場效應晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型：結型場效應管（junctionFET—JFET)和金屬-氧化物半導體場效應管（metal-oxidesemiconductorFET，簡稱MOS-FET）。由多數載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。 從門極向漏極擴展的過度層將溝道的一部分構成堵塞型，ID飽和。將這種狀態稱為夾斷。嘉興J型場效應管供應商

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場效應管非常重要的一個作用是作開關作用，作開關時候多數應用于各類電子負載控制、開關電源開關管，MOS管非常明顯的特性是開關特性好，對于NMOS來說，Vgs大于一定的值就會導通，適合用于源極接地時的情況，也就是所謂的低端驅動，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。而對于PMOS來說，Vgs小于一定的值就會導通，適合用于源極接VCC時的情況，也就是驅動。但是，雖然PMOS可以很方便地用作驅動，但由于導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在驅動中，通常還是使用NMOS。如下圖是某開關電源其中一部分電路圖，在這里的Q1場效應管用作PWM調制器或開關穩壓控制器的功率開關管。

場效應管與雙極性晶體管的比較場效應管是電壓控制器件，柵極基本不取電流，而晶體管是電流控制器件，基極必須取一定的電流。因此，在信號源額定電流極小的情況，應選用場效應管。場效應管是多子導電，而晶體管的兩種載流子均參與導電。由于少子的濃度對溫度、輻射等外界條件很敏感，因此，對于環境變化較大的場合，采用場效應管比較合適。場效應管除了和晶體管一樣可作為放大器件及可控開關外，還可作壓控可變線性電阻使用。場效應管的源極和漏極在結構上是對稱的，可以互換使用，耗盡型MOS管的柵——源電壓可正可負。因此，使用場效應管比晶體管靈活。 場效應晶體管的一個優點是它的柵極到主電流電阻高（≥100 MΩ）。

場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是既有多數載流子，也利用少數載流子導電，被稱之為雙極型器件。有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比三極管好。場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了普遍的應用。 場效應管工作原理用一句話說，就是“漏極-源極間流經溝道的ID。上海P溝增強型場效應管作用

場效應管由源極、漏極和柵極三個電極組成，其中柵極與源極之間的電場可以控制漏極和源極之間的電流。嘉興J型場效應管供應商

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