隨著下游新能源汽車、充電樁、光伏、5G基站等領域的爆發，了對第三代半導體——碳化硅材料襯底、外延與器件方面的巨大市場需求，國內眾多企業紛紛通過加強技術研發與資本投入布局碳化硅產業，我們首先來探討一下碳化硅襯底的國產化進程。碳化硅分為立方相（閃鋅礦結構）、六方相（纖鋅礦結構）和菱方相3大類共 260多種結構，目前只有六方相中的 4H-SiC、6H-SiC才有商業價值。另碳化硅根據電學性能的不同主要可分為高電阻（電阻率 ≥105Ω·cm）的半絕緣型碳化硅襯底和低電阻（電阻率區間為 15~30mΩ·cm）的導電型碳化硅襯底，滿足不同功能芯片需求碳化硅襯底的的參考價格大概是多少？進口半絕緣碳化硅襯底

   SiC產業鏈包括上游的襯底和外延環節、中游的器件和模塊制造環節，以及下游的應用環節。其中襯底的制造是產業鏈技術壁壘比較高、價值量比較大環節，是未來SiC大規模產業化推進的。1)襯底：價值量占比46%，為的環節。由SiC粉經過長晶、加工、切割、研磨、拋光、清洗環節終形成襯底。其中SiC晶體的生長為工藝，難點在提升良率。類型可分為導電型、和半絕緣型襯底，分別用于功率和射頻器件領域。外延：價值量占比 23%。本質是在襯底上面再覆蓋一層薄膜以滿足器件生產的條件。 具體分為：導電型 SiC 襯底用于 SiC 外延，進而生產功率器件用于電動汽車以及新 能源等領域。半絕緣型 SiC 襯底用于氮化鎵外延，進而生產射頻器件用于 5G 通信等 領域。浙江6寸導電碳化硅襯底蘇州質量好的碳化硅襯底的公司聯系方式。

碳化硅SiC的應用前景  由于SiC具有上述眾多優異的物理化學性質，不僅能夠作為一種良好的高溫結構材料，也是一種理想的高溫半導體材料。近20年，伴隨薄膜制備技術的高速發展，SiC薄膜已經被***應用于保護涂層、光致發光、場效應晶體管、薄膜發光二極管以及非晶Si太陽能電池的窗口材料等。另外，作為結構材料的SiC薄膜還被認為是核聚變堆中比較好的防護材料，在不銹鋼基體上沉積一層SiC薄膜，可以**地降低氚的滲透率，并保持聚變反應的穩定性。總結起來，SiC具有以下幾個方面的應用：(1)高的硬度與熱穩定性，可用于***涂層；(2)穩定的結構，在核反應技術中用作核聚變堆等離子體的面對材料：(3)大的禁帶寬度，可作為光的短波長區域發光材料。例如，3C-SiC的Eg=2.2eV，6H-SiC的Eg=2.9eV可分別用作綠色、藍色LED材料，目前SiC藍光LED已經商品化；(4)高的熱導率，可作為超大規模集成電路和特大規模集成電路的熱沉材料

  從襯底的下游晶圓與器件來看，大量生產廠家仍然位于日本、歐洲與美國；但國內生產廠家在襯底領域已經擁有了一定的市場份額。根據Yole數據，在2020年半絕緣型碳化硅襯底市場中，貳陸公司（II-IV）、科銳公司（Cree）以及天岳先進依次占據甲的位置，市場份額分別為35%、33%和30%，市場高度集中。從資金來看，國內第三代半導體投資力度高企，力爭追趕國際廠商。根據CASA披露的數據顯示，2018年至今，國內廠商始終加強布局第三代半導體產業，2020年共有24筆投資擴產項目，增產投資金額超過694億元，其中碳化硅領域共17筆、投資550億元。碳化硅襯底的的性價比、質量哪家比較好？

不同的SiC多型體在半導體特性方面表現出各自的特性。利用SiC的這一特點可以制作SiC不同多型體間晶格完全匹配的異質復合結構和超晶格，從而獲得性能較好的器件．其中6H-SiC結構**為穩定，適用于制造光電子器件：p-SiC比6H-SiC活潑，其電子遷移率比較高，飽和電子漂移速度**快，擊穿電場**強，較適宜于制造高溫、大功率、高頻器件，及其它薄膜材料(如A1N、GaN、金剛石等)的襯底和X射線的掩膜等。而且，β-SiC薄膜能在同屬立方晶系的Si襯底上生長，而Si襯底由于其面積大、質量高、價格低，可與Si的平面工藝相兼容，所以后續PECVD制備的SiC薄膜主要是β-SiC薄膜[2]。哪家公司的碳化硅襯底的是有質量保障的？天津進口6寸led碳化硅襯底

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碳化硅具有熱導率高（比硅高3倍）、與氮化鎵晶格失配小（4％）等優勢，非常適合用作新一代發光二極管（LED）襯底材料。在《國家中長期科學和技術發展規劃綱要(2006-2020年)》中將碳化硅列為“新一代信息功能材料及器件”，在《中國制造2025》中明確大尺寸碳化硅單晶襯底為“關鍵戰略材料”“先進半導體材料”。可以毫不夸張地說，碳化硅已成為全球半導體產業的前沿和制高點。從整體上來看，碳化硅半導體完整產業鏈包括：碳化硅原料-晶錠-晶片-外延-芯片-器件-模塊，如圖1所示。在LED的制備過程中，上游的碳化硅晶片（襯底）材料是決定LED顏色、亮度、壽命等性能指標的主要因素。

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