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四川碳化硅襯底進口6寸led

來源: 發布時間:2022-07-03

新能源汽車是碳化硅功率器件市場的主要增長驅動。SiC功率器件主要應用于新能源車逆變器、DC/DC轉換器、電機驅動器和車載充電器(OBC)等電控領域,以完成較Si更高效的電能轉換。預計隨著新能源車需求快速爆發,以及SiC襯底工藝成熟、帶來產業鏈降本增效,產業化進程有望提速。1)應用端:解決電動車續航痛點。據Wolfspeed測算,將純電動汽車逆變器中的功率組件改成SiC時,可降低電力電子系統的體積、重量和成本,提升車輛5%-10%的續航。據英飛凌測算,SiC器件整體損耗相比Si基器件降低80%以上,導通及開關損耗減小,有助于增加電動車續航里程。SiC的熱穩定性比較高。在常壓下不會熔化。四川碳化硅襯底進口6寸led

碳化硅(SIC)是半導體界公認的“一種未來的材料”,是新世紀有廣闊發展潛力的新型半導體材料。預計在今后5~10年將會快速發展和有***成果出現。促使碳化硅發展的主要因素是硅(SI)材料的負載量已到達極限,以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。根據數據顯示,碳化硅(SiC)電力電子市場是具體而實在,且發展前景良好。這種趨勢非但不會改變,碳化硅行業還會進一步向前發展。用戶正在嘗試碳化硅技術,以應用于具體且具有發展前景的項目。四川碳化硅襯底進口6寸led碳化硅由于其獨特的物理及電子特性,在一些應用上成為短波長光電元件,高溫,抗幅射以及高頻大功率元件。

從襯底的下游晶圓與器件來看,大量生產廠家仍然位于日本、歐洲與美國;但國內生產廠家在襯底領域已經擁有了一定的市場份額。根據Yole數據,在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中,貳陸公司(II-IV)、科銳公司(Cree)以及天岳先進依次占據甲的位置,市場份額分別為35%、33%和30%,市場高度集中。從資金來看,國內第三代半導體投資力度高企,力爭追趕國際廠商。根據CASA披露的數據顯示,2018年至今,國內廠商始終加強布局第三代半導體產業,2020年共有24筆投資擴產項目,增產投資金額超過694億元,其中碳化硅領域共17筆、投資550億元。

碳化硅襯底可分為兩類:一類是具有高電阻率(電阻率≥105Ω·cm)的半絕緣型碳化硅襯底,另一類是低電阻率(電阻率區間為15~30mΩ·cm)的導電型碳化硅襯底。國內供需仍存缺口,有效產能不足。我國2020年碳化硅導電型襯底產能約40萬片/年(約當4英寸)、外延片折合6英寸22萬片/年、器件26萬片/年;半絕緣型襯底折算4英寸產能近18萬片/年。受限于良率及技術影響,目前國內實際項目投產較為有限,實際產能開出率較低。隨著新能源汽車、5G等下游應用市場的快速起量,國內現有產品供給無法滿足需求,目前第三代半導體主要環節國產化率仍然較低,超過80%的產品要靠進口。碳化硅的硬度很大,具有優良的導熱和導電性能,高溫時能抗氧化。

從 80 年代末起,SiC 材料與器件的飛速發展。由于 SiC 材料種類很多,性質各異,它的應用范圍十分***。  在大功率器件方面,利用 SiC 材料可以制作的器件,其電流特性、電壓特性、和高頻特性等具有比 Si材料更好的性質。  在高頻器件方面,SiC 高頻器件輸出功率更高,且耐高溫和耐輻射輻射特性更好,可用于通信電子系統等。  在光電器件方面,利用 SiC 不影響紅外輻射的性質,可將其用在紫外探測器上,在 350℃的溫度檢測紅外背景下的紫外信號,功率利用率 80%左右。  在耐輻射方面,一些 SiC 器件輻射環境惡劣的條件下使用如核反應堆中應用。 高溫應用方面,利用 SiC 材料制備的器件工作溫度相當地高,如 SiC MOSFET和 SiC 肖特基二極管可在 900k 下工作。  從世界范圍來看,高功率器件是有可能實現的,應用潛力也比較大,如圖 1.2所示。SiC 作為二元化合物半導體,屬于Ⅳ族元素中***的固態化合物。它 Si-C 健的能量很穩定,這也是 SiC 在各種極端環境下仍能穩定的原因。SiC 的原子化學能高達 1250KJ/mol;德拜溫度達到 1200-1430K,摩爾硬度達到 9 級,比金剛石摩爾硬度低些;導熱性良好,達 5W/cm.K,比其他半導體材料好很多。碳化硅作襯底的LED器件亮度更高、能耗更低、壽命更長、單位芯片面積更小。廣州碳化硅襯底6寸n型

SiC的基本結構單元是Si-C四面體,屬于密堆積結構。四川碳化硅襯底進口6寸led

    功率半導體多被用于轉換器及逆變器等電力轉換器進行電力控制。目前,功率半導體材料正迎來材料更新換代,這些新材料就是SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵),二者的物理特性均優于現在使用的Si(硅),作為節能***受到了電力公司、汽車廠商和電子廠商等的極大期待。將Si換成GaN或SiC等化合物半導體,可大幅提高產品效率并縮小尺寸,這是Si功率半導體元件(以下簡稱功率元件)無法實現的。目前,很多領域都將Si二極管、MOSFET及IGBT(絕緣柵雙極晶體管)等晶體管用作功率元件,比如供電系統、電力機車、混合動力汽車、工廠內的生產設備、光伏發電系統的功率調節器、空調等白色家電、服務器及個人電腦等。這些領域利用的功率元件的材料也許不久就將被GaN和SiC所替代。 四川碳化硅襯底進口6寸led

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