碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的**材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優勢。對于它的加工也有很多方式，其中激光劃片是目前較為理想的方式之一。激光劃片設備采用工業激光器，波長主要有 1 064 nm、532 nm、355 nm 三種，脈寬為納秒、皮秒和飛秒級。理論上，激光波長越短、脈寬越短，加工熱效應越小，有利于微細精密加工，但成本相對較高。355 nm 的紫外納秒激光器因其技術成熟、成本低、加工熱效應小，應用非常多。近幾年 1 064 nm 的皮秒激光器技術發展迅速，應用到很多新領域，獲得了很好的效果。超快激光玻璃晶圓切割設備的制作步驟詳解。浙江智能制造超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

由于現代電子產品發展突飛猛進，使儀器和工藝設備尺寸縮小。微米和納米技術與制造微米、納米物體的方法直接相關，其尺寸至少在一個維度上不大于100μm或100nm。為制造以微米和納米技術為基礎之電子產品，采用的是經充分驗證之材料及新材料，擁有廣大潛力能為特定應用取得可控制、有利的物理化學性質。用于生產半導體器件之傳統晶圓材料均屬脆性，而印刷其上的結構因物理特性加深后續生產制程難度。此外，精密器件加工復雜促使收益增加、開發更為繁復的結構，并優化半導體晶圓有效區域之應用，同時又要維持售價與運營成本。目前將晶圓分離成芯片的主要技術皆建立于機械與激光切割基礎上，即鉆石劃線后裂片、帶外刀刃的鉆石圓盤鋸片切割、激光劃線后裂片、激光切割等。湖南先進超快激光玻璃晶圓切割設備應用范圍無錫超快激光玻璃晶圓切割設備的定制尺寸。

近年來光電產業的快速發展，高集成度和高性能的半導體晶圓需求不斷增長，硅、碳化硅、藍寶石、玻璃以及磷化銦等材料被廣泛應用于半導體晶圓的襯底材料。隨著晶圓集成度大幅提高，晶圓趨向于輕薄化，傳統的很多加工方式已經不再適用，于是在部分工序引入了激光隱形切割技術。半導體晶圓的激光隱形切割技術是一種全新的激光切割工藝，具有切割速度快、切割不產生粉塵、無切割基材耗損、所需切割道小、完全干制程等諸多優勢。隱切切割主要原理是將短脈沖激光光束透過材料表面聚焦在材料中間，在材料中間形成改質層，然后通過外部施加壓力使芯片分開。

激光功率是影響劃片深度和劃片寬度的主要因素，在其他參數固定不變時，劃片寬度和劃片深度隨著激光功率的增加而增大，這是因為，紫外激光雖然屬于“冷切割”，但還是存在一定的熱效應，熱量會積累在切割處。當激光功率一定時，晶圓受到照射的時間越長，獲得的能量就越多，燒蝕現象就越嚴重。頻率會影響激光脈沖的峰值功率和平均功率，從而對劃片深度、劃片寬度和劃片質量均產生影響。增大頻率，脈沖峰值功率會下降，但整體平均功率會上升，這相當于在劃片過程中提供了更高的能量，又避免了激光功率持續輸出產生的熱效應累積，給熱量的耗散預留了空間。無錫超通智能超快激光玻璃晶圓切割設備安心售后。

迭代升級后的激光晶圓隱形切割設備可自由控制激光聚焦點的深度、可自由控制聚焦點的長度、可自由控制兩個焦點之間的水平間隔，通過采用特殊材料、特殊結構設計、特殊運動平臺，可在500mm/S的高速運動之下，保持高穩定性、高精度切割，激光焦點*為0.5um，切割痕跡更細膩，可以避免對材料表面造成損傷，大幅提升芯片生產制造的質量、效率、效益。這款激光晶圓隱形切割設備可廣泛應用于高能集成電路產品，包括CPU制造、圖像處理IC、汽車電子、傳感器、內存等領域的制造，對我國實現**國產半導體供應鏈起到了積極的促進作用，有很重要的現實意義。無錫超快激光玻璃晶圓切割設備的規格介紹。天津國產超快激光玻璃晶圓切割設備價格表

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主要性能參數產品型號CTI-GlassCut皮秒激光器激光器波長1064 nm激光器脈寬10 ps平均峰值功率50W切割頭切割焦深5 mm**小光斑1-2 um切割精度±20 um崩邊<5 um切割速度100mm/s (3mm白玻璃)工作平臺參數平臺形式XY直線電機基座高精度大理石平臺加工范圍400×400 mm（可定制）定位精度±3 um重復定位精度±2 um比較大速度1000 mm/sCCD工業相機600W鏡頭遠心鏡頭系統屬性支持文件格式DXF等常規CAD格式環境要求溫度：20-30℃，濕度：<60%電力需求380V/50Hz/10KVA浙江智能制造超快激光玻璃晶圓切割設備產品介紹

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