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二氧化碳標準氣體廠家供應而使有光刻膠掩蔽的區域保存下來,這樣便在基片表面得到所需要的成像圖形。蝕刻的基本要求是,圖形邊緣整齊,線條清晰,圖形變換差小,且對光刻膠膜及其掩蔽保護的表面無損傷和鉆蝕。蝕刻方式有濕法化學蝕刻和干法化學蝕刻。干法蝕刻所用氣體稱蝕刻氣體,通常多為氟化物氣體,例如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。干法蝕刻由于蝕刻方向性強、工藝控制精確、方便、無脫膠現象、無基片損傷和沾污,所以其應用范圍日益***。1.特種氣體(Specialtygases)：指那些在特定領域中應用的,對氣體有特殊要求的純氣、高純氣或由高純單質氣體配制的二元或多元混合氣。特種氣體門類繁多,通常可區分為電子氣...