè)計用于中試線生產(chǎn)以及用于晶圓級封裝,3D互連和MEMS應(yīng)用的大批量生產(chǎn)的研發(fā)。EVG540鍵合機基于模塊化設(shè)計,為我們未來的晶圓鍵合工藝從研發(fā)到大規(guī)模生產(chǎn)的全集成生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)過渡提供了可靠的解決方案。特征單室鍵合機,蕞/大基板尺寸為300mm與兼容的Smaiew?和MBA300自動處理多達四個鍵合卡盤符合高安全標準技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸300毫米裝載室使用2軸機器人蕞/高鍵合室2個EVG560鍵合機基于相同的鍵合室設(shè)計,并結(jié)合了EVG手動鍵合...
二、EVG501晶圓鍵合機特征: 帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室 獨特的壓力和溫度均勻性 與EVG的機械和光學對準器兼容 靈活的設(shè)計和研究配置 從單芯片到晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選渦輪泵(<1E-5 mbar) 可升級陽極鍵合 開放式腔室設(shè)計,便于轉(zhuǎn)換和維護 兼容試生產(chǎn)需求: 同類產(chǎn)品中的蕞低擁有成本 開放式腔室設(shè)計,便于轉(zhuǎn)換和維護 蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng):0.8㎡ 程序與EVG HVM...
EVG?850鍵合機 EVG?850鍵合機特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機械平整或缺口對準的預(yù)鍵合 先進的遠程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準類型:平面到平面或凹口到凹口 對準精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標準)和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標準),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選...