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漏源電壓Vds對(duì)MOSFET性能有何影響?

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-24

導(dǎo)通損耗:VDS↑→RDS(on)↑(強(qiáng)電場(chǎng)致載流子遷移率↓),芯技超結(jié)MOS在600V時(shí)RDS(on)比平面結(jié)構(gòu)低50%

深圳市芯技科技有限公司
深圳市芯技科技有限公司
簡(jiǎn)介:深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
簡(jiǎn)介: 深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
保護(hù)器件2
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其余 2 條回答

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-25

    開關(guān)特性:VDS>100V時(shí)米勒電容Cgd非線性加劇,芯技優(yōu)化電荷平衡技術(shù)降低Qgd 30%

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    深圳市芯技科技有限公司 2025-06-30

    雪崩能力:VDS接近BVDSS時(shí)EAS驟降,芯技Avalanche Rated系列BVDSS余量>20%

  • MOSFET
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