12、 雪崩二極管 （Avalanche Diode）它是在外加電壓作用下可以產(chǎn)生高頻振蕩的晶體管。產(chǎn)生高頻振蕩的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯后于電壓，出現(xiàn)延遲時間，若適當?shù)乜刂贫稍綍r間，那么，在電流和電壓關(guān)系上就會出現(xiàn)負阻效應，從而產(chǎn)生高頻振蕩。它常被應用于微波領域的振蕩電路中。使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。深圳市凱軒業(yè)科技是一家專業(yè)變?nèi)荻O管方案設計公司，歡迎新老客戶來電！湖南變?nèi)荻O管生產(chǎn)廠家

功率的區(qū)分實際上就是電流的區(qū)分，大功率就是流過電流大的，小功率就相反，就是流過電流小的。簡單舉個例，如下圖為1N400系列二極管的參數(shù)，如下圖可以看出IF為1A，而1N400系列二極管的管壓降為0.7V，P=UI,所以可得為0.7W。所以功率的大小就可以通過上述方式計算可得。較大平均整流電流IF：指二極管長期工作時允許通過的較大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時應通過二極管的平均電流不能大于此值，并要滿足散熱條件。湖南變?nèi)荻O管生產(chǎn)廠家變?nèi)荻O管，就選深圳市凱軒業(yè)科技有限公司。

擴散型二極管在高溫的 P 型雜質(zhì)氣體中，加熱 N 型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成 P 型，以此法 PN 結(jié)。因 PN 結(jié)正向電壓降小，適用于大電流整流。較近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉(zhuǎn)移到硅擴散型。5、臺面型二極管PN 結(jié)的制作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留 PN 結(jié)及其必要的部分，把不必要的部分用藥品腐蝕掉。其剩余的部分便呈現(xiàn)出臺面形，因而得名。初期生產(chǎn)的臺面型，是對半導體材料使用擴散法而制成的。因此，又把這種臺面型稱為擴散臺面型。對于這一類型來說，似乎大電流整流用的產(chǎn)品型號很少，而小電流開關(guān)用的產(chǎn)品型號卻很多。

6、放大用二極管用二極管放大，有依靠隧道二極管和體效應二極管那樣的負阻性器件的放大，以及用變?nèi)荻O管的參量放大。因此，放大用二極管通常是指隧道二極管、體效應二極管和變?nèi)荻O管。7、開關(guān)用二極管有在小電流下（10mA 程度）使用的邏輯運算和在數(shù)百毫安下使用的磁芯激勵用開關(guān)二極管。小電流的開關(guān)二極管通常有點接觸型和鍵型等二極管，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、臺面型和平面型二極管。開關(guān)二極管的特長是開關(guān)速度快。而肖特基型二極管的開關(guān)時間特短，因而是理想的開關(guān)二極管。2AK 型點接觸為中速開關(guān)電路用；2CK 型平面接觸為高速開關(guān)電路用；用于開關(guān)、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關(guān)，正向壓降小，速度快、效率高。用戶的信賴之選，圳市凱軒業(yè)科技是一家專業(yè)變?nèi)荻O管方案設計公司，期待您的光臨！

反向恢復時間 (trr) 是指開關(guān)二極管從導通狀態(tài)到完全關(guān)閉狀態(tài)所經(jīng)過的時間。一般關(guān)斷后電子不能瞬間停止，有一定量的反向電流流過。其漏電流越大損耗也越大。還正在開發(fā)優(yōu)化材料或擴散重金屬從而縮短trr，抑制反沖后振蕩（振鈴）的FRD (Fast Recovery Diode) 等產(chǎn)品。trr是指電壓變?yōu)榉聪蚝螅钡诫娏髯優(yōu)榱愕臅r間。trr快速，則可以實現(xiàn)低損耗、高速開關(guān)使用穩(wěn)壓二極管的關(guān)鍵是設計好它的電流值。穩(wěn)壓二極管的特點就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。 這樣，當把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。線性穩(wěn)壓電源是比較早使用的一類直流穩(wěn)壓電源，深圳市凱軒業(yè)科技。自動化變?nèi)荻O管單價

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15、肖特基二極管 （Schottky Barrier Diode）它是具有肖特基特性的“金屬半導體結(jié)”的二極管。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以采用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料采用硅或砷化鎵，多為 N 型半導體。這種器件是由多數(shù)載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數(shù)載流子導電的 PN 結(jié)大得多。由于肖特基二極管中少數(shù)載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響但為 RC 時間常數(shù)限制，因而，它是高頻和快速開關(guān)的理想器件。其工作頻率可達 100GHz。并且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來制作太陽能電池或發(fā)光二極管。湖南變?nèi)荻O管生產(chǎn)廠家