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FG-LD圖10**小藍紫激光二極管FG-LD（光纖光柵激光二極管）利用已成熟的封裝技術，將含有FG的光纖與端面鍍有增透膜的F-P腔LD耦合而成可調諧外腔結構的激光器，由LD芯片、空氣間隙、光纖前端的光纖部分組成，光學諧振腔在光柵和LD外端面之間。LD的內端面鍍有增透膜，以減小其F-P模式，FG用來反饋選模,由于其極窄的濾波特性，LD工作波長將控制在光柵的布拉格發射峰帶寬內，通過加壓應變或改變溫度的方法，調諧FG的布拉格波長，就可以得到波長可控制的激光輸出。FG-LD制作組裝相對簡單，性能卻可與DFB-LD相比擬，激射波長由FG的布拉格波長決定，因此可以精控，單模輸出功率可達10mW以上，小于...

發展上世紀60年代發明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發射的同質結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質結激光二極管，1970年制成室溫下連續工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展，因而推動了光纖通信和其他應用的發展。此外還出現了由Pb1-xS...

PGS適用人群播報編輯高齡孕婦(年齡≥35歲)反復自然流產史的孕婦（自然流產≥3次）反復胚胎種植失敗的孕婦（失敗≥3次）生育過染色體異常疾病患兒的夫婦染色體數目及結構異常的夫婦注意事項播報編輯選擇了PGS，常規產前檢查仍不可忽視。因為全世界各種遺傳性疾病有4000余種，而PGS只能檢查胚胎23對染色體結構和數目的異常，無法覆蓋所有疾病。因為PGS取材有限，只是取一定數量的卵裂球或者囊胚期細胞，雖然不會影響胚胎的正常發育，但取材細胞和留下繼續發育的細胞團遺傳構成并非完全相同，故對于某些染色體嵌合型疾病可能出現篩查結果不符。另外染色體疾病的發病原因至今不明，也沒有預防的辦法。雖然挑選了健康的胚胎，...

?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮，具體應用場景包括：?輔助孵出?：在胚胎發育過程中，透明帶會逐漸變薄并破裂溶解，釋放胚胎使其成功著床于宮腔內。然而，當透明帶過硬或過厚時，胚胎無法自行孵出，從而影響著床和妊娠成功率。此時，激光破膜儀可以對透明帶進行人工打孔或削薄，幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?：在囊胚期，胚胎內部可能形成一個巨大的含水囊腔，這個囊腔對高滲液體置換細胞內的水構成很大阻礙，影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細地打破這個囊腔，放出水分，使高滲液體能夠順利進入細胞內，從而完成對囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發射激光，利用其穿透作用破壞胚胎的某...

其它類型LD光模塊激光二極管內置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅動電路，輸出光信號。其體積小，可靠性高，使用方便，在城域網、同步傳輸系統、同步光纖網絡中都大量采用2.5Gb/s光發射模塊，10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段，向高速化、低成本、微型化發展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性，加熱器改變高分子材料光柵溫度，引發其折射率和光柵節距變化，使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調的集成模塊,有16個波長通道，波長間隔200GHz，插損8--9dB，串擾-25dB。用一個高速調制器對每個波長進行時間調制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...

植入前遺傳學診斷（英文：preimplantation genetic diagnosis，PGD [2]），是在進行胚胎移植前，從卵母細胞或受精卵中取出極體或從植入前階段的胚胎中取1~2個卵裂球或多個滋養層細胞進行特定的遺傳學性狀檢測，然后據此選擇合適的胚胎進行移植的技術 [2-3]。為2019年公布的計劃生育名詞。 應用情況近年來，我國每年通過輔助生殖技術出生的嬰兒有數十萬。胚胎植入前遺傳學診斷技術發展十分迅速。這項技術的廣泛應用，也為將來把基因組編輯技術用于人類受精卵打下了基礎。基因組編輯存在出現差錯的可能性，有可能會發生脫靶或造成胚胎嵌合等現象。將來如果用于臨床，對基因組編輯...

激光破膜儀的優勢 1.提升胚胎發育潛能：激光破膜儀有助于囊胚克服孵化前的結構性阻力，使胚胎內外的代謝產物和營養物質能夠順利交換，從而提升胚胎的發育潛能。 2.節省胚胎能量：通過輔助孵出，激光破膜儀降低了囊胚擴張和孵化所需的能量，節省了活力較差的胚胎在孵化過程中的能量消耗，提高了移植成功的概率。 3.促進胚胎與子宮內膜同步發育：激光破膜儀幫助胚胎提前孵化，使其能夠更早地與子宮內膜接觸，從而實現胚胎和子宮內膜的同步發育，更有助于妊娠成功。激光破膜儀的適用情況激光破膜儀并非***適用，而是針對特定情況的一種輔助手段。如反復種植失敗、透明帶厚度超過15口m、女方年齡≥38歲等情況...

發展上世紀60年代發明的一種光源，命名為激光，LASER是英文的“受激放射光放大”的首字母縮寫。1962年秋***研制出 77K下脈沖受激發射的同質結GaAs 激光二極管。1964 年將其工作溫度提高到室溫。1969年制造出室溫下脈沖工作的單異質結激光二極管，1970年制成室溫下連續工作的 Ga1-xAlxAs/GaAs雙異質結(DH)激光二極管。此后，激光二極管迅速發展。1975年 Ga1-xAlxAs/GaAsDH 激光二極管的壽命提高到105小時以上。In1-xGaxAs1-yPy/InP 長波長DH激光二極管也取得重大進展，因而推動了光纖通信和其他應用的發展。此外還出現了由Pb1-xS...

在動物體細胞核移植技術中，注入去核卵母細胞的是供體細胞核，而非整個供體細胞。這一過程通常涉及顯微注射技術，該技術能夠精細地將細胞核移入卵細胞的透明帶區域，即卵細胞膜的周邊，貼緊在膜表面。這一步驟避免了直接破壞細胞膜，從而減少了對卵細胞的傷害。注入細胞核后，接下來的一個關鍵步驟是通過電脈沖刺激，促使卵母細胞與供體細胞核進行融合。電脈沖能夠有效地打破細胞膜和透明帶之間的連接，使得供體細胞核能夠順利進入卵母細胞內部，為后續的發育提供必要的遺傳信息。這種方法的優勢在于，通過只注入細胞核，能夠比較大限度地保留卵母細胞的細胞質，這些細胞質在早期胚胎發育過程中扮演著重要角色。此外，使用這種方法還可以避免一些...

隨著科技的不斷進步，激光打孔技術作為一種高效、精細的加工方式，在各個領域得到了廣泛的應用。特別是在薄膜材料加工領域，激光打孔技術憑借其獨特的優勢，成為了不可或缺的重要加工手段。本文將重點探討激光打孔技術在薄膜材料中的應用及其優勢。 激光打孔技術簡介激光打孔技術是一種利用高能激光束在薄膜材料上打孔的加工方式。通過精確控制激光束的能量和運動軌跡，可以在薄膜材料上形成微米級甚至納米級的孔洞。這種加工方式具有高精度、高效率、低成本等優點，因此在薄膜材料加工領域具有廣泛的應用前景。 激光破膜儀采用1480nm 的紅外線固態激光二極管 ，屬于 Class 1 級激光，確保了使用過程中的安全性。D...

導電特性圖7 激光二極管二極管**重要的特性就是單方向導電性。在電路中，電流只能從二極管的正極流入，負極流出。下面通過簡單的實驗說明二極管的正向特性和反向特性。1·正向特性在電子電路中，將二極管的正極接在高電位端，負極接在低電位端，二極管就會導通，這種連接方式，稱為正向偏置。必須說明，當加在二極管兩端的正向電壓很小時，二極管仍然不能導通，流過二極管的正向電流十分微弱。只有當正向電壓達到某一數值（這一數值稱為“門檻電壓”，鍺管約為0.2V，硅管約為0.6V）以后，二極管才能直正導通。導通后二極管兩端的電壓基本上保持不變（鍺管約為0.3V，硅管約為0.7V），稱為二極管的“正向壓降”。出廠前進行激...

激光二極管 激光二極管包括單異質結（SH）、雙異質結（DH）和量子阱（QW）激光二極管。量子阱激光二極管具有閾值電流低，輸出功率高的優點，是市場應用的主流產品。同激光器相比，激光二極管具有效率高、體積小、壽命長的優點，但其輸出功率小（一般小于2mW），線性差、單色性不太好，使其在有線電視系統中的應用受到很大限制，不能傳輸多頻道，高性能模擬信號。在雙向光接收機的回傳模塊中，上行發射一般都采用量子阱激光二極管作為光源。 激光破膜儀主要應用于IVF領域。美國DTS激光破膜XYCLONE注意事項播報編輯1.激光二極管發射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡...

DBR-LDDBR-LD（分布布拉格反射器激光二極管）相當有代表性的是超結構光柵SSG結構。器件**是有源層，兩邊是折射光柵形成的SSG區，受周期性間隔調制，其反射光譜變成梳狀峰，梳狀光譜重合的波長以大的不連續變化，可實現寬范圍的波長調諧。采用DBR-LD構成波長轉換器，與調制器單片集成，其芯片左側為雙穩態激光器部分，有兩個***區和一個用作飽和吸收的隔離區；右側是波長控制區，由移相區和DBR構成。1550nm多冗余功能可調諧DBR-LD可獲得16個頻率間隔為100GHz或32頻率間隔為50GHz的波長，隨著大約以10nm間隔跳模，可獲得約100nm的波長調諧。除保留已有的處理和封裝工藝外，還...

其它類型LD光模塊激光二極管內置MQWF-P腔LD或DFB-LD、控制電路、驅動電路，輸出光信號。其體積小，可靠性高，使用方便，在城域網、同步傳輸系統、同步光纖網絡中都大量采用2.5Gb/s光發射模塊，10Gb/s、40Gb/s處于初期試用階段，向高速化、低成本、微型化發展。利用高分子材料Polymer折射率隨溫度變化特性，加熱器改變高分子材料光柵溫度，引發其折射率和光柵節距變化，使其反射波長改變。已研制出Polymer-AWG波長可調的集成模塊,有16個波長通道，波長間隔200GHz，插損8--9dB，串擾-25dB。用一個高速調制器對每個波長進行時間調制的多波長LD正處于研制階段。這是一種...

?激光破膜儀?主要用于輔助胚胎孵出和人工皺縮，具體應用場景包括：?輔助孵出?：在胚胎發育過程中，透明帶會逐漸變薄并破裂溶解，釋放胚胎使其成功著床于宮腔內。然而，當透明帶過硬或過厚時，胚胎無法自行孵出，從而影響著床和妊娠成功率。此時，激光破膜儀可以對透明帶進行人工打孔或削薄，幫助胚胎順利孵出?12。?人工皺縮?：在囊胚期，胚胎內部可能形成一個巨大的含水囊腔，這個囊腔對高滲液體置換細胞內的水構成很大阻礙，影響胚胎的冷凍操作。激光破膜儀能夠精細地打破這個囊腔，放出水分，使高滲液體能夠順利進入細胞內，從而完成對囊胚的冷凍操作?12。激光破膜儀的工作原理激光破膜儀通過發射激光，利用其穿透作用破壞胚胎的某...

1989年Handyside AH首先將PGD成功應用于臨床，用PCR技術行Y染色體特異基因體外擴增，將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別，選女性胚胎移植，幫助有風險生育血友病A、進行性肌營養不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規律，此法無疑否定健康男孩的出生，而允許攜帶者女孩繁衍，并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功，并通過胚胎篩選，誕生了健康嬰兒。之后，α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立，PGD進入對單基因遺傳病的檢測預防階級。1993年以后，...

物理結構是在發光二極管的結間安置一層具有光活性的半導體，其端面經過拋光后具有部分反射功能，因而形成一光諧振腔。在正向偏置的情況下，LED結發射出光來并與光諧振腔相互作用，從而進一步激勵從結上發射出單波長的光，這種光的物理性質與材料有關。在VCD機中，半導體激光二極管是激光頭的**部件之一，它大多是由雙異質結構的鎵鋁砷(AsALGA)三元化合物構成的，是一種近紅外半導體器件，波長為780～820 nm，額定功率為3～5 mw。另外，還有一種可見光(如紅光)半導體激光二極管，也廣泛應用于VCD機以及條形碼閱讀器中。激光二極管的外形及尺寸如圖11所示。其內部結構類型有三種，如圖11所示。操作模式具備...

工作原理播報編輯圖6 激光二極管晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流I0。當外加的反向電壓高到一定程度時，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱...

有哪些疾病與染色體有關？染色體/基因異常導致的常見疾病:1.染色體數目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體，每對都是二倍體，也就是兩對。如果有1，3或更多的染色體，這是染色體數目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數字引起的遺傳病有上百種，如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結構:定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現易位、倒位、重疊等問題。，這是結構異常，平衡易位**常見。如果發現患者是易位攜帶者，流產或IVF周期失敗的風險更大。遺傳病...

激光的產生圖1在講激光產生機理之前，先講一下受激輻射。在光輻射中存在三種輻射過程，一是處于高能態的粒子自發向低能態躍遷，稱之為自發輻射；二是處于高能態的粒子在外來光的激發下向低能態躍遷，稱之為受激輻射；三是處于低能態的粒子吸收外來光的能量向高能態躍遷稱之為受激吸收。圖2 激光二極管示意圖自發輻射，即使是兩個同時從某一高能態向低能態躍遷的粒子，它們發出光的相位、偏振狀態、發射方向也可能不同，但受激輻射就不同，當位于高能態的粒子在外來光子的激發下向低能態躍遷，發出在頻率、相位、偏振狀態等方面與外來光子完全相同的光。在激光器中，發生的輻射就是受激輻射，它發出的激光在頻率、相位、偏振狀態等方面完全一樣...

1989年Handyside AH首先將PGD成功應用于臨床，用PCR技術行Y染色體特異基因體外擴增，將診斷為女性的胚胎移植入子宮獲妊娠成功。開初的PGD都是用PCR或FISH檢測性別，選女性胚胎移植，幫助有風險生育血友病A、進行性肌營養不良等X連鎖遺傳病后代的夫婦妊娠分娩出一正常女嬰。但按遺傳規律，此法無疑否定健康男孩的出生，而允許攜帶者女孩繁衍，并不能切斷致病基因的傳遞。1992年美國首先報道用PCR檢測囊性纖維成功，并通過胚胎篩選，誕生了健康嬰兒。之后，α-1-抗胰島素缺乏癥、色素沉著視網膜炎等多種單基因遺傳病的PGD檢測方法建立，PGD進入對單基因遺傳病的檢測預防階級。1993年以后，...

有哪些疾病與染色體有關？染色體/基因異常導致的常見疾病:1.染色體數目丟失(非整倍體):定義:一個健康人有23對染色體，每對都是二倍體，也就是兩對。如果有1，3或更多的染色體，這是染色體數目錯誤的跡象。遺傳性疾病:由異常數字引起的遺傳病有上百種，如21三體即先天性愚型(或唐氏綜合征)、18三體(愛德華氏病)、13三體(佩吉特病)、5p綜合征(貓叫綜合征)、特納綜合征、克氏綜合征、兩性畸形等。2.異常染色體結構:定義:每條染色體上有許多基因片段。如果一條染色體上的基因片段出現易位、倒位、重疊等問題。，這是結構異常，平衡易位**常見。如果發現患者是易位攜帶者，流產或IVF周期失敗的風險更大。遺傳病...

基因檢測減少流產和胚胎發育異常風險染色體異常是導致流產和胚胎發育不良的主要原因之一。通過基因檢測，醫生可以篩查出攜帶染色體異常的受精卵，并選擇正常的受精卵進行移植，減少流產和胚胎發育異常的風險。在試管胚胎移植前進行染色體篩查可以有效預防常見染色體異常疾病，如唐氏綜合征、愛德華氏綜合征等。這些篩查項目可以通過羊水穿刺、臍血抽取等方式進行。如果提前發現胚胎攜帶染色體異常，可以選擇性終止妊娠或者采取其他措施。基因檢測提高移植成功率在進行試管嬰兒移植前，醫生通常會選擇比較好質的受精卵進行移植。通過基因檢測，醫生可以了解受精卵的遺傳信息、染色體情況等，并根據這些信息選擇**適合移植的受精卵，提高著床率和...

DBR-LDDBR-LD（分布布拉格反射器激光二極管）相當有代表性的是超結構光柵SSG結構。器件**是有源層，兩邊是折射光柵形成的SSG區，受周期性間隔調制，其反射光譜變成梳狀峰，梳狀光譜重合的波長以大的不連續變化，可實現寬范圍的波長調諧。采用DBR-LD構成波長轉換器，與調制器單片集成，其芯片左側為雙穩態激光器部分，有兩個***區和一個用作飽和吸收的隔離區；右側是波長控制區，由移相區和DBR構成。1550nm多冗余功能可調諧DBR-LD可獲得16個頻率間隔為100GHz或32頻率間隔為50GHz的波長，隨著大約以10nm間隔跳模，可獲得約100nm的波長調諧。除保留已有的處理和封裝工藝外，還...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優化器件結構，有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區附近的光波導區為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續相移等結構，提高器件性能。生產技術中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離...

注意事項播報編輯1.激光二極管發射的激光有可能對人眼造成傷害。二極管工作時，嚴禁直接注視其端面，不能透過鏡片直視激光，也不能透過反視鏡觀察激光。2.器件需要合適的驅動電源，瞬時反向電流不能超過2uA，反向電壓不得超過3V,否則會損壞器件。驅動電源子在電源通斷時，要防止浪涌電流的措施。用示波器測試驅動電路時，要先斷開電源再連接示波器探頭，若在通電情況下測試探頭，可能引用浪涌電流損壞器件。3.器件應存放或工作于干凈的環境中。4.在較高溫度下工作，會增大閥值電流，較低轉化頻率，加速器件的老化。在調整光輸入量時，要用光功率表檢測，防止超過大額定輸出。5.輸出功率高于指定參數工作，會加速元件老化。6.機...

什么是激光破膜儀 激光破膜儀是一種先進的科學儀器，通過發射激光作用于胚胎，利用其穿透性破壞胚胎的某些結構，從而協助胚胎完成特定的生長發育階段或便于胚胎師對胚胎進行精細操作。這種設備在輔助生殖技術中扮演著重要角色，特別是在處理高齡女性卵子透明帶過硬的問題時，具有***的優勢。 激光破膜儀的適用情況 激光破膜儀并非***適用，而是針對特定情況的一種輔助手段。如反復種植失敗、透明帶厚度超過15μm、女方年齡≥38歲等情況，可以考慮實施輔助孵化。然而，對于大部分群體而言，并不需要輔助孵化，也不會影響胚胎的著床成功率。 可幫助胚胎更好地從透明帶中孵出，提高胚胎的著床率和妊娠率。北京...

DFB-LD多采用Ⅲ和Ⅴ族元素組成的三元化合物、四元化合物，在1550nm波段內，**成熟的材料是InGaAsP/InP。新型AIGaInAs/InP材料的研發日趨成熟，國際上*少數幾家廠商可提供商用產品。優化器件結構，有源區為應變超晶格QW。有源區周邊一般為雙溝掩埋或脊型波導結構。有源區附近的光波導區為DFB光柵，采用一些特殊的設計，如：波紋坡度可調分布耦合、復耦合、吸收耦合、增益耦合、復合非連續相移等結構，提高器件性能。生產技術中，金屬有機化學汽相淀積MOCVD和光柵的刻蝕是其關鍵工藝。MOCVD可精確控制外延生長層的組分、摻雜濃度、薄到幾個原子層的厚度，生長效率高，適合大批量制作，反應離...

檢測方法播報編輯（1）阻值測量法：拆下激光二極管，用萬用表R×1k或R×10k檔測量其正、反向電阻值。正常時，正向電阻值為20~40kΩ之間，反向電阻值為∞（無窮大）。若測得正向電阻值已超過50kΩ，則說明激光二極管的性能已下降。若測得的正向電阻值大于90kΩ，則說明該二極管已嚴重老化，不能再使用了。（2）電流測量法：用萬用表測量激光二極管驅動電路中負載電阻兩端的電壓降，再根據歐姆定律估算出流過該管的電流值，當電流超過100mA時，若調節激光功率電位器，而電流無明顯的變化，則可判斷激光二極管嚴重老化。若電流劇增而失控，則說明激光二極管的光學諧振腔已損壞。胚胎活組織檢查時，可利用激光精確獲取胚胎...

激光二極管的發光原理：激光二極管中的P-N結由兩個摻雜的砷化鎵層形成。它有兩個平端結構，平行于一端鏡像（高度反射面）和一個部分反射。要發射的光的波長與連接處的長度正好相關。當P-N結由外部電壓源正向偏置時，電子通過結而移動，并像普通二極管那樣重新組合。當電子與空穴復合時，光子被釋放。這些光子撞擊原子，導致更多的光子被釋放。隨著正向偏置電流的增加，更多的電子進入耗盡區并導致更多的光子被發射。**終，在耗盡區內隨機漂移的一些光子垂直照射反射表面，從而沿著它們的原始路徑反射回去。反射的光子再次從結的另一端反射回來。光子從一端到另一端的這種運動連續多次。在光子運動過程中，由于雪崩效應，更多的原子會釋放...