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上海大載機電有限公司2025-06-06
通過三項關鍵技術：①單晶硅傳感芯片（年漂移＜0.1%FS）；②激光焊接密封（氦泄漏率＜1×10??mbar·L/s）；③150℃老煉處理（持續72小時）。出廠前進行1000次壓力循環測試，確保10年內精度不超差。
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