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三極管的作用：模擬。用三極管夠成的電路還可以模擬其它元器件。大功率可變電阻價貴難覓，用圖9(g)電路可作模擬品，調(diào)節(jié)510電阻的阻值，即可調(diào)節(jié)三極管C、E兩極之間的阻抗，此阻抗變化即可代替可變電阻使用。圖9(h)為用三極管模擬的穩(wěn)壓管。其穩(wěn)壓原理是：當(dāng)加到A、...

對于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發(fā)射極上面那個箭頭方向也反了過來。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個PN結(jié)...

在操作中，一個單獨的電流通過由鎳鉻合金制成的高電阻燈絲（加熱器），將陰極加熱到紅熱狀態(tài)（800-1000℃）后可導(dǎo)致它釋放電子到真空。這一過程即熱發(fā)射。陰極通常涂有堿土金屬氧化物，如鋇或鍶的氧化物。因為它們具有較低的功函數(shù)，可使發(fā)射的電子數(shù)量增加。有些真空管則...

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語。當(dāng)其工作頻率超過100MHz時，由于少數(shù)載...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個物理柵的開關(guān)。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個電...

反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。在高摻雜濃度的情況下，因勢壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時，破壞了勢壘區(qū)內(nèi)共價鍵結(jié)構(gòu)，使價電子脫離共價鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對，致使電流急劇增大，這種擊穿稱為齊納擊穿。如果摻雜濃度較低，勢壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊...

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，...

三極管具有放大信號、開關(guān)電路和穩(wěn)壓等多種功能，對電子設(shè)備的正常運(yùn)行起著至關(guān)重要的作用。放大信號，三極管可以將微弱的輸入信號放大成較大的輸出信號。它通過調(diào)節(jié)輸入電流或電壓的變化，使輸出信號得以放大。這種放大作用在無線電、音頻設(shè)備和通信系統(tǒng)中起著關(guān)鍵作用。在無線電...

三極管簡介，三極管，全稱為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件，其作用是把基極電流的微小變化去控制集電極電流的巨大變化， 也用作無觸點開關(guān)。單片機(jī)應(yīng)用電路中三極管主要的作用就是開關(guān)作用。三極管的常用型號，三極管常用的型號有...

三極管的種類：1）開關(guān)三極管，利用控制飽和區(qū)、截止區(qū)相互轉(zhuǎn)換而工作的。開關(guān)三極管的開關(guān)需要一定的響應(yīng)時間，開關(guān)響應(yīng)時間的長短表示了三極管開關(guān)特性的好壞。2）差分對管，把兩只性能一致的三極管封裝在一起，能以較簡單的方式構(gòu)成性能優(yōu)良的差分放大器；3）復(fù)合三級管，復(fù)...

開關(guān)三極管，在開關(guān)電路中，用來控制電路的開啟和關(guān)閉，由加在開關(guān)管基極上 脈沖信號來控制“短路”和“開通”，是一個無觸點電子開關(guān)。具有壽命長、安全可靠、沒有機(jī)械磨損、開關(guān)速度快、體積小等特點。開關(guān)三極管可以用很小的電流，控制打電流的通斷，有較普遍的應(yīng)用。小功率開...

三極管，又叫做雙極型三極管，是一種電流控制電流型半導(dǎo)體元器件，目前的三極管的主要用途是信號放大，或者作為電子開關(guān)使用。復(fù)合管（達(dá)林頓管），復(fù)合晶體管是將兩個和更多個晶體管的集電極連在一起，而將頭一只晶體管的發(fā)射極直接耦合到第二只晶體管的基極，依次連接而成，較后...

極限參數(shù)：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時的IC值。所以當(dāng)集電極電流超過集電極較大允許電流時，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質(zhì)量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

功能，二極管具有陽極和陰極兩個端子，電流只能往單一方向流動。也就是說，電流可以從陽極流向陰極，而不能從陰極流向陽極。對二極管所具備的這種單向特性的應(yīng)用，通常稱之為“整流”功能。在真空管內(nèi)，借由電極之間加上的電壓能夠讓熱電子從陰極到達(dá)陽極，因而有整流的作用。將交...

三極管的介紹：主要參數(shù)：1 電流放大系數(shù)： ⑴直流電流放大系數(shù)； ⑵交流電流放大系數(shù)； ⑶共基極電流放大系數(shù)。2 頻率特性參數(shù)： ⑴共基極截止頻率fa； ⑵共發(fā)射極截止頻率fb； ⑶特性頻率ft； ⑷較高振蕩頻率fm；3 極間反向電流： ⑴集電極－基極反向截...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

值得注意的是，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應(yīng)用；而新型普通二極管則具有更快的響應(yīng)速度和更高的可靠性，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的電路環(huán)境。總之，穩(wěn)壓二極管和普通二極...

瞬態(tài)抑制二極管(TVS管)，瞬態(tài)電壓抑制二極管英文名稱為Transient Voltage Suppressor，簡稱TVS，它是一種高效保護(hù)器件的一種二極管。當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制二極的兩極受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時，它能以10的負(fù)12次方秒量級的速度，將其兩極間的高...

晶體二極管分類如下：平面型二極管，在半導(dǎo)體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴(kuò)散P型雜質(zhì)，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上只選擇性地擴(kuò)散一部分而形成的PN結(jié)。因此，不需要為調(diào)整PN結(jié)面積的藥品腐蝕作用。由于半導(dǎo)體表面被制作得平整，故而得名。并且，...

結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號中柵極的箭頭方向可理解為兩個PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場效應(yīng)管的工作原...

開始形成溝道時的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后，在漏—...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大...

極限參數(shù)：a.集電極較大允許電流ICM集電極較大允許電流是指當(dāng)集電極電流IC增加到某一數(shù)值，引起β值下降到額定值的2/3或1/2時的IC值。所以當(dāng)集電極電流超過集電極較大允許電流時，雖然不致使管子損壞，但β值明顯下降，影響放大質(zhì)量。b.集電極—基極擊穿電壓U(...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個端，分別大致對應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、...

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）發(fā)現(xiàn)了熱離子二極管的基本操作原理 [6] 。他發(fā)現(xiàn)了當(dāng)白熱化的接地金屬接近帶正電的驗電器時，驗電器的電會被引走；然而帶負(fù)電的驗電器則不會發(fā)生類似情況。這表明了電流只能向一個方向流動。188...

場效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源...

三極管的原理，三極管可以看做一個小閥門控制大閥門的元件，基極和發(fā)射極原理為一個二極管，當(dāng)給基極一個電壓，基極和發(fā)射極就會導(dǎo)通，基極也就有了電流，這個時候集電極和發(fā)射極也會導(dǎo)通，當(dāng)基極電壓越大集電極流向發(fā)射極的電流也會越大，也就是閥門打開的越大，微弱的基極電流和...

場效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場效應(yīng)管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體...

1873年，弗雷德里克·格思里（ Frederick Guthrie ）發(fā)現(xiàn)了熱離子二極管的基本操作原理 [6] 。他發(fā)現(xiàn)了當(dāng)白熱化的接地金屬接近帶正電的驗電器時，驗電器的電會被引走；然而帶負(fù)電的驗電器則不會發(fā)生類似情況。這表明了電流只能向一個方向流動。188...

二極管特性及參數(shù)：1、二極管伏安特性，導(dǎo)通后分電壓值約為 0.7 V（硅管）或0.3V（鍺管）（LED 約為 1-2 V，電流 5-20 mA）。反向不導(dǎo)通，但如果達(dá)到反向擊穿電壓，那將導(dǎo)通（超過反向較大電壓可能燒壞）。正向電壓很小時不導(dǎo)通（0.5 V 以上時...