OBIRCH與EMMI技術在集成電路失效分析領域中扮演著互補的角色，其主要差異體現在檢測原理及應用領域。具體而言，EMMI技術通過光子檢測手段來精確定位漏電或發光故障點，而OBIRCH技術則依賴于激光誘導電阻變化來識別短路或阻值異常區域。這兩種技術通常被整合于同一檢測系統（即PEM系統）中，其中EMMI技術在探測光子發射類缺陷，如漏電流方面表現出色，而OBIRCH技術則對金屬層遮蔽下的短路現象具有更高的敏感度。例如，EMMI技術能夠有效檢測未開封芯片中的失效點，而OBIRCH技術則能有效解決低阻抗（<10 ohm）短路問題。它嘗試通過金屬層邊緣等位置的光子來定位故障點，解決了復雜的檢測難題。低溫熱微光顯微鏡選購指南

通過對這些微光信號的成像與定位，它能直接“鎖定”電性能缺陷的物理位置，如同在黑夜中捕捉螢火蟲的微光，實現微米級的定位。而熱紅外顯微鏡則是“溫度的解讀師”，依托紅外熱成像技術，它檢測的是芯片工作時因能量損耗產生的溫度差異。電流通過芯片時的電阻損耗、電路短路時的異常功耗，都會轉化為局部溫度的細微升高，這些熱量以紅外輻射的形式散發，被熱紅外顯微鏡捕捉并轉化為熱分布圖。通過分析溫度異常區域，它能間接推斷電路中的故障點，尤其擅長發現與能量損耗相關的問題。紅外光譜微光顯微鏡新款支持離線數據分析，可將檢測圖像導出后進行深入處理，不占用設備的實時檢測時間。

EMMI的本質只是一臺光譜范圍廣，光子靈敏度高的顯微鏡。

但是為什么EMMI能夠應用于IC的失效分析呢？

原因就在于集成電路在通電后會出現三種情況：1.載流子復合；2.熱載流子；3.絕緣層漏電。當這三種情況發生時集成電路上就會產生微弱的熒光，這時EMMI就能捕獲這些微弱熒光，這就給了EMMI一個應用的機會而在IC的失效分析中，我們給予失效點一個偏壓產生熒光，然后EMMI捕獲電流中產生的微弱熒光。原理上，不管IC是否存在缺陷，只要滿足其機理在EMMI下都能觀測到熒光

微光顯微鏡的原理是探測光子發射。它通過高靈敏度的光學系統捕捉芯片內部因電子 - 空穴對（EHP）復合產生的微弱光子（如 P-N 結漏電、熱電子效應等過程中的發光），進而定位失效點。其探測對象是光信號，且多針對可見光至近紅外波段的光子。熱紅外顯微鏡則基于紅外輻射測溫原理工作。芯片運行時，失效區域（如短路、漏電點）會因能量損耗異常產生局部升溫，其釋放的紅外輻射強度與溫度正相關。設備通過檢測不同區域的紅外輻射差異，生成溫度分布圖像，以此定位發熱異常點，探測對象是熱信號（紅外波段輻射）。我司自主研發的桌面級設備其緊湊的機身設計，可節省實驗室空間，適合在小型研發機構或生產線上靈活部署。

適用場景的分野，進一步凸顯了二者（微光顯微鏡&熱紅外顯微鏡）的互補價值。在邏輯芯片、存儲芯片的量產檢測中，微光顯微鏡通過對細微電缺陷的篩查，助力提升產品良率，降低批量報廢風險；而在功率器件、車規芯片的可靠性測試中，熱紅外顯微鏡對熱分布的監測，成為驗證產品穩定性的關鍵環節。實際檢測中，二者常組合使用：微光顯微鏡定位電缺陷后，熱紅外顯微鏡可進一步分析該缺陷是否引發異常發熱，形成 “光 - 熱” 聯動的全維度分析，為企業提供更佳的故障診斷依據。分析低阻抗短路時，微光顯微鏡可用于未開蓋樣品測試，還能定位大型 PCB 上金屬線路及元器件失效點。直銷微光顯微鏡銷售公司

其低噪聲電纜連接設計，減少信號傳輸過程中的損耗，確保微弱光子信號完整傳遞至探測器。低溫熱微光顯微鏡選購指南

對半導體研發工程師而言，排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產工藝制程損傷等潛在因素后，若仍未找到癥結，往往需要芯片原廠介入，通過剖片分析深入探究內核。

然而，受限于專業分析設備的缺乏，再加上芯片內部設計涉及機密，工程師難以深入了解其底層構造，這就導致他們在面對原廠出具的分析報告時，常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細節，也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 低溫熱微光顯微鏡選購指南