超表面通過納米結構調控光場，傳統電子束光刻成本高昂且效率低下。Polos 光刻機的激光直寫技術在石英基底上實現了亞波長量級的圖案曝光，將超表面器件制備成本降低至傳統方法的 1/5。某光子學實驗室利用該設備，研制出寬帶消色差超表面透鏡，在 400-1000nm 波長范圍內成像誤差小于 5μm。其靈活的圖案編輯功能還支持實時優化結構參數，使器件研發周期從數周縮短至 24 小時，推動超表面技術從理論走向集成光學應用。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。未來技術儲備：持續研發光束整形與多材料兼容工藝，lead微納制造前沿。北京桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

在科研領域，設備的先進程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS μ 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術，摒棄了傳統光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進行曝光，在微流體、電子學和納 / 微機械系統等領域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復雜的微通道網絡，助力藥物傳輸、細胞培養等研究。在電子學方面，可實現高精度的電路圖案曝光，為芯片研發提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創新的得力助手 。廣東POLOSBEAM光刻機可以自動聚焦波長無掩模激光直寫技術：無需物理掩膜，軟件直接輸入任意圖案，降低成本與時間。

Polos-BESM支持GDS文件直接導入和多層曝光疊加，簡化射頻器件（如IDC電容器）制造流程。研究團隊利用類似設備成功制備高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。其高重復性（0.1 μm）確保科研成果的可轉化性，助力國產芯片產業鏈突破技術封鎖56。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

一所高校的電子工程實驗室專注于新型傳感器的研究。在開發一款超靈敏壓力傳感器時，面臨著如何在微小尺寸上構建高精度電路圖案的難題。德國 Polos 光刻機的引入解決了這一困境。其可輕松輸入任意圖案進行曝光的特性，讓研究人員能夠根據傳感器的特殊需求，設計并制作出獨特的電路結構。通過 Polos 光刻機precise的光刻，成功制造出的壓力傳感器，靈敏度比現有市場產品提高了兩倍以上。該成果已獲得多項patent，并吸引了多家科技企業的關注，有望實現產業化應用，為可穿戴設備、智能機器人等領域帶來新的發展機遇。高頻元件驗證：成功開發射頻器件與IDC電容器，加速國產芯片產業鏈突破。

某材料科學研究中心在探索新型納米復合材料的性能時，需要在材料表面構建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現這一目標的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結構。經過測試發現，帶有特定圖案的納米復合材料，其電學、光學和力學性能發生了remarkable改變。例如，一種原本光學性能普通的納米材料，在經過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發新型光電器件和光學傳感器提供了新的材料選擇和設計思路 。客戶認可：全球 500 + 客戶滿意度達 98%，復購率 75%，技術支持響應時間 < 2 小時。廣東POLOSBEAM光刻機可以自動聚焦波長

POLOS μ 光刻機：桌面級設計，2-23μm 可調分辨率，兼容 4 英寸晶圓，微機電系統加工誤差 < 5μm。北京桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

Polos-BESM在電子器件原型開發中展現高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯網硬件中的潛力。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。北京桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸