場效應管大功率電路：(1)為了安全使用場效應管,在線路的設計中不能超過管的耗散功率,較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數的極限值.(2)各類型場效應管在使用時,都要嚴格按要求的偏置接人電路中,要遵守場效應管偏置的極性.如結型場效應管柵源漏之間是PN結,N溝道管柵極不能加正偏壓;P溝道管柵極不能加負偏壓。(3)MOS場效應管由于輸人阻抗極高,所以在運輸、貯藏中必須將引出腳短路,要用金屬屏蔽包裝,以防止外來感應電勢將柵極擊穿.尤其要注意,不能將MOS場效應管放人塑料盒子內,保存時比較好放在金屬盒內,同時也要注意管的防潮.場效應管布局走線合理，整機穩定性高，信噪比佳，音樂細節有很好表現 。珠海單級場效應管用途

場效應管的測試判定估測場效應管的放大能力:　將萬用表撥到R×100檔，紅表筆接源極S，黑表筆接漏極D，相當于給場效應管加上1.5V的電源電壓。這時表針指示出的是D-S極間電阻值。然后用手指捏柵極G，將人體的感應電壓作為輸入信號加到柵極上。由于管子的放大作用，UDS和ID都將發生變化，也相當于D-S極間電阻發生變化，可觀察到表針有較大幅度的擺動。如果手捏柵極時表針擺動很小，說明管子的放大能力較弱；若表針不動，說明管子已經損壞。臺州金屬氧化半導體場效應管供應增強型場效應管特點:當Vgs=0時Id(漏極電流)=0。

場效應管MOSFET工作原理：場效應管的工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID，利用柵極與溝道間的PN結形成的反偏的柵極點壓控制ID?！备_地說，ID流經通路的寬度（溝道橫截面面積），它是由pn結反偏的變化，產生耗盡層擴展變化控制的緣故。在VGS=0的非飽和區域，表示的過渡層的擴展因為不很大，根據漏極-源極間所加VDS的電場，源極區域的某些電子被漏極拉去，即從漏極向源極有電流ID流動。從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。這意味著過渡層將溝道的一部分阻擋，并不是電流被切斷。

場效應管注意事項:結型場效應管的柵源電壓不能接反，可以在開路狀態下保存，而絕緣柵型場效應管在不使用時，由于它的輸入電阻非常高，須將各電極短路，以免外電場作用而使管子損壞。焊接時，電烙鐵外殼必須裝有外接地線，以防止由于電烙鐵帶電而損壞管子。對于少量焊接，也可以將電烙鐵燒熱后拔下插頭或切斷電源后焊接。特別在焊接絕緣柵場效應管時，要按源極－漏極－柵極的先后順序焊接，并且要斷電焊接。對于功率型場效應管，要有良好的散熱條件。因為功率型場效應管在高負荷條件下運用，必須設計足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩定可靠地工作。在場效應晶體管中，當以線性模式工作時，電子可以沿任意方向流過溝道。

場效應管的電極柵極可以被認為是控制一個物理柵的開關。這個柵極可以通過制造或者消除源極和漏極之間的溝道，從而允許或者阻礙電子流過。如果受一個加上的電壓影響，電子流將從源極流向漏極。體很簡單的就是指柵、漏、源極所在的半導體的塊體。通常體端和一個電路中較高或較低的電壓相連，根據類型不同而不同。體端和源極有時連在一起，因為有時源也連在電路中較高或較低的電壓上。當然有時一些電路中FET并沒有這樣的結構，比如級聯傳輸電路和串疊式電路。場效應管它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）。金華大功率場效應管推薦

場效應管它是利用多數載流子導電，因此它的溫度穩定性較好。珠海單級場效應管用途

場效應管在過渡層由于沒有電子、空穴的自由移動，在理想狀態下幾乎具有絕緣特性，通常電流也難流動。但是此時漏極-源極間的電場，實際上是兩個過渡層接觸漏極與門極下部附近，由于漂移電場拉去的高速電子通過過渡層。因漂移電場的強度幾乎不變產生ID的飽和現象。其次，VGS向負的方向變化，讓VGS=VGS(off)，此時過渡層大致成為覆蓋全區域的狀態。而且VDS的電場大部分加到過渡層上，將電子拉向漂移方向的電場，只有靠近源極的很短部分，這更使電流不能流通。珠海單級場效應管用途

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