江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，使8吋SiC線割片磨耗比達300% Ra≤3nm TTV≤2μm 彰顯高精度與高磨耗比優勢。減薄工藝砂輪定制

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其專研的**高性能陶瓷結合劑**和**“Dmix+”制程工藝**，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。適配砂輪合作在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對6吋SiC線割片進行精磨，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，以其高精度、低損耗、強適配的特性，成為第三代半導體材料加工的優先選擇。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能展現出優越的性能。在東京精密-HRG200X減薄機上，6吋和8吋SiC線割片的加工結果顯示，表面粗糙度Ra值和總厚度變化TTV均達到了行業先進水平。同時，砂輪的磨耗比極低，使用壽命長，為客戶節省了大量成本。此外，優普納的砂輪還能根據客戶設備進行定制，適配性強，能夠滿足不同客戶的多樣化需求。這種綜合優勢，使得優普納在國產碳化硅減薄砂輪市場中脫穎而出，成為行業的目標。

針對第三代半導體材料（SiC/GaN）的減薄需求，優普納砂輪適配6吋、8吋晶圓，滿足襯底片粗磨、精磨全流程。以東京精密HRG200X設備為例，6吋SiC線割片采用2000#砂輪粗磨，磨耗比只15%，Ra≤30nm；精磨使用30000#砂輪，磨耗比120%，Ra≤3nm，TTV穩定在2μm以下。DISCO設備案例中，8吋晶圓精磨后TTV≤2μm，適配性強，可替代日本、德國進口產品。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。在東京精密-HRG200X減薄機上，優普納砂輪對8吋SiC線割片進行精磨，磨耗比300%，Ra≤3nm，TTV≤2μm。

江蘇優普納科技有限公司的碳化硅晶圓減薄砂輪，憑借其高性能陶瓷結合劑和“Dmix+”制程工藝，在第三代半導體材料加工領域樹立了新的目標。這種獨特的結合劑配方不只賦予了砂輪強度高和韌性，還通過多孔顯微組織的設計，實現了高研削性能和良好的散熱效果。在實際應用中，無論是粗磨還是精磨，優普納的砂輪都能保持穩定的性能，減少振動和損傷，確保加工后的晶圓表面質量優異。這種技術優勢不只滿足了半導體制造的需求，還為國產化替代提供了堅實的技術支持。優普納砂輪于東京精密-HRG200X減薄機上，對8吋SiC線割片進行粗磨，磨耗比35%，Ra≤30nm，TTV≤3μm。半導體設備砂輪定制

優普納的碳化硅晶圓減薄砂輪，以高性能和高可靠性，逐步替代進口產品，助力國內半導體產業供應鏈的安全。減薄工藝砂輪定制

隨著半導體行業的快速發展，超薄晶圓的需求持續增長。這對襯底粗磨減薄砂輪提出了更高的挑戰。江蘇優普納科技有限公司緊跟行業發展趨勢，致力于研發更先進的砂輪技術和制造工藝。我們通過與高校、科研機構的合作，不斷探索新的磨料、結合劑和制備技術，以提高砂輪的磨削效率和加工質量。同時，我們還注重環保型砂輪的研發和推廣，積極響應國家對于綠色制造的號召。江蘇優普納科技有限公司專業生產砂輪，品質有保證，歡迎您的隨時致電咨詢，為您提供滿意的產品以及方案。減薄工藝砂輪定制