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電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約...

MOS管發(fā)熱情況有：1.電路設(shè)計(jì)的問題，就是讓MOS管工作在線性的工作狀態(tài)，而不是在開關(guān)狀態(tài)。這也是導(dǎo)致MOS管發(fā)熱的一個(gè)原因。如果N-MOS做開關(guān)，G級(jí)電壓要比電源高幾V，才能完全導(dǎo)通，P-MOS則相反。沒有完全打開而壓降過(guò)大造成功率消耗，等效直流阻抗比較大，壓降增大，所以U*I也增大，損耗就意味著發(fā)熱。這是設(shè)計(jì)電路的較忌諱的錯(cuò)誤。2.頻率太高，主要是有時(shí)過(guò)分追求體積，導(dǎo)致頻率提高，MOS管上的損耗增大了，所以發(fā)熱也加大了。3.沒有做好足夠的散熱設(shè)計(jì)，電流太高，MOS管標(biāo)稱的電流值，一般需要良好的散熱才能達(dá)到。所以ID小于較大電流，也可能發(fā)熱嚴(yán)重，需要足夠的輔助散熱片。4.MOS管的選型有誤...

電極，所有的FET都有柵極（gate）、漏極（drain）、源極（source）三個(gè)端，分別大致對(duì)應(yīng)BJT的基極（base）、集電極（collector）和發(fā)射極（emitter）。除JFET以外，所有的FET也有第四端，被稱為體（body）、基（base）、塊體（bulk）或襯底（substrate）。這個(gè)第四端可以將晶體管調(diào)制至運(yùn)行；在電路設(shè)計(jì)中，很少讓體端發(fā)揮大的作用，但是當(dāng)物理設(shè)計(jì)一個(gè)集成電路的時(shí)候，它的存在就是重要的。在圖中柵極的長(zhǎng)度（length）L，是指源和漏的距離。寬度（width）是指晶體管的范圍，在圖中和橫截面垂直。通常情況下寬度比長(zhǎng)度大得多。長(zhǎng)度1微米的柵極限制較高頻率約...

結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）：1、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的分類：結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管也具有三個(gè)電極，它們是：柵極；漏極；源極。電路符號(hào)中柵極的箭頭方向可理解為兩個(gè)PN結(jié)的正向?qū)щ姺较颉?、結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理(以N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例)，N溝道結(jié)構(gòu)型場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)，由于PN結(jié)中的載流子已經(jīng)耗盡，故PN基本上是不導(dǎo)電的，形成了所謂耗盡區(qū)，當(dāng)漏極電源電壓ED一定時(shí)，如果柵極電壓越負(fù)，PN結(jié)交界面所形成的耗盡區(qū)就越厚，則漏、源極之間導(dǎo)電的溝道越窄，漏極電流ID就愈??；反之，如果柵極電壓沒有那么負(fù)，則溝道變寬，ID變大，所以用柵極電壓EG可以...

開始形成溝道時(shí)的柵——源極電壓稱為開啟電壓，用VT表示。上面討論的N溝道MOS管在vGS＜VT時(shí)，不能形成導(dǎo)電溝道，管子處于截止?fàn)顟B(tài)。只有當(dāng)vGS≥VT時(shí)，才有溝道形成。這種必須在vGS≥VT時(shí)才能形成導(dǎo)電溝道的MOS管稱為增強(qiáng)型MOS管。溝道形成以后，在漏——源極間加上正向電壓vDS，就有漏極電流產(chǎn)生。vDS對(duì)iD的影響：當(dāng)vGS>VT且為一確定值時(shí)，漏——源電壓vDS對(duì)導(dǎo)電溝道及電流iD的影響與結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管相似。P溝道耗盡型MOSFET：P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同，只不過(guò)導(dǎo)電的載流子不同，供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣。場(chǎng)效應(yīng)...

如果GATE相對(duì)于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了，因此PMOS管的閾值電壓是負(fù)值。由于NMOS管的閾值電壓是正的，PMOS的閾值電壓是負(fù)的，所以工程師們通常會(huì)去掉閾值電壓前面的符號(hào)，一個(gè)工程師可能說(shuō)，"PMOS Vt從0.6V上升到0.7V"， 實(shí)際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)投影一個(gè)電場(chǎng)在一個(gè)絕緣層上來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上沒有電流流過(guò)這個(gè)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。較普通的FET用一薄層二氧化硅來(lái)作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管，或,金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOS...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。5、較大漏源電流，較大漏源...

場(chǎng)效應(yīng)管與晶體管的比較：（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號(hào)源取較少電流的情況下，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管；而在信號(hào)電壓較低，又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。（2）場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電。被稱之為雙極型器件。（3）有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。（4）場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上，因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了普遍的應(yīng)用。場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)控制柵極電壓來(lái)調(diào)節(jié)...

在過(guò)渡層由于沒有電子、空穴的自由移動(dòng)，在理想狀態(tài)下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動(dòng)。但是此時(shí)漏極-源極間的電場(chǎng)，實(shí)際上是兩個(gè)過(guò)渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場(chǎng)拉去的高速電子通過(guò)過(guò)渡層。因漂移電場(chǎng)的強(qiáng)度幾乎不變產(chǎn)生ID的飽和現(xiàn)象。其次，VGS向負(fù)的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時(shí)過(guò)渡層大致成為覆蓋全區(qū)域的狀態(tài)。而且VDS的電場(chǎng)大部分加到過(guò)渡層上，將電子拉向漂移方向的電場(chǎng)，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。場(chǎng)效應(yīng)管在電子設(shè)備中扮演著關(guān)鍵角色。東莞功耗低場(chǎng)效應(yīng)管價(jià)位場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）在安裝場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，注意安裝的位置要盡量避免靠近發(fā)熱元件；為了防管件振動(dòng)，有必要將管...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。2、跨導(dǎo)，跨導(dǎo)gm是表示柵源電壓UGS對(duì)漏極電流ID的控制才能，即漏極電流ID變化量與柵源電壓UGS變化量的比值。gm是權(quán)衡場(chǎng)效應(yīng)管放大才能的重要參數(shù)。3、漏源擊穿電壓，漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。4、較大耗散功率，較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的較大漏源耗散功率。運(yùn)用時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)踐功耗應(yīng)小于PDSM并留有—定余量。5、較大漏源電流，較大漏源...

場(chǎng)效應(yīng)管的用途：一、場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。二、場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。三、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。四、場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。五、場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管在電子應(yīng)用中非常普遍，了解基礎(chǔ)知識(shí)之后我們接下來(lái)就可以運(yùn)用它做一些電子開發(fā)了。場(chǎng)效應(yīng)管是利用輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。場(chǎng)效應(yīng)管又是單極型晶體管，即導(dǎo)電過(guò)程中幾乎只有一種載流子運(yùn)動(dòng)，類似金屬導(dǎo)電。場(chǎng)效應(yīng)管的工作溫度范圍需要在規(guī)定的范圍內(nèi)，以確保正常工作。中山金屬半導(dǎo)體...

場(chǎng)效應(yīng)管的工作方式有兩種：當(dāng)柵壓為零時(shí)有較大漏極電流的稱為耗盡型；當(dāng)柵壓為零，漏極電流也為零，必須再加一定的柵壓之后才有漏極電流的稱為增強(qiáng)型。作用：1.場(chǎng)效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2.場(chǎng)效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作阻抗變換。3.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作可變電阻。4.場(chǎng)效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5.場(chǎng)效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。場(chǎng)效應(yīng)管的制造工藝不斷改進(jìn)，使得其性能更加穩(wěn)定，可靠性更高?；葜萁饘賵?chǎng)效應(yīng)管參考價(jià)場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之...

場(chǎng)效應(yīng)管工作原理用一句話說(shuō)，就是“漏極-源極間流經(jīng)溝道的ID， 用柵極與溝道間的pn結(jié)形成的反偏的柵極電壓進(jìn)行控制”。更正確地說(shuō)，ID流經(jīng)通路的寬度，即溝道截面積，它是由pn結(jié)反偏的變化，產(chǎn)生耗盡層擴(kuò)展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區(qū)域，表示的過(guò)渡層的擴(kuò)展因?yàn)椴缓艽?，根?jù)漏極-源極間所加VDS的電場(chǎng)，源極區(qū)域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動(dòng)。從門極向漏極擴(kuò)展的過(guò)度層將溝道的一部分構(gòu)成堵塞型，ID飽和。將這種狀態(tài)稱為夾斷。這意味著過(guò)渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。避免將場(chǎng)效應(yīng)管的柵極與其它電極短路，以免損壞器件。同時(shí)，注意防止靜電對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管造成損害。強(qiáng)抗輻場(chǎng)效應(yīng)...

測(cè)試步驟：MOS管的檢測(cè)主要是判斷MOS管漏電、短路、斷路、放大。其步驟如下：假如有阻值沒被測(cè)MOS管有漏電現(xiàn)象。1、把連接?xùn)艠O和源極的電阻移開，萬(wàn)用表紅黑筆不變，假如移開電阻后表針慢慢逐步退回到高阻或無(wú)限大，則MOS管漏電，不變則完好。2、然后一根導(dǎo)線把MOS管的柵極和源極連接起來(lái)，假如指針立刻返回?zé)o限大，則MOS完好。3、把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，好的表針指示應(yīng)該是無(wú)限大。4、用一只100KΩ－200KΩ的電阻連在柵極和漏極上，然后把紅筆接到MOS的源極S上，黑筆接到MOS管的漏極上，這時(shí)表針指示的值一般是0，這時(shí)是下電荷通過(guò)這個(gè)電阻對(duì)MOS管的柵極充電，產(chǎn)生柵...

單極型場(chǎng)效應(yīng)管在生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)中的應(yīng)用：生物醫(yī)學(xué)檢測(cè)對(duì)信號(hào)檢測(cè)精度的要求極高，單極型場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。在生物傳感器領(lǐng)域，例如檢測(cè)血糖的傳感器，當(dāng)血液中的葡萄糖分子與傳感器表面的特定物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生微弱的電信號(hào)。單極型場(chǎng)效應(yīng)管憑借其高輸入阻抗的特性，能夠?qū)⑦@種極其微弱的信號(hào)高效放大，且不會(huì)因?yàn)樽陨淼妮斎胩匦詫?dǎo)致信號(hào)衰減。在檢測(cè) DNA 等生物分子的傳感器中，同樣如此，它能夠保證檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確性。在可穿戴式醫(yī)療監(jiān)測(cè)設(shè)備中，實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)人體的生理參數(shù)，如心率、血壓等，單極型場(chǎng)效應(yīng)管為疾病預(yù)防、診斷提供了可靠的數(shù)據(jù)支持。醫(yī)生可以根據(jù)這些準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)潛在的健康問題，制定科學(xué)的治療方案...

在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負(fù)極）時(shí)，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過(guò)。這是因?yàn)樵赑型半導(dǎo)體端為正電壓時(shí)，N型半導(dǎo)體內(nèi)的負(fù)電子被吸引而涌向加有正電壓的P型半導(dǎo)體端，而P型半導(dǎo)體端內(nèi)的正電子則朝N型半導(dǎo)體端運(yùn)動(dòng)，從而形成導(dǎo)通電流。同理，當(dāng)二極管加上反向電壓（P端接負(fù)極，N端接正極）時(shí)，這時(shí)在P型半導(dǎo)體端為負(fù)電壓，正電子被聚集在P型半導(dǎo)體端，負(fù)電子則聚集在N型半導(dǎo)體端，電子不移動(dòng)，其PN結(jié)沒有電流通過(guò)，二極管截止。在柵極沒有電壓時(shí)，由前面分析可知，在源極與漏極之間不會(huì)有電流流過(guò)，此時(shí)場(chǎng)效應(yīng)管處與截止?fàn)顟B(tài)（圖7a）。當(dāng)有一個(gè)正電壓加在N溝道的MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極上時(shí)，由于電場(chǎng)的作用，此時(shí)N型...

場(chǎng)效應(yīng)管由于它只靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡(jiǎn)寫成FET。場(chǎng)效應(yīng)管分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）兩大類。按溝道材料型和絕緣柵型各分N溝道和P溝道兩種；按導(dǎo)電方式：耗盡型與增強(qiáng)型，結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。場(chǎng)效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，而MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強(qiáng)型；P溝耗盡型和增強(qiáng)型四大類。場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。肇慶單極型場(chǎng)效應(yīng)管現(xiàn)在的高清、液晶、等離子電視機(jī)中開關(guān)電源部分除了采用了PF...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極型晶體管比，它的體積小，重量輕，壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，而且輸入回路的內(nèi)阻特別高，噪聲低、熱穩(wěn)定性好（因?yàn)閹缀踔焕枚嘧訉?dǎo)電）、防輻射能力強(qiáng)以及省電等優(yōu)點(diǎn)，幾乎場(chǎng)效應(yīng)管占據(jù)的絕大部分市場(chǎng)。有利就有弊，而場(chǎng)效應(yīng)管的放大倍數(shù)要小于雙極型晶體管的放大倍數(shù)（原因后續(xù)詳解）。根據(jù)制作主要工藝主要分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(Junction Field Effect Transistor，JFET)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)，下面來(lái)具體來(lái)看這兩種管子。場(chǎng)效應(yīng)管(FET)基礎(chǔ)知識(shí)：名稱，場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor 縮寫(FET)），簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（junction...

與雙極型晶體管相比，場(chǎng)效應(yīng)管具有如下特點(diǎn)。（1）場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，它通過(guò)VGS(柵源電壓)來(lái)控制ID（漏極電流）；（2）場(chǎng)效應(yīng)管的控制輸入端電流極小，因此它的輸入電阻（107～1012Ω）很大。（3）它是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此它的溫度穩(wěn)定性較好；（4）它組成的放大電路的電壓放大系數(shù)要小于三極管組成放大電路的電壓放大系數(shù)；（5）場(chǎng)效應(yīng)管的抗輻射能力強(qiáng)；（6）由于它不存在雜亂運(yùn)動(dòng)的電子擴(kuò)散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。在放大電路中，場(chǎng)效應(yīng)管可以起到線性放大的作用，輸出的信號(hào)與輸入信號(hào)成正比。深圳功耗低場(chǎng)效應(yīng)管市價(jià)作為電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師如何根據(jù)參數(shù)做出正確選擇呢？本文將討論如何通過(guò)四...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。場(chǎng)效應(yīng)管可構(gòu)成恒流源，為負(fù)載提供穩(wěn)定的電流，應(yīng)用于精密測(cè)量、激光器...

LED 燈具的驅(qū)動(dòng)。設(shè)計(jì)LED燈具的時(shí)候經(jīng)常要使用MOS管，對(duì)LED恒流驅(qū)動(dòng)而言，一般使用NMOS。功率MOSFET和雙極型晶體管不同，它的柵極電容比較大，在導(dǎo)通之前要先對(duì)該電容充電，當(dāng)電容電壓超過(guò)閾值電壓(VGS-TH)時(shí)MOSFET才開始導(dǎo)通。因此，設(shè)計(jì)時(shí)必須注意柵極驅(qū)動(dòng)器負(fù)載能力必須足夠大，以保證在系統(tǒng)要求的時(shí)間內(nèi)完成對(duì)等效柵極電容(CEI)的充電。而MOSFET的開關(guān)速度和其輸入電容的充放電有很大關(guān)系。使用者雖然無(wú)法降低Cin的值，但可以降低柵極驅(qū)動(dòng)回路信號(hào)源內(nèi)阻Rs的值，從而減小柵極回路 的充放電時(shí)間常數(shù)，加快開關(guān)速度一般IC驅(qū)動(dòng)能力主要體現(xiàn)在這里，我們談選擇MOSFET是指外置MO...

本文介紹N溝道增強(qiáng)型MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管；（1）結(jié)構(gòu)，在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底上，制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū)，并用金屬鋁引出兩個(gè)電極，分別作漏極d和源極s。然后在半導(dǎo)體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個(gè)鋁電極,作為柵極g。襯底上也引出一個(gè)電極B，這就構(gòu)成了一個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的(大多數(shù)管子在出廠前已連接好)。它的柵極與其它電極間是絕緣的。場(chǎng)效應(yīng)管在電子器件中的功率管理、信號(hào)放大等方面有重要作用。場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、開啟電壓，開啟電壓UT是指加強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管電源開關(guān)電路，MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對(duì)于P溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場(chǎng)效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場(chǎng)）控制，可以認(rèn)為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時(shí)這也是我們稱之為場(chǎng)效應(yīng)管的原因。MOSFET通過(guò)柵極與源極電壓調(diào)節(jié)...

場(chǎng)效應(yīng)管與雙極性晶體管的比較：1.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號(hào)源額定電流極小的情況，應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管。2.場(chǎng)效應(yīng)管是多子導(dǎo)電，而晶體管的兩種載流子均參與導(dǎo)電。由于少子的濃度對(duì)溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對(duì)于環(huán)境變化較大的場(chǎng)合，采用場(chǎng)效應(yīng)管比較合適。3.場(chǎng)效應(yīng)管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關(guān)外，還可作壓控可變線性電阻使用。4.場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極在結(jié)構(gòu)上是對(duì)稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負(fù)。因此，使用場(chǎng)效應(yīng)管比晶體管靈活。在開關(guān)電路中，場(chǎng)效應(yīng)管可以實(shí)現(xiàn)快速的開關(guān)操作，普遍應(yīng)用于數(shù)字電路和...

MOS管開關(guān)電路圖：頭一種應(yīng)用，由PMOS來(lái)進(jìn)行電壓的選擇，當(dāng)V8V存在時(shí)，此時(shí)電壓全部由V8V提供，將PMOS關(guān)閉，VBAT不提供電壓給VSIN，而當(dāng)V8V為低時(shí)，VSIN由8V供電。注意R120的接地，該電阻能將柵極電壓穩(wěn)定地拉低，確保PMOS的正常開啟，這也是前文所描述的柵極高阻抗所帶來(lái)的狀態(tài)隱患。D9和D10的作用在于防止電壓的倒灌。D9可以省略。這里要注意到實(shí)際上該電路的DS接反，這樣由附生二極管導(dǎo)通導(dǎo)致了開關(guān)管的功能不能達(dá)到，實(shí)際應(yīng)用要注意。選擇場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，應(yīng)考慮其耐壓、耐流等參數(shù)，以確保其在工作環(huán)境中能夠穩(wěn)定可靠地運(yùn)行。湖州耗盡型場(chǎng)效應(yīng)管靜態(tài)電特性：注①：Vgs（off）其實(shí)就是...

MOSFET選型注意事項(xiàng)：MOSFET的選型基礎(chǔ)MOSFET有兩大類型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開關(guān)導(dǎo) 通。導(dǎo)通時(shí)，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個(gè)內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個(gè)高阻抗端，因此，總 是要在柵極加上一個(gè)電壓。如果柵極為懸空，器件將不能按設(shè)計(jì)意圖工作，并可能在不恰當(dāng)?shù)臅r(shí)刻導(dǎo)通或關(guān)閉，導(dǎo)致系統(tǒng)產(chǎn)生潛在的功率損耗。當(dāng)源極和柵極間的電 壓為零時(shí)，開關(guān)關(guān)閉，而電流停止通過(guò)器件。雖然這時(shí)器件已經(jīng)關(guān)閉，但仍然有微小電流存在，這稱之為漏電流，即IDSS。場(chǎng)效...

增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管在智能安防監(jiān)控中的應(yīng)用：智能安防監(jiān)控系統(tǒng)依賴精確的圖像識(shí)別與處理技術(shù)，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管在其中發(fā)揮著助力作用。監(jiān)控?cái)z像頭需要快速處理大量的圖像數(shù)據(jù)，以實(shí)現(xiàn)人臉識(shí)別、運(yùn)動(dòng)檢測(cè)等關(guān)鍵功能。在圖像傳感器電路中，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)快速控制像素點(diǎn)電荷轉(zhuǎn)移，能夠明顯提升圖像采集速度與質(zhì)量。例如，在人員密集的公共場(chǎng)所，攝像頭需要快速捕捉每個(gè)人的面部特征，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管能夠確保圖像清晰、準(zhǔn)確，為后續(xù)的人臉識(shí)別算法提供優(yōu)良的數(shù)據(jù)基礎(chǔ)。在安防后端數(shù)據(jù)處理設(shè)備中，增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管用于構(gòu)建邏輯電路，能夠高效處理圖像數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)監(jiān)控與預(yù)警。一旦發(fā)現(xiàn)異常情況，如入侵行為或火災(zāi)隱患，系統(tǒng)能夠迅速發(fā)出警報(bào)，守護(hù)家庭...

電壓和電流的選擇。額定電壓越大，器件的成本就越高。根據(jù)實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)，額定電壓應(yīng)當(dāng)大于干線電壓或總線電壓。這樣才能提供足夠的保護(hù)，使MOSFET不 會(huì)失效。就選擇MOSFET而言，必須確定漏極至源極間可能承受的較大電壓，即較大VDS。設(shè)計(jì)工程師需要考慮的其他安全因素包括由開關(guān)電子設(shè)備(如電機(jī) 或變壓器)誘發(fā)的電壓瞬變。不同應(yīng)用的額定電壓也有所不同；通常，便攜式設(shè)備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應(yīng)用為450～600V。在連續(xù)導(dǎo)通模式下，MOSFET處于穩(wěn)態(tài)，此時(shí)電流連續(xù)通過(guò)器件。脈沖尖峰是指有大量電涌(或尖峰電流)流過(guò)器件。一旦確定了這些條件下的較大電流，只需直接選擇能承受這...

在要求輸入阻抗較高的場(chǎng)合使用時(shí)，必須采取防潮措施，以免由于溫度影響使場(chǎng)效應(yīng)管的輸入電阻降低。如果用四引線的場(chǎng)效應(yīng)管，其襯底引線應(yīng)接地。陶瓷封裝的芝麻管有光敏特性，應(yīng)注意避光使用。對(duì)于功率型場(chǎng)效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)楣β市蛨?chǎng)效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過(guò)額定值，使器件長(zhǎng)期穩(wěn)定可靠地工作。總之，確保場(chǎng)效應(yīng)管安全使用，要注意的事項(xiàng)是多種多樣，采取的安全措施也是各種各樣，廣大的專業(yè)技術(shù)人員，特別是廣大的電子愛好者，都要根據(jù)自己的實(shí)際情況出發(fā)，采取切實(shí)可行的辦法，安全有效地用好場(chǎng)效應(yīng)管。場(chǎng)效應(yīng)管在無(wú)線電領(lǐng)域具有普遍應(yīng)用，如射頻放大器、混頻器、振蕩器等，提高通信...

這些電極的名稱和它們的功能有關(guān)。柵極可以被認(rèn)為是控制一個(gè)物理柵的開關(guān)。這個(gè)柵極可以通過(guò)制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過(guò)。如果受一個(gè)加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡(jiǎn)單的就是指柵、漏、源極所在的半導(dǎo)體的塊體。通常體端和一個(gè)電路中較高或較低的電壓相連，根據(jù)類型不同而不同。體端和源極有時(shí)連在一起，因?yàn)橛袝r(shí)源也連在電路中較高或較低的電壓上。當(dāng)然有時(shí)一些電路中FET并沒有這樣的結(jié)構(gòu)，比如級(jí)聯(lián)傳輸電路和串疊式電路。場(chǎng)效應(yīng)管的靈敏度較高，可以實(shí)現(xiàn)精確的電流控制。東莞場(chǎng)效應(yīng)管生產(chǎn)廠家雪崩失效分析（電壓失效），底什么是雪崩失效呢，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)MOSFET在電源板上由于母線電壓、...