某集成電路實驗室利用 Polos 光刻機開發了基于相變材料的存算一體芯片。其激光直寫技術在二氧化硅基底上實現了 100nm 間距的電極陣列，器件的讀寫速度達 10ns，較傳統 SRAM 提升 100 倍。通過在電極間集成 20nm 厚的 Ge2Sb2Te5 相變材料，芯片實現了計算與存儲的原位融合，能效比達 1TOPS/W，較傳統馮?諾依曼架構提升 1000 倍。該技術被用于邊緣計算設備，使圖像識別延遲從 50ms 縮短至 5ms，相關芯片已進入小批量試產階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。光刻膠broad兼容：支持AZ5214E、SU-8等材料，優化參數降低側壁粗糙度。遼寧PSP光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

德國Polos-BESM系列光刻機采用無掩模激光直寫技術，突破傳統光刻對物理掩膜的依賴，支持用戶通過軟件直接輸入任意圖案進行快速曝光。其亞微米分辨率（most小線寬0.8 μm）和405 nm紫外光源，可在5英寸晶圓上實現高精度微納結構加工18。系統體積緊湊，only占桌面空間，搭配閉環自動對焦（1秒完成）和半自動多層對準功能，大幅提升實驗室原型開發效率，適用于微流體芯片設計、電子元件制造等領域。無掩模光刻技術可以隨意進行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協的情況下，將該技術帶到了桌面上，進一步提升了其優勢。遼寧PSP光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸跨學科應用：覆蓋微機械、光子晶體、仿生傳感器與納米材料合成領域。

細胞培養芯片需根據不同細胞類型設計表面微結構，傳統光刻依賴掩模庫，難以滿足個性化需求。Polos 光刻機支持 STL 模型直接導入，某干細胞研究所在 24 小時內完成了神經干細胞三維培養支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細胞黏附需求。實驗顯示，使用該支架的神經細胞軸突生長速度提升 30%，為神經再生機制研究提供了高效工具，相關技術已授權給生物芯片企業實現量產。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。

在微流控芯片集成領域，某微機電系統實驗室利用 Polos 光刻機的多材料同步曝光技術，在同一塊 PDMS 芯片上直接制備出金屬電極驅動的氣動泵閥結構。其微泵通道寬度可控制在 20μm，流量調節精度達 ±1%，響應時間小于 50ms。通過軟件輸入不同圖案，可在 10 分鐘內完成從連續流到脈沖流的模式切換。該芯片被用于單細胞代謝分析，實現了單個tumor細胞葡萄糖攝取率的實時監測，檢測靈敏度較傳統方法提升 3 倍，相關設備已進入臨床前驗證階段。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。POLOS μ：超緊湊設計，納米級精度專攻微流控與細胞芯片。

在構建肝臟芯片的血管化網絡時，某生物工程團隊使用 Polos 光刻機實現了跨尺度結構制備。其無掩模技術在 200μm 的主血管與 5μm 的blood capillary間precise銜接，血管內皮細胞貼壁率達 95%，較傳統光刻提升 30%。通過輸入 CT 掃描的真實肝臟血管數據，芯片成功模擬門靜脈與肝竇的血流梯度，使肝細胞功能維持時間從 7 天延長至 21 天。該技術為藥物肝毒性測試提供了接近體內環境的模型，某制藥公司使用后將候選藥物篩選周期縮短 40%，相關成果登上《Lab on a Chip》封面。成本效益：單次曝光成本低于傳統光刻 1/3，小批量研發更經濟。四川POLOSBEAM光刻機MAX層厚可達到10微米

光學超材料突破：光子晶體結構precise制造，賦能超透鏡與隱身技術研究。遼寧PSP光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

SPS POLOS μ以緊湊的桌面設計降低實驗室設備投入，光束引擎通過壓電驅動實現高速掃描（單次寫入400 μm區域）。支持AZ5214E等光刻膠的高效曝光，成功制備3 μm間距微圖案陣列和叉指電容器，助力納米材料與柔性電子器件的快速驗證。其無掩模特性進一步減少材料浪費，為中小型實驗室提供經濟解決方案62。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術，用于在基板上以高精度和高分辨率創建復雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發出一款緊湊且經濟高效的 MLL 系統。通過與計算機輔助設計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進行曝光。該系統占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應用于微流體、電子學和納/微機械系統等各個領域。該系統的經濟高效性使其優勢擴展到大學研究實驗室以外的領域，為半導體和醫療公司提供了利用其功能的機會。遼寧PSP光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸